東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布通過“MOSFET”擴充移動設備鋰離子電池和電源管理開關專用保護電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造，實現(xiàn)了低導通電阻，可減少設備的傳導損失。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/158932.htm
主要特性
采用第八代工藝打造，實現(xiàn)低導通電阻
采用TSON Advance封裝，具有很好的導熱性
高雪崩電阻
主要規(guī)格
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