準(zhǔn)諧振SMPS控制器L6565的功能原理及應(yīng)用
1概述
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/159846.htmST公司在近期推出的L6565單片IC,是適用于準(zhǔn)諧振(QR)零電壓開關(guān)(ZVS)回掃變換器電流型初級(jí)控制器。QR操作依靠變壓器退磁感測(cè)輸入獲得,變換器功率容量隨主線電壓變化通過線路電壓前饋補(bǔ)償。在輕載時(shí),L6565自動(dòng)降低工作頻率,但仍然盡可能保持接近ZVS運(yùn)行。
L6565的主要特點(diǎn)如下:
SQRZVS回掃拓?fù)潆娏餍统跫?jí)控制;
S線路電壓前饋控制保證交付恒定功率;
S頻率折彎(foldback)功能可獲得最佳待機(jī)頻率;
S逐周脈沖與打嗝(hiccup)模式過電流保護(hù)(OCP);
S超低起動(dòng)電流(70μA)和靜態(tài)電流(3.5mA);
S堵塞功能(開/關(guān)控制);
S25V±1%的內(nèi)部基準(zhǔn)電壓;
S±400mA的圖騰驅(qū)動(dòng)器,在欠電壓閉鎖(UVLO)
情況下,保持輸出低電平。
L6565的主要應(yīng)用包括TV/監(jiān)視器開關(guān)型電源(SMPS)、AC/DC適配器/充電器、數(shù)字消費(fèi)類產(chǎn)品、打印機(jī)、傳真機(jī)和掃描設(shè)備等。
21封裝及引腳功能
L6565采用8腳DIP(L6565N)和8腳SO(L6565D)封裝,引腳排列如圖1所示。
L6565的引腳功能分別為:
腳1(INV)誤差放大器反相輸入;
腳2(COMP)誤差放大器輸出;
腳3(VFF)線路電壓前饋;
腳4(CS)電流感測(cè)輸入;
腳5(ZCD)變壓器退磁零電流檢測(cè)輸入;
腳6(GND)地;
腳7(GD)柵極驅(qū)動(dòng)器輸出;
腳8(VCC)電源電壓。
22工作原理
圖1L6565引腳排列
圖2L6565電源電路
圖3ZCD及相關(guān)電路
(1)電源
L6565的電源電路如圖2所示。IC腳VCC的導(dǎo)通門限電壓典型值是135V,關(guān)閉門限電壓典型值是95V。一旦VCC腳導(dǎo)通,IC內(nèi)部柵極驅(qū)動(dòng)器電壓直接由VCC提供,其它內(nèi)部所有電路的工作電壓均由線性調(diào)節(jié)器產(chǎn)生的7V電壓供給。一個(gè)內(nèi)部25V±1%的精密電壓,供給初級(jí)反饋控制環(huán)路使用。一旦VCC降至UVLO門限電壓以下,IC輸出則被關(guān)斷。IC腳VCC外部連接電阻R和電容C組成的起動(dòng)電路及變壓器輔助繞組和整流二極管等組成的輔助電源電路。
(2)零電流檢測(cè)(ZCD)
L6565的零電流檢測(cè)(ZCD)及相關(guān)電路如圖3所示。為在QR下運(yùn)行,IC需要檢測(cè)變壓器退磁信號(hào)。IC腳ZCD上的輸入信號(hào),可以從施加于VCC的變壓器輔助繞組獲得。如果施加到ZCD腳上的負(fù)向脈沖沿降至16V以下,ZCD電路將接通外部MOSFET。為保證高抗噪擾度,觸發(fā)電路在負(fù)向脈沖沿降至16V之前則被起動(dòng)。腳5上的正向脈沖沿歷經(jīng)21V,并直達(dá)52V。在外部MOSFET已被關(guān)斷之后,觸發(fā)電路將消隱一定時(shí)間(≥3.5μs),以阻止任何負(fù)向脈沖沿跟隨漏感退磁,并實(shí)現(xiàn)頻率折彎功能。
L6565內(nèi)置起動(dòng)電路,在IC起動(dòng)期間迫使驅(qū)動(dòng)器給出一個(gè)脈沖施加到MOSFET的柵極,驅(qū)動(dòng)MOSFET導(dǎo)通,以在IC腳ZCD上產(chǎn)生一個(gè)輸入信號(hào)。IC腳ZCD上的電壓受到雙鉗位限制,上面的鉗位電壓是52V,底部的鉗位電壓為VBE(065V)。
L6565的ZCD腳還用作觸發(fā)禁止電路。如果該腳上的電壓降低到200mV的門限,器件將被關(guān)閉。為使器件重新運(yùn)行,則ZCD腳上的電位下拉必須予以解除。
(3)頻率折彎
為防止QR回掃變換器的開關(guān)頻率過高,L6565對(duì)開關(guān)的最小關(guān)斷時(shí)間給予限制。事實(shí)上,ZCD消隱時(shí)間間隔(最小值是35μs)是誤差放大器輸出VCOMP的函數(shù),負(fù)載愈低,VCOMP愈小,而消隱時(shí)間(TBLANK)也就愈長。一旦負(fù)載電流和輸入電壓使開關(guān)截止時(shí)間降低到35μs的最小消隱時(shí)間以下,系統(tǒng)將進(jìn)入頻率折彎模式。在該模式中,在一些線路/負(fù)載條件下,能觀察到不規(guī)則的開關(guān)周期。當(dāng)負(fù)載足夠小時(shí),因消隱時(shí)間的增加,許多振鈴周期被越過,并且其幅值變得非常小,不能再觸發(fā)ZCD電路,從而產(chǎn)生突發(fā)模式運(yùn)行,外部MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)。圖4定性描述了L6565的頻率折彎特性。
評(píng)論