簡化50W以下開關電源電路拓樸結(jié)構(gòu)的芯片解析方案
用光電耦合器取代Rt、Ct網(wǎng)絡,在其發(fā)光二極管端引入外部時鐘脈沖,電路工作在外同步模式,如圖2所示。
圖2 VIPer50工作在外同步模式
4 典型應用電路
4.1 通用型開關電源
由VIPer50構(gòu)成的通用型開關電源電路如圖3所示,該電路采用了典型的單端反激式拓樸結(jié)構(gòu),交流輸入電壓范圍為85~265V,輸出功率為30W(+5V、6A),效率達85%,負載調(diào)整率S1在4%~6% 。接通電源后,220V交流電首先經(jīng)EMI濾波、橋式整流、C2濾波,得到約300V直流高壓,再經(jīng)開關變壓器T1初級繞組N1,給VIPer50提供開機電壓。反饋繞組N2上的感應電壓通過R3、VD3、C4整流濾流后,得到反饋電壓,分成兩路:一路加至VDD引腳,為芯片提供電源電壓;另一路則通過振蕩電阻R4送至頻率調(diào)整端,為振蕩電容C5提供充電電壓。從T1次級繞組N3輸出的PWM功率信號,經(jīng)過VD2整流及C9、L2、C10濾波后,產(chǎn)生+5V的穩(wěn)壓輸出。
為防止剛開機時輸入濾波電容C2上的充電電流過大,在交流輸入端串聯(lián)了一只負溫度系數(shù)的熱敏電阻R1。電容C1與扼流圈L2構(gòu)成簡單的EMI濾波器,用于抑制交流電網(wǎng)中的高頻噪聲。VD1、R2、C3組成鉗位保護電路,可將開關變壓器T1初級繞組上的高壓感應電動勢衰減到安全范圍內(nèi),避免損壞芯片。VD1為阻塞二極管,實選BYD37J型600V/1.5A快恢復二極管;C3優(yōu)選耐壓高、漏電小的陶瓷電容(2200pF/1kV);BR1選擇由4只IN4007(1A/1kV)硅整流管構(gòu)成的橋式整流器。VD3采用高頻開關二極管1N4148;VD2須選用10A/30V以上的肖特基二極管,例如B82-004型(15A/40V)。C6、C7和R5組成了回路補償電路,它們能改善內(nèi)部誤差放大器的頻率響應。為抑制共模干擾,在開關變壓器N2、N3繞組的同名端之間,還并聯(lián)了一只高壓陶瓷電容(1000pF/3kV)。
圖3 由VIPer50構(gòu)成的通用型開關電源電路
4.2 30W精密開關電源
圖3所示的開關電源不足之處在于負載調(diào)整率較高(S1在4%~6%),難以滿足精密穩(wěn)壓的要求。由VIPer50構(gòu)成的30W精密開關電源電路如圖4所示。該電源的負載調(diào)整率S11%,與圖3比較主要有以下區(qū)別:
(1)電路中增加了由TL431可調(diào)式并聯(lián)穩(wěn)壓器和光電耦合器組成的光耦反饋式電路,通過TL431內(nèi)部2.5V基準電壓和采樣電壓比較,改變光耦的工作電壓的大小,再由光耦調(diào)節(jié)VIPer50的占空比,即可實現(xiàn)精密穩(wěn)壓的目的。光耦工作在線性狀態(tài),CTR(電流放大率)太大,容易造成VIPer50過壓保護;若CTR太小,占空比D將不能隨反饋電流的增大而減小,從而導致過流。因此,應選取CTR范圍接近100%的光耦,例如SFH610A-2型光耦。
(2)在VDD引腳中增加了由C6、R4組成的輸入浪涌電流保護電路。在接通電源時,開關電源并不立即啟動,而是通過R4對C6進行充電,等VDD引腳上電壓達到8V時,開關電源才逐漸開始工作,確保芯片在開機瞬間各部分處于低電壓、小電流的工作狀態(tài),防止內(nèi)部功率MOSFET被浪涌電流和開關變壓器的高壓感應電動勢損壞。
圖4 由VIPer50構(gòu)成的30W精密開關電源電路
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