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采用脈寬調(diào)制控制方式的逆變電路解析方案

作者: 時間:2012-06-19 來源:網(wǎng)絡 收藏

1 引言

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/160424.htm

無源技術在交流電動機調(diào)速、不間斷電源、交-直-交變頻等方面已經(jīng)有了非常廣泛的應用。而脈寬技術更是以其諧波抑制、動態(tài)響應、頻率和效率等方面的明顯優(yōu)勢取得了很大的發(fā)展。特別是在自關斷器件出現(xiàn)成熟以后,越來越多地脈寬。

硬件產(chǎn)生正弦脈寬波形的比較復雜,而且難以精確;而軟件產(chǎn)生正弦脈寬調(diào)制波形又需要占用大量的CPU開銷,從而降低了計算機的利用率;另外,大功率電力電子器件的保護和都比較困難,驅(qū)動電路也較復雜。這些因素都阻礙了技術的發(fā)展,降低了裝置的可靠性。本文介紹一種將 80C196MC單片機的片內(nèi)波形發(fā)生器(WFG)和智能功率模塊(IPM)應用于逆變電路的實現(xiàn)。

2 片內(nèi)波形發(fā)生器

片內(nèi)波形發(fā)生器WFG(Wave Form Generator)是intel80C196MC/MD單片機所獨有的特點,它簡化了產(chǎn)生同步脈寬調(diào)制波形所需的控制軟件和外部硬件。

Intel 80C196MC/MD單片機中的波形發(fā)生器有3個同步的PWM模塊(圖1中只畫出一個),每個模塊包括一個相位比較寄存器WG-COMP、一個無信號(DEAD TIME)時間發(fā)生器和一對可編程輸出。在重裝寄存器WG-RELOAD、雙向計數(shù)器WG-COUNT和比較器1地組合工作下即可產(chǎn)生載波信號??刂萍拇嫫鱓G-COM除了控制WFG的工作外,其低10位還可用來確定無信號的時間。保護寄存器WG-PRO的功能是在軟件控制或外部事件的作用下,同時禁止WFG的全部6個輸出。輸出控制寄存器WG-OUT用來控制輸出腳的功能。該80C196中的波形發(fā)生器可以產(chǎn)生獨立的3對PWM波形,但它們有共同的載波頻率、無信號時間和操作。

以中心對準工作方式0為例來說明波形發(fā)生器產(chǎn)生PWM波形的原理。開始時,雙向計數(shù)器向上計數(shù),原始輸出有效。當W-COUNT=WG-COMP時,輸出變?yōu)闊o效。然后計數(shù)器繼續(xù)向上計數(shù),直到計數(shù)器計數(shù)達到峰頂WG-COUNT=WG-RELOAD而產(chǎn)生一次WG中斷,系統(tǒng)從已建立好的正弦表中查出相應值重裝載入相位比較寄存器為止。再后來計數(shù)器便向下計數(shù)。這期間一對互補輸出均無效。直至WG-COUNT再次等于WG-COMP的值而使輸出又變?yōu)橛行?。當計?shù)器向下計數(shù)到1時,又開始向上計數(shù)。如此反復即可在WGx和WGx上產(chǎn)生一對互補SPWM輸出波形。

為防止一對互補的PWM同時作為于逆變器的上下臂而產(chǎn)生直通,保證WFG的輸出不產(chǎn)生交疊波形,WFG中設置了無信號時間發(fā)生器。當WG-COUNT=WG -COMP時,相位比較器產(chǎn)生一跳變信號,跳變檢測器檢測到此跳變后,啟動一個10位無信號時間計數(shù)器,其計數(shù)值由WG-CON專用寄存器的低10位 D9~D0裝入,并使得計數(shù)器的輸出DT為低電平,然后每個狀態(tài)周期計數(shù)減1,一直到0。這時計數(shù)器停止計數(shù),DT變?yōu)楦唠娖?,從而產(chǎn)生一個死區(qū)時間來延遲輸出有效的開通時間。死區(qū)時間主要由IPM中IGBT的關斷時間決定,同時還與單片機輸出隔離器件的延遲時間有關。死區(qū)時間不能太長。因為太長的死區(qū)時間可能導致WFG無PWM輸出,理論上要保證脈沖寬度不小于3T-dead。

由上述80C196MC單片機的波形發(fā)生器WFG產(chǎn)生PWM波形的基本原理可知,要產(chǎn)生正弦脈寬調(diào)制 SPWM波形,必須按正弦規(guī)律來控制WFG上產(chǎn)生的 PWM波形的占空比。因此在WFG產(chǎn)生中斷并重裝載相位寄存器值時,必須計算正弦函數(shù)值或者查正弦函數(shù)表以獲得對應時刻的正弦值。

3 智能功率模塊

電力電子器件是電力電子技術的重要基礎。各種新型的電力電子器件不斷涌現(xiàn)推動了電力電子技術的發(fā)展。 80年代后期,以絕緣柵極雙極型晶體管IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)為代表的復合型器件異軍突起。IGBT是功率場控晶體管MOSFET和電力晶體管GTR的復合,它把MOSFET的驅(qū)動功率小、開關速率快的特點和GTR通態(tài)壓降小、載波能力大的優(yōu)點集于一身,因而性能十分優(yōu)越,從而使之成為現(xiàn)代電力電子技術的主導器件。但是在實際電路中,大功率、高頻率的開關操作動態(tài)條件非常荷刻。功率電路,緩沖電路還有門極驅(qū)動電路必須設計到足以承受di/dt和dv/dt極限值。如果過電壓就會發(fā)生。同時地環(huán)路和雜散電容還會引起嚴重的噪聲問題。因此合理的布局對于IGBT的可靠性和工作效率是非常重要的。哪一個環(huán)節(jié)沒有設計好都會影響電路的正常工作,甚至將器件損壞。三菱智能功率模塊IPM(Intelligent Power Module)是一種將高速、低損耗IGBT及其最佳門極驅(qū)動和保護電路集于一體的功率模塊。該模塊通過使用一種先進的在線監(jiān)控電流傳感器IGBT來實現(xiàn)高效的過電流和短路保護。IPM的過溫保護和低電壓閉鎖保護更是大大的提高了系統(tǒng)的可靠性,而且整體模塊體積小、結(jié)構(gòu)緊湊,從而大大減小了整個裝置的外形尺寸。下面結(jié)合PM100CSA120的內(nèi)部結(jié)構(gòu)來說明其原理和保護功能。

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