無刷直流電動(dòng)機(jī)功率驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

0 引 言
無刷直流電動(dòng)機(jī)是隨著電力電子技術(shù)和高性能永磁材料而迅速發(fā)展并得到廣泛應(yīng)用的新機(jī)種。無刷直流電動(dòng)機(jī)不僅保持了傳統(tǒng)直流電動(dòng)機(jī)良好的動(dòng)、靜態(tài)調(diào)速特性，且結(jié)構(gòu)簡單，運(yùn)行可靠，易于控制，維護(hù)方便，壽命長。它的應(yīng)用從最初的軍事工業(yè)，向航空航天、醫(yī)療、信息、家電以及工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域迅速發(fā)展。無刷直流電動(dòng)機(jī)已經(jīng)不是專指具有電子換相的直流電機(jī)，而是泛指有刷直流電動(dòng)機(jī)外部特性的電子換相電機(jī)。

1 無刷直流電機(jī)功率驅(qū)動(dòng)電路
無刷直流電動(dòng)機(jī)一般由電子換相電路、轉(zhuǎn)子位置檢測電路和電動(dòng)機(jī)本體3部分組成，電子換相電路一般由控制部分和驅(qū)動(dòng)部分組成，而對(duì)轉(zhuǎn)子位置的檢測一般用位置傳感器完成。工作時(shí)，控制器根據(jù)位置傳感器測得的電機(jī)轉(zhuǎn)子位置有序地觸發(fā)驅(qū)動(dòng)電路中的各個(gè)功率管，進(jìn)行有序換流，以驅(qū)動(dòng)直流電動(dòng)機(jī)。
無刷直流電動(dòng)機(jī)的功率驅(qū)動(dòng)電路采用以IR公司的專用驅(qū)動(dòng)芯片IR2130為中心的6個(gè)N溝道的MOS-FET管組成的三相全橋逆變電路，其輸入是以功率地為地的PWM波，送到IR2130的輸入端口，輸出控制N溝道的功率驅(qū)動(dòng)管MOSFET，由此驅(qū)動(dòng)無刷直流電動(dòng)機(jī)。采用這種驅(qū)動(dòng)方式主要是功率驅(qū)動(dòng)芯片 IR2130對(duì)“自舉”技術(shù)形成懸浮的高壓側(cè)電源的巧妙運(yùn)用，簡化了整個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，提高了系統(tǒng)的可靠性，而且IR2130驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)置死區(qū)電路，以及過流保護(hù)和欠壓保護(hù)等功能，大大降低了電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜度，進(jìn)一步提高了系統(tǒng)的可靠性。

2 IR2130驅(qū)動(dòng)芯片的特點(diǎn)
IR2130可用來驅(qū)動(dòng)母線電壓不高于600 V電路中的功率MOS門器件，其可輸出的最大正向峰值驅(qū)動(dòng)電流為250 mA，而反向峰值驅(qū)動(dòng)電流為500 mA。由于它內(nèi)部設(shè)計(jì)有過流、過壓及欠壓保護(hù)、封鎖和指示網(wǎng)絡(luò)，可使用戶方便地用來保護(hù)被驅(qū)動(dòng)的MOS門功率管。加之巧妙地運(yùn)用內(nèi)部的自舉技術(shù)使其用于高壓系統(tǒng)，還可對(duì)同一橋臂上下2個(gè)功率器件的門極驅(qū)動(dòng)信導(dǎo)產(chǎn)生2μs互鎖延時(shí)時(shí)間。由于它自身工作和電源電壓的范圍較寬(3～20 V)，在它的內(nèi)部還設(shè)計(jì)有與被驅(qū)動(dòng)的功率器件所通過的電流成線性關(guān)系的電流放大器，電路設(shè)計(jì)還保證了內(nèi)部的3個(gè)通道的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器與低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器可單獨(dú)使用，亦可只用其內(nèi)部的3個(gè)低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器，并 且輸入信號(hào)與TTL及COMS電平兼容。
電機(jī)控制的驅(qū)動(dòng)器采用IR2130芯片。IR2130是一種高電壓、高速度的功率MOSFET和IGBT、驅(qū)動(dòng)器，工作電壓為10～20 V，分別有3個(gè)獨(dú)立的高端和低端輸出通道。邏輯輸入與CMOS或LSTTL輸出兼容，最小可以達(dá)到2．5 V邏輯電壓。外圍電路中的參考地運(yùn)行放大器，通過外部的電流檢測電位器來提供全橋電路電流的模擬反饋值，如果超出設(shè)定或調(diào)整的參考電流值，則IR2130 驅(qū)動(dòng)器的內(nèi)部電流保護(hù)電路就啟動(dòng)關(guān)斷輸出通道，實(shí)現(xiàn)電流保護(hù)的作用。IR2130驅(qū)動(dòng)器反映高脈沖電流緩沖器的狀態(tài)，傳輸延遲和高頻放大器相匹配，浮動(dòng)通道能夠用來驅(qū)動(dòng)N溝道功率MOSFET和IGBT，最高電壓可達(dá)到600 V。