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選擇自鉗位MOSFET提高電動(dòng)工具系統(tǒng)可靠性

作者: 時(shí)間:2009-03-03 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏


其中: TJ 為的結(jié)點(diǎn)溫度,TC為的表面溫度,

RTHJC為的熱阻。

由上式可知,對于一個(gè)確定的來說,要想降低MOSFET的結(jié)點(diǎn)溫度,有以下幾種途徑:⑴ 具有較低RDS(ON)和較低RTHJC的MOSFET。⑵ 設(shè)置合適的MOSFET關(guān)斷速度,盡量使開關(guān)損耗最小。⑶ 盡量減小主回路的引線電感。因?yàn)樵诿恳淮侮P(guān)斷過程中,回路引線電感中的能量都將被MOSFET吸收。


MOSFET的要點(diǎn)


從應(yīng)用角度看,影響MOSFET的因素主要有以下幾方面:⑴ MOSFET的結(jié)點(diǎn)溫度,過高的結(jié)點(diǎn)溫度會(huì)影響MOSFET的,使MOSFET提前失效。⑵ MOSFET漏極上的電壓尖峰如果超過其雪崩擊穿電壓,則MOSFET也會(huì)提前失效。因此,我們必須合適的MOSFET設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路。例如,自鉗位MOSFET - AOT500,其采用先進(jìn)的溝道(Trench)工藝設(shè)計(jì)生產(chǎn),導(dǎo)通電阻最大值僅為5.3毫歐,且其帶有VDS電壓自鉗位功能,非常適合設(shè)計(jì)應(yīng)用。

  
圖3:自鉗位MOSFET

(a) AOT500外觀圖; (b) AOT500內(nèi)部結(jié)構(gòu)

  
自鉗位MOSFET的漏柵極間集成了一只齊納二極管,如圖3所示。當(dāng)漏極電壓大于鉗位電壓時(shí),漏柵極間穩(wěn)壓二極管里會(huì)流過很小的電流,通過柵極電阻產(chǎn)生電壓降,當(dāng)電壓降大于MOSFET開啟電壓VTH時(shí),MOSFET會(huì)打開并將漏極電壓鉗位,確保MOSFET不會(huì)處于雪崩狀態(tài)。圖4(a)和4(b)是分別使用非鉗位MOSFET和鉗位MOSFET在中所測得的波形,如果使用非鉗位MOSFET,則最高點(diǎn)壓可達(dá)72V,MOSFET有可能處于雪崩狀態(tài),這種情況下最好使用高耐壓的MOSFET。使用AOT500則電壓被鉗位在40V,中的尖峰明顯減少,大大了系統(tǒng)的

  

圖4: MOSFET的VDS波形

(a) 使用非鉗位MOSFET; (b) 使用鉗位MOSFET

  

圖5為AOT500在電動(dòng)工具中的堵轉(zhuǎn)試驗(yàn)時(shí)間對比,可以看出,AOT500能承受的堵轉(zhuǎn)時(shí)間比其它的電動(dòng)工具常用的MOSFET要長很多,因而大幅了電動(dòng)工具的可靠性?!?p>

圖5:不同MOSFET在電動(dòng)工具中的堵轉(zhuǎn)試驗(yàn)結(jié)果對比?!?p>綜上所述,在采用MOSFET設(shè)計(jì)電動(dòng)工具時(shí),需要注意以下幾點(diǎn):盡量減小線路的寄生電感,特別是引線電感,使MOSFET在關(guān)斷時(shí)吸收的能量最??;MOSFET的關(guān)斷速度,減小關(guān)斷損耗;選擇自鉗位MOSFET,提高系統(tǒng)的可靠性。

  


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