基于IR21844的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)
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顯然每個(gè)周期T1開(kāi)關(guān)一次，C2就通過(guò)T2開(kāi)關(guān)充電一次，因此自舉電容C2的充電還與輸入信號(hào)IN的PWM脈沖頻率和脈沖寬度有關(guān)。當(dāng)PWM工作頻率過(guò)低時(shí)，若T1導(dǎo)通脈寬較窄，自舉電壓8．3 V容易滿足；反之，無(wú)法實(shí)現(xiàn)自舉。因此，要合理設(shè)置PWM開(kāi)關(guān)頻率和占空比調(diào)節(jié)范圍，C2的容量選擇考慮如下幾點(diǎn)：
①PWM開(kāi)關(guān)頻率高，C2應(yīng)選小電容。
②盡量使自舉上電回路不經(jīng)大阻抗負(fù)載，否則應(yīng)為C2充電提供快速充電通路。
③對(duì)于占空比調(diào)節(jié)較大的場(chǎng)合，特別是在高占空比時(shí)，T2導(dǎo)通時(shí)間較短，C2應(yīng)選小電容。否則，在有限時(shí)間內(nèi)無(wú)法達(dá)到自舉電壓。
④C2的選擇應(yīng)綜合考慮PWM變化的各種情況，監(jiān)測(cè)H()、VS腳波形進(jìn)行調(diào)試是最好的方法。
根據(jù)表1，VB高于VS電壓的最大值為20 V，為了避免VB過(guò)電壓損壞IR21844，電路中增加了穩(wěn)壓二極管D1。電路中D2的功能是防止T1導(dǎo)通時(shí)高電壓串入VCC端損壞該芯片，因此其耐壓值必須高于總線峰值電壓，故采用功耗小的快恢復(fù)二極管。與VCC端相連的電容C3是去耦電容，用于補(bǔ)償電源線的電感。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/163986.htm
3 場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電路的改進(jìn)
如圖2所示，典型應(yīng)用電路是由IR21844驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道MOSFET管或IGBT組成的半橋驅(qū)動(dòng)電路。固定的柵極參考輸出通道(L0)用于下端連接的功率場(chǎng)效應(yīng)管T2，浮動(dòng)的柵極輸出通道(HO)用于上端連接的功率場(chǎng)效應(yīng)管T1。
以驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFET管為例來(lái)介紹。功率MOS―FET是電壓型驅(qū)動(dòng)器件，沒(méi)有少數(shù)載流子的存儲(chǔ)效應(yīng)，輸入阻抗高，因而開(kāi)關(guān)速度可以很高，驅(qū)動(dòng)功率小，電路簡(jiǎn)單。但功率MOSFET的極間電容較大，其等效電路如圖4所示。
輸入電容Ciss、輸出電容Coss和反饋電容Crss與極間電容的關(guān)系可表示為：
IR21844不能產(chǎn)生負(fù)偏壓，如果用于驅(qū)動(dòng)橋式電路，由于極間電容的存在，在開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)刻，柵漏極間的電容CGD有充放電電流，容易在柵極上產(chǎn)生干擾。針對(duì)這一不足，可以在柵極限流電阻(R1和R2)上分別反并聯(lián)一個(gè)二極管(D3和D4)來(lái)解決，該二極管可以加快極間電容上的電荷的放電速度。
功率器件的柵源極的驅(qū)動(dòng)電壓一般為CM()S電平(5～20 V)，因此要在柵極增加保護(hù)電路。電路中穩(wěn)壓二極管D5、D6限制了所加?xùn)艠O電壓，電阻R1、R2進(jìn)行分壓，同時(shí)也降低了柵極電壓。
功率器件T1、T2在開(kāi)關(guān)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生浪涌電壓，這些浪涌電壓會(huì)損壞元件，所以電路中采用穩(wěn)壓二極管D5、D6鉗位浪涌電壓。
4 擴(kuò)展與總結(jié)
以上介紹的是IR21844用于驅(qū)動(dòng)單相電路時(shí)的用法和注意事項(xiàng)，同樣，該芯片完全可以用于驅(qū)動(dòng)兩相、三相或者多相電路?？蓪⒃撾娐愤M(jìn)行復(fù)制，當(dāng)然一些參數(shù)的確定還需要按照本文的分析和具體的實(shí)際情況而定。
由于該芯片只有一路輸入，兩路互補(bǔ)輸出，非常適合用于驅(qū)動(dòng)橋式電路；并且它的死區(qū)時(shí)間可以靈活調(diào)節(jié)，輸出鎖定端可以靈活用于電流的閉環(huán)控制，給控制的沒(méi)計(jì)帶來(lái)了很大的方便，因此在中小型功率領(lǐng)域應(yīng)用比較廣泛。
評(píng)論