基于IR21844的電機驅(qū)動控制系統(tǒng)
電動機應(yīng)用的日益廣泛,使其驅(qū)動控制的研究也越來越成為人們研究的熱點。隨著功率VMOS器件以及絕緣柵雙極晶體管(IGBT)器件的廣泛運用,更多場合使用VMOS器件或IGBT器件組成橋式電路,例如開關(guān)電源半橋變換器或全橋變換器、直流無刷電機的橋式驅(qū)動電路、步進電機驅(qū)動電路,以及逆變器的逆變電路。IR(Inter―national Rectifier)公司提供了多種橋式驅(qū)動集成電路芯片,本文介紹了IR21844功率驅(qū)動集成芯片在直流無刷電機的橋式驅(qū)動電路中的應(yīng)用。該芯片是一種雙通道、柵極驅(qū)動、高壓高速功率器件的單片式集成驅(qū)動模塊,在芯片中采用了高度集成的電平轉(zhuǎn)換技術(shù),大大簡化了邏輯電路對功率器件的控制要求,同時提高了驅(qū)動電路的可靠性。尤其是上管采用外部自舉電容上電,使得驅(qū)動電源數(shù)目較其他IC驅(qū)動大大減少。對于典型的6管構(gòu)成的三相橋式逆變器,采用3片IR21844驅(qū)動3個橋臂,僅需1路10~20 V電源。這樣,在工程上大大減少了控制變壓器的體積和電源數(shù)目,降低了產(chǎn)品成本,提高了系統(tǒng)可靠性。
1 IR21844主要特點及技術(shù)參數(shù)
IR21844集成驅(qū)動芯片與目前應(yīng)用的集成驅(qū)動芯片相比,具有以下特點:
◆該芯片為標(biāo)準(zhǔn)14引腳單片式結(jié)構(gòu),圖1為其引腳
分布圖;
◆設(shè)有懸浮截獲電源可自舉運行,其高端工作電壓最高達600 V,抗du/dt干擾能力為50 V/ns,15 V時靜態(tài)功耗為1.6 W;
◆輸出柵極驅(qū)動電壓范圍較寬,為10~20 V;
◆IR21844采用CMOS工藝制作,邏輯電路和功率電路共用一個電源,電壓范圍為10~20 V,適應(yīng)TTL或CMOS邏輯信號輸入;
◆采用CMOS施密特觸發(fā)輸入,以提高電路抗干擾能力;
◆具有獨立的高端和低端2個輸出通道,兩路通道均帶有滯后欠壓鎖定功能;
◆容許邏輯電路參考地(VSS)與功率電路參考地(COM)之間有一5~+5 V的偏移量;
◆死區(qū)時間可調(diào)。
圖1中,引腳1(IN)是邏輯輸入控制端;引腳6和12是2路獨立的輸出,分別是L0(低端輸出)和H0(高端輸出);引腳7和13分別是VCC(低端電源電壓)和VB(高端浮置電源電壓);引腳5(COM)是低端電源公共端;引腳11和3分別是VS(高端浮置電源公共端)和VSS(邏輯電路接地端);引腳2(SD)是輸出關(guān)閉控制端;引腳4(DT)是可調(diào)的死區(qū)時間輸入端。
其推薦典型工作參數(shù)如表1所列,動態(tài)傳輸延遲時間參數(shù)如表2所列。
2 典型應(yīng)用電路
圖2為IR21844的典型應(yīng)用電路。Vcc接電源端,為邏輯部件和功率器件供電;IN端接輸入控制信號,一般接PWM信號;輸出端HO和LO的波形分別與IN端輸入波形邏輯相同和相反,幅值有一定的放大(10~20 V),輸入/輸出時序圖如圖3所示;SD端接低電平時,H0和LO正常輸出,接高電平時,2個輸出端被封鎖;DT為死區(qū)時間調(diào)整端,因為橋式電路同一橋路的上下管不能同時導(dǎo)通,否則會造成管子短路,因此需要一個死區(qū)時間。由于H0和LO的輸出邏輯相反,所以從邏輯上來說,不會造成直通,但是在換向的瞬間仍有可能造成直通??稍贒T端外接一個電阻Rdt,通過調(diào)整該電阻的阻值就可以調(diào)節(jié)死區(qū)時間;同時,開通延時時間為680 ns,大于關(guān)斷延時時間的270 ns,從而避免橋路的直通,死區(qū)時間典型值為5μs(如表2所列)。
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