東芝Fab5第二期動工 為量產(chǎn)3D NAND鋪路

　　據(jù)外媒electronicsweekly報道，東芝垂直NAND晶圓廠第二期廠房已破土動工，應對未來NAND Flash擴產(chǎn)需求;該新建廠房被稱為“疊分NAND晶圓廠”或“3D NAND晶圓廠”。

　　東芝公司表示：“公司將擴大五號半導體制造工廠(Fab 5)工廠制造空間，以應對未來NAND Flash擴產(chǎn)需求，并為下一代工藝技術和日后投產(chǎn)3D NAND Flash預先做好準備;此次擴建將在明年夏天完成。”

　　據(jù)悉，東芝于日本三重縣四日市已擁有三座晶圓廠，大規(guī)模量產(chǎn)NAND Flash，其中包括五號半導體制造工廠第一階段廠房。

　　NAND市場領導者三星在本月早些時候宣布推出第一款基于3D垂直NAND(V-NAND)閃存技術的SSD固態(tài)硬盤，適用于企業(yè)服務器和數(shù)據(jù)中心;但不準備大批量生產(chǎn)。

　　五號半導體制造工廠工程將成為東芝公司往后用以生產(chǎn)3D NAND Flash的利器，并將確保東芝可基于最新的納米制程技術，持續(xù)擴產(chǎn)NAND Flash。東芝指出，智能手機、平板裝置、企業(yè)伺服器用固態(tài)硬盤(SSD)及其他新應用不斷增長的需求，正帶動NAND Flash產(chǎn)業(yè)復蘇，而考量長期的市場供需平衡，東芝已計劃投入五號半導體工廠的擴產(chǎn)。