采用光生伏特效應(yīng)的LED芯片在檢測(cè)方法上的研究
摘要:基于pn結(jié)的光生伏特效應(yīng),本文研究了一種非接觸式LED芯片在線檢測(cè)方法。通過(guò)測(cè)量pn結(jié)光生伏特效應(yīng)在引線支架中產(chǎn)生的光生電流,檢測(cè)LED封裝過(guò)程中芯片質(zhì)鍍及芯片與支架之間的電氣連接狀態(tài)。通過(guò)分析pn結(jié)光生伏特效應(yīng)的等效電路,詳細(xì)論述了半導(dǎo)體材料的各種參數(shù)及等效電路中各電參數(shù)與支架上流過(guò)的光生電流的關(guān)系。實(shí)驗(yàn)對(duì)各種不同顏色的LED樣品進(jìn)行了測(cè)量。研究表明,該方法可以實(shí)現(xiàn)LED芯片的在線檢測(cè),有較大的應(yīng)用價(jià)值。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/167755.htm1、引言
發(fā)光二極管(LED)以其體積小、響應(yīng)速度快、壽命長(zhǎng)、可靠性高、功耗低等優(yōu)點(diǎn)已廣泛應(yīng)用于指示、顯示、普通照明等領(lǐng)域[1-3]。隨著其應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大,提高LED產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性,降低其生產(chǎn)成本成為不可忽視的問(wèn)題,因此LED生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量檢測(cè)顯得尤為重要。
目前對(duì)LED的檢測(cè)主要集中在封裝前的晶片檢測(cè)及封裝完成后的成品檢測(cè)。晶片檢測(cè)主要是針對(duì)LED的核心結(jié)構(gòu)pn結(jié)的檢測(cè),包括EBIC(electronbeam induced current)【4-5】別、OBIC(optical beam in—duced current)【6-7】、SPV(surface photovohaic)【8】及SQUID(superconducting quantum interference device)法[9-10]等。其中EBIC、OBIC和SPV法都是基于半導(dǎo)體的光電效應(yīng),通過(guò)接觸式測(cè)量電子束或者光激勵(lì)半導(dǎo)體產(chǎn)生的電流或電壓的變化規(guī)律來(lái)檢測(cè)半導(dǎo)體器件的參數(shù)、功能及工作狀態(tài)。SQUID法則是通過(guò)非接觸方式測(cè)苣光電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)分布來(lái)實(shí)現(xiàn)pn結(jié)的檢測(cè),但由于磁場(chǎng)變化極其微弱,必須采用超導(dǎo)量子磁強(qiáng)計(jì)(SQUID),檢測(cè)儀器系統(tǒng)構(gòu)成非常復(fù)雜,且價(jià)格昂貴。這幾種方法都不適用于大批量牛產(chǎn)的在線應(yīng)用。目前在LED生產(chǎn)過(guò)程中在線應(yīng)用的測(cè)量方式都是針對(duì)封裝完成后的成品檢測(cè),如LED分光分色機(jī)等。成品檢測(cè)能夠較好地測(cè)量LED產(chǎn)品的各種參數(shù)和特性,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的分級(jí),但是不能及早地發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品的質(zhì)量問(wèn)題,無(wú)法阻斷次品的后續(xù)加丁過(guò)程,造成材料的浪費(fèi),因此研究一種能在LED生產(chǎn)過(guò)程中在線檢測(cè)的方法顯得非常必要。
針對(duì)封裝過(guò)程中存在的諸多缺陷(如芯片失效、固晶膠連和焊接質(zhì)量問(wèn)題等),本文提出一種應(yīng)用于LED封裝過(guò)程中的非接觸在線檢測(cè)方法,通過(guò)測(cè)量pn結(jié)光生伏特效應(yīng)在其引線支架中產(chǎn)生的光生電流,分析LED封裝過(guò)程中芯片質(zhì)量及芯片與支架之問(wèn)的電氣連接狀態(tài)|11J。本文就是在此基礎(chǔ)上,進(jìn)一步分析pn結(jié)光生伏特效應(yīng)的等效電路,詳細(xì)論述半導(dǎo)體材料的各種參數(shù)及等效電路中各電參數(shù)與支架上流過(guò)的光牛電流的關(guān)系,并通過(guò)實(shí)驗(yàn)分析這些參數(shù)對(duì)檢測(cè)結(jié)果造成的影響。
2、檢測(cè)原理
2.1 pn結(jié)光生伏特效應(yīng)
光生伏特效應(yīng)最早是由法國(guó)物理學(xué)家Becquerel提出來(lái)的。當(dāng)用適當(dāng)波長(zhǎng)的光hv≥Eg,h為普朗克常量,礦為激勵(lì)光頻率,Eg為半導(dǎo)體材料的禁帶寬度)照射非均勻半導(dǎo)體(如pn結(jié)等)時(shí),由于內(nèi)建電場(chǎng)的作用(不加外電場(chǎng)),半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)(光生電壓),對(duì)于pn結(jié),光照產(chǎn)生的載流子各自向相反方向運(yùn)動(dòng),會(huì)在pn結(jié)內(nèi)形成自n區(qū)向P區(qū)的光牛電流。這種由內(nèi)建電場(chǎng)引起的光電效應(yīng),稱為光生伏特效應(yīng)[12]。光生電流IL表示為:
式中:A為Pn結(jié)面積,q是電子電量,w是勢(shì)壘區(qū)寬度,Ln、Lp,分別為電子、空穴的擴(kuò)散長(zhǎng)度,β是量子產(chǎn)額,即每吸收一個(gè)光子產(chǎn)生的電子一空穴對(duì)數(shù),對(duì)于LED來(lái)說(shuō),β一般不大于1,P表示以光子數(shù)計(jì)算的平均光強(qiáng)度(即單位時(shí)間內(nèi)單位面積被半導(dǎo)體材料吸收的光子數(shù)),它可以通過(guò)式(2)獲得。
式中:d是pn結(jié)的厚度,α為半導(dǎo)體材料的吸收系數(shù),與材料本身、摻雜濃度以及激勵(lì)光的波長(zhǎng)有關(guān),P(x)是在pn結(jié)內(nèi)位置算處(假定pn結(jié)表面坐標(biāo)位置為0)的激勵(lì)光強(qiáng)度[13],表示為:
式中:P0是在pn結(jié)表面的激勵(lì)光強(qiáng)度。
根據(jù)愛因斯坦關(guān)系式,電子和空穴的擴(kuò)散長(zhǎng)度Ln和Lp可表示為
式中:KB為玻爾茲曼常數(shù),T為開氏溫度,μn、μp分別為電子、空穴遷移率,與材料本身、摻雜濃度以及溫度有關(guān),τn、τp分別為電子、空穴載流子壽命,小注入情況下,有:
式中:pp、nn分別為P區(qū)和n區(qū)多數(shù)載流子的濃度,r稱為電子-空穴復(fù)合概率,僅是溫度的函數(shù),由式(5)可以看出,在小注入條件下,當(dāng)溫度和摻雜一定時(shí),壽命是一個(gè)常數(shù)。這說(shuō)明,在一定的溫度條件下,電子和空穴的擴(kuò)散長(zhǎng)度Ln和Lp是由構(gòu)成pn結(jié)的半導(dǎo)體材料及其摻雜濃度所決定。
在式(1)中,pn結(jié)的結(jié)面積A及勢(shì)壘區(qū)寬度w都是與LED器件結(jié)構(gòu)相關(guān)的參數(shù)。如果Ln、Lp>>w,則勢(shì)壘區(qū)對(duì)光生電流的作用可以忽略。而對(duì)于pn結(jié)的結(jié)面積A。一般認(rèn)為,尺寸相同的LED的結(jié)面積A是相等的。對(duì)一種常用的GaP材料制成的12mil紅光LED,芯片面積A=0.3 ×0.3mm2時(shí),若β=1,當(dāng)單位時(shí)間內(nèi)單位面積被半導(dǎo)體材料吸收的平均光強(qiáng)度P(以光子數(shù)計(jì))為5.45 ×1021/m2s,理論計(jì)算可產(chǎn)生的光生電流為101μA。
由前面的分析可以看出:
1)對(duì)于不同顏色的LED,由于制成pn結(jié)的材料和結(jié)構(gòu)都存在差異,光生電流IL不僅與pn結(jié)表面光照強(qiáng)度P0有關(guān),式(1)中描述的其它參數(shù)也會(huì)對(duì)其產(chǎn)生影響,包括由pn結(jié)材料及摻雜決定的電子、空穴的擴(kuò)散長(zhǎng)度Ln、Lp和材料的吸收系數(shù)α,以及與LED器件結(jié)構(gòu)有關(guān)的pn結(jié)面積A,勢(shì)壘寬度w和pn結(jié)厚度d;
2)對(duì)于相同顏色同種類型且功能完好的LED,因?yàn)椴牧虾徒Y(jié)構(gòu)都相同,參數(shù)相同,因此產(chǎn)生的光生電流IL。相等,但若LED pn結(jié)功能失效,不產(chǎn)生光生伏特效應(yīng),光生電流IL的值為0;
3)對(duì)于某一確定的LED芯片,若芯片功能完好,產(chǎn)生的光生電流IL與光照強(qiáng)度P0成正比。
2.2光生伏特效應(yīng)的等效電路
在本文的檢測(cè)方法中,是通過(guò)測(cè)量pn結(jié)光生伏特效應(yīng)在其引線支架中產(chǎn)生的光生電流,來(lái)分析LED封裝過(guò)程中芯片質(zhì)量及芯片與支架之間的連接狀態(tài),而實(shí)際待檢測(cè)的LED并不是一個(gè)理想的器件,由于二極管的內(nèi)阻,并聯(lián)電阻及串聯(lián)電阻的作用,pn結(jié)光生伏特效應(yīng)產(chǎn)生的光生電流IL并不完全等于流過(guò)支架的光生電流,因此支架上流過(guò)的電流大小還反映了LED某些電參數(shù)的狀態(tài)。
若將引線支架的內(nèi)阻RL看作是光照時(shí)LED的負(fù)載,pn結(jié)光生伏特效應(yīng)產(chǎn)生的光生電流IL作為一個(gè)恒流源,則光照時(shí)I,ED的等效電路如圖l所示[14]。圖1中,Rsh是并聯(lián)電阻,包括pn結(jié)內(nèi)的漏電阻以及結(jié)邊緣的漏電阻,Rs1是P區(qū)和n區(qū)的體電阻,尺吐包括電極的電阻以及電極和結(jié)之間的接觸電阻,Rs=Rs1+Rs2稱為L(zhǎng)ED的串聯(lián)電阻,I是引線支架上流過(guò)的電流,后面也稱做負(fù)載電流,IF是流過(guò)理想二極管D的正向電流,它與二極管兩端的電壓VD滿足關(guān)系式,
式中Is是反向飽和電流,η是與LED電流復(fù)合機(jī)制有關(guān)的一個(gè)參數(shù),不同類型LED的η值不同。
根據(jù)圖l所示的等效電路,可以得到光生電流IL與支架上流過(guò)的電流I的關(guān)系為:
由式(6)和式(7)可以看出,支架上流過(guò)的電流I與LED的多個(gè)電參數(shù)都有關(guān)系。對(duì)于相同顏色同種類型且功能完好的不同I,ED樣品,因?yàn)椴牧虾徒Y(jié)構(gòu)都相同,其體電阻Rs1并聯(lián)電阻Rsh以及電流電壓關(guān)系也認(rèn)為是相同的。而封裝過(guò)程中存在的諸多缺陷(固晶膠連或焊接質(zhì)量問(wèn)題)則會(huì)導(dǎo)致不同LED的電極電阻及電極和結(jié)之間的接觸電阻Rs2存在差異。由于Rs為一低電阻,小于1Ω 歐姆,Rsh止為一高電阻,約有幾kΩ,LED引線支架的電阻也非常小,一般在mΩ量級(jí),因此有時(shí)不考慮Rsh和RL的影響,則光生電流IL與支架上流過(guò)的電流,的關(guān)系式以簡(jiǎn)化為:
對(duì)于2.1節(jié)所述的紅色LED樣品,當(dāng)產(chǎn)生的光生電流IL為101μA時(shí),若取串聯(lián)電阻Rs=1Ω,AR正=0.1 Ω,根據(jù)式(8),則支架上流過(guò)的電流,的變化略小于10%。這說(shuō)明,接觸電阻的微小差異都會(huì)對(duì)支架上流過(guò)的光生電流I產(chǎn)生較大的影響。因此。對(duì)于功能完好的LED芯片,通過(guò)分析支架上流過(guò)的光生電流,可以獲得接觸電阻的大小,進(jìn)而可以檢測(cè)LED封裝過(guò)程中芯片與引線支架之間的電氣連接狀態(tài)。
評(píng)論