LED芯片壽命試驗(yàn)的重要性

LED具有體積小，耗電量低、長壽命環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，在實(shí)際生產(chǎn)研發(fā)過程中，需要通過壽命試驗(yàn)對LED芯片的可靠性水平進(jìn)行*價，并通過質(zhì)量反饋來提高LED芯片的可靠性水平，以保證LED芯片質(zhì)量。

1、引言

作為電子元器件，發(fā)光二極管(Light Emitting Diode-led)已出現(xiàn)40多年，但長久以來，受到發(fā)光效率和亮度的限制，僅為指示燈所采用，直到上世紀(jì)末突破了技術(shù)瓶頸，生產(chǎn)出高亮度高效率的 LED和蘭光LED，使其應(yīng)用范圍擴(kuò)展到信號燈、城市夜景工程、全彩屏等，提供了作為照明光源的可能性。隨著LED應(yīng)用范圍的加大，提高LED可靠性具有更加重要的意義。LED具有高可靠性和長壽命的優(yōu)點(diǎn)，在實(shí)際生產(chǎn)研發(fā)過程中，需要通過壽命試驗(yàn)對LED芯片的可靠性水平進(jìn)行*價，并通過質(zhì)量反饋來提高 LED芯片的可靠性水平，以保證LED芯片質(zhì)量，為此在實(shí)現(xiàn)全色系LED產(chǎn)業(yè)化的同時，開發(fā)了LED芯片壽命試驗(yàn)的條件、方法、手段和裝置等，以提高壽命試驗(yàn)的科學(xué)性和結(jié)果的準(zhǔn)確性。

2、壽命試驗(yàn)條件的確定

電子產(chǎn)品在規(guī)定的工作及環(huán)境條件下，進(jìn)行的工作試驗(yàn)稱為壽命試驗(yàn)，又稱耐久性試驗(yàn)。隨著LED生產(chǎn)技術(shù)水平的提高，產(chǎn)品的壽命和可靠性大為改觀，LED的理論壽命為10萬小時，如果仍采用常規(guī)的正常額定應(yīng)力下的壽命試驗(yàn)，很難對產(chǎn)品的壽命和可靠性做出較為客觀的*價，而我們試驗(yàn)的主要目的是，通過壽命試驗(yàn)掌握LED芯片光輸出衰減狀況，進(jìn)而推斷其壽命。根據(jù)LED器件的特點(diǎn)，經(jīng)過對比試驗(yàn)和統(tǒng)計(jì)分析，最終規(guī)定了0.3×～0.3mm2以下芯片的壽命試驗(yàn)條件：

[1].樣品隨機(jī)抽取，數(shù)量為8～10粒芯片，制成ф5單燈;

[2].工作電流為30mA;

[3].環(huán)境條件為室溫(25℃±5℃);

[4].試驗(yàn)周期為96小時、1000小時和5000小時三種;

工作電流為30mA是額定值的1.5倍，是加大電應(yīng)力的壽命試驗(yàn)，其結(jié)果雖然不能代表真實(shí)的壽命情況，但是有很大的參考價值;壽命試驗(yàn)以外延片生產(chǎn)批為母樣，隨機(jī)抽取其中一片外延片中的8~10粒芯片，封裝成ф5單燈器件，進(jìn)行為96小時壽命試驗(yàn)，其結(jié)果代表本生產(chǎn)批的所有外延片。一般認(rèn)為，試驗(yàn)周期為 1000小時或以上的稱為長期壽命試驗(yàn)。生產(chǎn)工藝穩(wěn)定時，1000小時的壽命試驗(yàn)頻次較低，5000小時的壽命試驗(yàn)頻次可更低。

3、過程與注意事項(xiàng)

對于LED芯片壽命試驗(yàn)樣本，可以采用芯片，一般稱為裸晶，也可以采用經(jīng)過封裝后的器件。采用裸晶形式，外界應(yīng)力較小，容易散熱，因此光衰小、壽命長，與實(shí)際應(yīng)用情況差距較大，雖然可通過加大電流來調(diào)整，但不如直接采用單燈器件形式直觀。采用單燈器件形式進(jìn)行壽命試驗(yàn)，造成器件的光衰老化的因素復(fù)雜，可能有芯片的因素，也有封裝的因素。在試驗(yàn)過程中，采取多種措施，降低封裝的因素的影響，對可能影響壽命試驗(yàn)結(jié)果準(zhǔn)確性的細(xì)節(jié)，逐一進(jìn)行改善，保證了壽命試驗(yàn)結(jié)果的客觀性和準(zhǔn)確性。

3.1樣品抽取方式

壽命試驗(yàn)只能采用抽樣試驗(yàn)的*估辦法，具有一定的風(fēng)險性。首先，產(chǎn)品質(zhì)量具備一定程度的均勻性和穩(wěn)定性是抽樣*估的前提，只有認(rèn)為產(chǎn)品質(zhì)量是均勻的，抽樣才具有代表性;其次，由于實(shí)際產(chǎn)品質(zhì)量上存在一定的離散性，我們采取分區(qū)隨機(jī)抽樣的辦法，以提高壽命試驗(yàn)結(jié)果準(zhǔn)確性。我們通過查找相關(guān)資料和進(jìn)行大量的對比試驗(yàn)，提出了較為科學(xué)的樣品抽取方式：將芯片按其在外延片的位置分為四區(qū)，分區(qū)情況參見圖一所示，每區(qū)2～3粒芯片，共8～10粒芯片，對于不同器件壽命試驗(yàn)結(jié)果相差懸殊，甚至矛盾的情況，我們規(guī)定了加嚴(yán)壽命試驗(yàn)的辦法，即每區(qū)4～6粒芯片，共16～20粒芯片，按正常條件進(jìn)行壽命試驗(yàn)，只是數(shù)量加嚴(yán)，而不是試驗(yàn)條件加嚴(yán);第三，一般地說，抽樣數(shù)量越多，風(fēng)險性越小，壽命試驗(yàn)結(jié)果的結(jié)果越準(zhǔn)確，但是，抽樣數(shù)量越多抽樣數(shù)量過多，必然造成人力、物力和時間的浪費(fèi)，試驗(yàn)成本上升。如何處理風(fēng)險和成本的關(guān)系，一直是我們研究的內(nèi)容，我們的目標(biāo)是通過采取科學(xué)的抽樣方法，在同一試驗(yàn)成本下，使風(fēng)險性下降到最低。

3.2光電參數(shù)測試方法與器件配光曲線

在LED壽命試驗(yàn)中，先對試驗(yàn)樣品進(jìn)行光電參數(shù)測試篩選，淘汰光電參數(shù)超規(guī)或異常的器件，合格者進(jìn)行逐一編號并投入壽命試驗(yàn)，完成連續(xù)試驗(yàn)后進(jìn)行復(fù)測，以獲得壽命試驗(yàn)結(jié)果。為了使壽命試驗(yàn)結(jié)果客觀、準(zhǔn)確，除做好測試儀器的計(jì)量外，還規(guī)定原則上試驗(yàn)前后所采用的是同一臺測試儀測試，以減少不必要的誤差因素，這一點(diǎn)對光參數(shù)尤為重要;初期我們采用測量器件光強(qiáng)的變化來判斷光衰狀況，一般測試器件的軸向光強(qiáng)，對于配光曲線半角較小的器件，光強(qiáng)值的大小隨幾何位置而急劇變化，測量重復(fù)性差，影響壽命試驗(yàn)結(jié)果的客觀性和準(zhǔn)確性，為了避免出現(xiàn)這種情況，采用大角度的封裝形式，并選用無反射杯支架，排除反射杯配光作用，消除器件封裝形式配光性能的影響，提高光參數(shù)測試的精確度，后續(xù)通過采用光通量測量得到驗(yàn)證。

3.3樹脂劣變對壽命試驗(yàn)的影響

現(xiàn)有的環(huán)氧樹脂封裝材料受紫外線照射后透明度降低，是高分子材料的光老化，是紫外線和氧參與下的一系列復(fù)雜反應(yīng)的結(jié)果，一般認(rèn)為是光引發(fā)的自動氧化過程。樹脂劣變對壽命試驗(yàn)結(jié)果的影響，主要體現(xiàn)1000小時或以上長期壽命試驗(yàn)，目前只能通過盡可能減少紫外線的照射，來提高壽命試驗(yàn)結(jié)果的果客觀性和準(zhǔn)確性。今后還可通過選擇封裝材料，或者檢定出環(huán)氧樹脂的光衰值，并將其從壽命試驗(yàn)中排除。

3.4封裝工藝對壽命試驗(yàn)的影響

封裝工藝對壽命試驗(yàn)影響較大，雖然采用透明樹脂封裝，可用顯微鏡直接觀察到內(nèi)部固晶、鍵合等情況，以便進(jìn)行失效分析，但是并不是所有的封裝工藝缺陷都能觀察到，例如：鍵合焊點(diǎn)質(zhì)量與工藝條件是溫度和壓力關(guān)系密切，而溫度過高、壓力太大則會使芯片發(fā)生形變產(chǎn)生應(yīng)力，從而引進(jìn)位錯，甚至出現(xiàn)暗裂，影響發(fā)光效率和壽命。引線鍵合、樹脂封裝引人的應(yīng)力變化，如散熱、膨脹系數(shù)等都是影響壽命試驗(yàn)的重要因素，其壽命試驗(yàn)結(jié)果較裸晶壽命試驗(yàn)差，但是對于目前小功率芯片，加大了考核的質(zhì)量范圍，壽命試驗(yàn)結(jié)果更加接近實(shí)際使用情況，對生產(chǎn)控制有一定參考價值。