海力士與意法半導(dǎo)體為在中國的合資存儲器芯片制造廠舉行落成典禮

全球最大的半導(dǎo)體公司之一意法半導(dǎo)體公司（紐約證券交易所：STM)和另一家大型半導(dǎo)體廠商海力士半導(dǎo)體（Bloomberg:000660KS）今天為在中國江蘇省無錫市合資建立的存儲器芯片前端制造廠舉行了正式的開業(yè)典禮。中國地方及國家領(lǐng)導(dǎo)參加了開業(yè)典禮。
這個技術(shù)先進的新工廠將負責(zé)制造NAND閃存和DRAM存儲器芯片，該合資公司是海力士與意法半導(dǎo)體成功合作的結(jié)晶。合資雙方將獲得規(guī)模經(jīng)濟帶來的巨大的經(jīng)濟效益，將能提前進入飛速增長的中國市場，在制造工藝和產(chǎn)品開發(fā)上實現(xiàn)優(yōu)勢互補。無錫晶圓制造廠將加快意法半導(dǎo)體在NAND閃存市場的前進步伐，同時還將為嵌入式系統(tǒng)廠商提供能夠與閃存疊裝在一起的高性能的具有成本競爭力的DRAM芯片。新工廠將有助于擴大海力士的12英寸生產(chǎn)線的產(chǎn)能，加強其在全球增長速度最快的中國半導(dǎo)體市場上的領(lǐng)先地位。海力士DRAM目前在中國的銷售量居第一位，據(jù)最新的iSupply資料顯示，市場份額約為47%。無錫工廠竣工后，海力士又增加了一個全球制造基地，該公司在美國俄勒岡尤金市還有一家全球制造基地。 
兩家公司于2005年4月為新工廠舉行了奠基儀式，工廠占地面積550,000平方米，無塵潔凈室達到20,000平方米，8英寸和12英寸生產(chǎn)線分別于2006年7月和10月開始量產(chǎn)。目前 DRAM芯片采用 80nm、90nm和110nm制造工藝，90nm和110nm晶圓在8英寸生產(chǎn)線上生產(chǎn)， 80nm晶圓在12英寸生產(chǎn)線上生產(chǎn)。明年年中，兩條生產(chǎn)線除生產(chǎn)現(xiàn)有的DRAM外，還將開始生產(chǎn)工藝先進的NAND閃存。在產(chǎn)能方面，8英寸生產(chǎn)線預(yù)計月產(chǎn)晶圓 50,000片，12英寸生產(chǎn)線的月產(chǎn)量將達到18,000片晶圓。雙方將根據(jù)市場情況分配產(chǎn)品和存儲器密度。
這個合資廠的總投資額為20億美元，意法半導(dǎo)體與海力士半導(dǎo)體的股份比例1/3：2/3，中國本地金融機構(gòu)和意法半導(dǎo)體還為合資公司提供了聯(lián)貸計劃。
該合資公司雇用大約2000名員工，絕大多數(shù)人來自本地勞動力。從新工廠到上海是兩個小時的路程，工廠附近有大量的技術(shù)熟練的勞動力，高度發(fā)達的配套基礎(chǔ)設(shè)施，以及巨大的擴展空間。
“在韓國與歐洲公司的同類合資公司中，這個大型合資企業(yè)可能是最大的，” 意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Carlo Bozotti 表示，“新的合資廠將會給雙方帶來巨大的規(guī)模經(jīng)濟效益，實現(xiàn)雙方在技術(shù)上優(yōu)勢互補。獲得具有成本競爭力的DRAM產(chǎn)品，同時合作開發(fā)NAND產(chǎn)品，將進一步加強ST在封裝級集成市場的領(lǐng)先地位。這項重要技術(shù)是在同一個封裝內(nèi)疊裝多個存儲器芯片，中國乃至全世界的用戶利用這項技術(shù)可以提高存儲器密度和設(shè)備可靠性，同時還能節(jié)省手機等消費電子以及工業(yè)應(yīng)用的電路板空間?！?
 “新的無錫工廠將是中國最大的晶圓生產(chǎn)廠，它進一步加強了ST在全球增長最快的半導(dǎo)體市場中的強有力的市場地位，”意法半導(dǎo)體公司副總裁及大中國區(qū)總經(jīng)理柯明遠先生評價道，“這個項目非常適合我們所作出的對中國市場的承諾，即開發(fā)適合中國本地需求的技術(shù)、產(chǎn)品，并幫助提高本地人員的技術(shù)能力，改善本地基礎(chǔ)設(shè)施的技術(shù)水準(zhǔn)，從而開發(fā)出成本低、品質(zhì)高的存儲器產(chǎn)品，以滿足迅速膨脹的無線通信和消費電子的市場需求?！?
 “手機、數(shù)碼相機以及隨身聽等便攜設(shè)備對存儲容量的需求越來越高，在這種發(fā)展趨勢的拉動下，2005年NAND閃存市場的增長速度達到半導(dǎo)體市場有史以來的最高水平，”意法半導(dǎo)體公司副總裁兼存儲器產(chǎn)品部總經(jīng)理Mario Licciardello表示，“12寸晶圓生產(chǎn)線從60 nm SLC（單級單元） 和MLC（多級單元）NAND技術(shù)快速向55nm以下節(jié)點過渡 ，將有助于我們滿足市場增長，滿足手機及數(shù)字消費市場用戶對高性能和成本低廉的存儲器解決方案的需求?！?nbsp;
 “如果不與ST合作，沒有無錫市政府的支持，我們不可能建成無錫工廠。通過合資公司，海力士相信與ST和無錫市的合作關(guān)系將會得到進一步加強，新工廠有利于兩家公司各自的長遠發(fā)展?！焙Ａκ堪雽?dǎo)體公司董事長兼首席執(zhí)行官禹義濟表示，“我期望無錫工廠將成為海力士建立國際存儲器公司的立足點?！?
 “隨著無錫工廠的竣工落成，海力士建成了一個連接韓國、美國、中國的全球制造網(wǎng)絡(luò)，”海力士半導(dǎo)體公司負責(zé)戰(zhàn)略企劃的高級副總裁兼海力士意法半導(dǎo)體合資公司董事長的權(quán)五哲表示，“合資公司將是海力士維持長遠競爭力的基石?！?
市場調(diào)研公司iSuppli預(yù)計今年DRAM市場的增幅將達到24.4% ，營業(yè)收入將達到309億美元，2006年NAND市場增幅將會達到17% ，營業(yè)收入將達到126億美元。

中國是世界增長最快的半導(dǎo)體市場，目前中國市場占全球市場約15％。據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)的預(yù)測，中國在2008年前將會成為世界最大的半導(dǎo)體市場，市場份額占全球半導(dǎo)體市場的四分之一以上。

關(guān)于海力士半導(dǎo)體:
韓國利川海力士半導(dǎo)體有限公司(HSI)是世界一流的存儲器半導(dǎo)體供應(yīng)商，為全球各類知名的國際客戶提供動態(tài)隨機存取存儲器芯片(DRAM)、靜態(tài)隨機存取存儲器芯片(SRAM)和閃存芯片。公司股票在韓國股票交易所上市，全球信托股票在盧森堡股票交易所上市。詳情登錄海力士公司網(wǎng)站 www.hynix.com.

關(guān)于意法半導(dǎo)體（ST）公司
意法半導(dǎo)體，是微電子應(yīng)用領(lǐng)域中開發(fā)供應(yīng)半導(dǎo)體解決方案的世界級主導(dǎo)廠商。硅片與系統(tǒng)技術(shù)的完美結(jié)合，雄厚的制造實力，廣泛的知識產(chǎn)權(quán)組合(IP)，以及強大的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使意法半導(dǎo)體在系統(tǒng)級芯片(SoC)技術(shù)方面居最前沿地位。在今天實現(xiàn)技術(shù)一體化的發(fā)展趨勢中，ST的產(chǎn)品扮演了一個重要的角色。公司股票分別在紐約股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米蘭股票交易所上市。2005年，公司凈收入88.8億美元，凈收益2.66億美元，詳情請訪問ST網(wǎng)站：www.st.com 或 ST中文網(wǎng)站www.stmicroelectronics.com.cn .

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