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硅襯底LED芯片主要制造工藝

作者: 時間:2011-11-07 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
2.3 關(guān)鍵技術(shù)及創(chuàng)新性

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/168796.htm

  功率型的熱特性直接影響到的工作溫度、發(fā)光效率、發(fā)光波長、使用壽命等,現(xiàn)有的Si襯底的功率型GaN基設(shè)計采用了垂直結(jié)構(gòu)來提高的取光效率,改善了的熱特性,同時通過增大芯片面積,加大工作電流來提高器件的光電轉(zhuǎn)換效率,從而獲得較高的光通量,也因此給功率型LED的封裝設(shè)計、技術(shù)帶來新的課題。功率LED封裝重點是采用有效的散熱與不劣化的封裝材料解決光衰問題。為達到封裝技術(shù)要求,在大量的試驗和探索中,分析解決相關(guān)技術(shù)問題,采用的關(guān)鍵技術(shù)和創(chuàng)新性有以下幾點。

  (1)通過設(shè)計新型陶瓷封裝結(jié)構(gòu),減少了全反射,使器件獲得高取光效率和合適的光學空間分布。

  (2)采用電熱隔離封裝結(jié)構(gòu)和優(yōu)化的熱沉設(shè)計,以適合薄膜芯片的封裝要求。

  (3)采用高導熱系數(shù)的金屬支架,選用導熱導電膠粘結(jié)芯片,獲得低熱阻的良好散熱通道,使產(chǎn)品光衰 ≤5%(1 000 h)。

  (4)采用高效、高精度的熒光膠配比及噴涂,保證了產(chǎn)品光色參數(shù)可控和一致性。

  (5)多層復合封裝,降低了封裝應力,實施SSB鍵合和多段固化制程,提高了產(chǎn)品的可靠性。

  (6)裝配保護二極管,使產(chǎn)品ESD靜電防護提高到8 000 V。

  3 產(chǎn)品測試結(jié)果

  3.1 Si襯底LED芯片

  通過優(yōu)化Si襯底表面的處理和緩沖層結(jié)構(gòu),成功生長出可用于大功率芯片的外延材料。采用Pt電極作為反射鏡,成功實現(xiàn)大功率芯片的薄膜轉(zhuǎn)移。采用銀作為反射鏡,大大提高了反射效率,通過改進反射鏡的設(shè)計并引入粗化技術(shù),提高了光輸出功率。改進了Ag反射鏡蒸鍍前p型GaN表面的清洗和晶片焊接工藝,改善了銀反射鏡的歐姆接觸,量子阱前引入緩沖結(jié)構(gòu),提高了芯片發(fā)光效率,優(yōu)化量子阱/壘界面生長工藝,發(fā)光效率進一步提高,通過改進焊接技術(shù),減少了襯底轉(zhuǎn)移過程中芯片裂紋問題,芯片制備的良率大幅度提高,且可靠性獲得改善。通過上述多項技術(shù)的應用和改進,成功制備出尺寸1 mm×1 mm,350 mA下光輸出功率大于380 mW的藍色發(fā)光芯片,發(fā)光波長451 nm,工作電壓3.2 V,完成課題規(guī)定的指標。表1為芯片光電性能參數(shù)測試結(jié)果。

  

  注:測試條件為350 mA直流,Ta=25℃恒溫。

  3.2 Si襯底LED封裝

  根據(jù)LED的光學結(jié)構(gòu)及芯片、封裝材料的性能,建立了光學設(shè)計模型和軟件仿真手段,優(yōu)化了封裝的光學結(jié)構(gòu)設(shè)計。通過封裝工藝技術(shù)改進,減少了光的全反射,提高了產(chǎn)品的取光效率。改進導電膠的點膠工藝方式,并對裝片設(shè)備工裝結(jié)構(gòu)與精度進行了改進,采用電熱隔離封裝結(jié)構(gòu)和優(yōu)化的熱沉設(shè)計,降低了器件熱阻,提高了產(chǎn)品散熱性能。采用等離子清洗工藝,改善了LED封裝界面結(jié)合及可靠性。針對照明應用對光源的光色特性的不同要求,研究暖白、日光白、冷白光LED顏色的影響因素:芯片參數(shù)、熒光粉性能、配方、用量,并通過改進熒光膠涂覆工藝,提高了功率LED光色參數(shù)的控制能力,生產(chǎn)出與照明色域規(guī)范對檔的產(chǎn)品。藍光和白光LED封裝測試結(jié)果見表2。表中:φ為光通量;K為光效;P為光功率;R為熱阻;μ為光衰;I為飽和電流。

  

  4 結(jié)語

  Si襯底的GaN基LED技術(shù)是國際上第三條LED技術(shù)路線,是LED三大原創(chuàng)技術(shù)之一,與前兩條技術(shù)路線相比,具有四大優(yōu)勢:第一,具有原創(chuàng)技術(shù)產(chǎn)權(quán),產(chǎn)品可銷往國際市場,不受國際專利限制。第二,具有優(yōu)良的性能,產(chǎn)品抗靜電性能好,壽命長,可承受的電流密度高。第三,器件封裝工藝簡單,芯片為上下電極,單引線垂直結(jié)構(gòu),在器件封裝時只需單電極引線,簡化了封裝工藝,節(jié)約了封裝成本。第四,由于Si襯底比前兩種技術(shù)路線使用的藍寶石和SiC價格便宜得多,而且將來生產(chǎn)效率更高,因此成本低廉。


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