一種用于側光式WLED TV背光應用的功率解決方案
電感和電容的設計是獲得快速瞬態(tài)響應性能,以及在led背光應用中實現(xiàn)纖薄設計的關鍵因素之一。由于電感是能量儲存器件,故需要具有低DCR、高飽和電流的薄型電感。此外,為了獲得較低的紋波電流,建議采用較高的電感值。電感值可通過下面的方程式4)計算得出:
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/169035.htm 這里,fs為開關頻率,VOUT為輸出電壓,VIN為輸入電源電壓,ΔIL為電感紋波電流。
輸出電容影響輸出電壓紋波,而較小的輸出電壓紋波可降低水波紋干擾(waterfall noise)。一般而言,輸出電容值越大,輸出紋波電壓就越小。輸出紋波ΔVOUT的計算公式如下所示:
這里,COUT是輸出電容,ESR是輸出端的等效串聯(lián)阻抗。
電源設計的發(fā)展趨勢主要是通過降低損耗來提高效率。電源系統(tǒng)要想獲得高效率,選擇具有低導通阻抗(RDS(ON))和柵極電荷(Qg)特性的開關器件十分重要。飛兆半導體在中壓MOSFET(BVDSS:100 ~ 200V)中引入了新的溝槽技術,使其具有較低的柵極電荷特性和出色的額定導通阻抗,從而能夠降低開關損耗與導通損耗。特別是在應用中,控制MOSFET的開關損耗是提高效率的關鍵所在,因為MOSFET工作在硬開關條件下。飛兆半導體新推出的溝槽技術MOSFET,具有更低的柵極電荷與導通阻抗,針對升壓轉換器進行了充分優(yōu)化。表2顯示了采用FDD86102與采用同類傳統(tǒng)MOSFET的比較結果。
由于柵漏電容(米勒電容)的減小,F(xiàn)DD86102的總柵極電荷相比傳統(tǒng)器件減少了40%。在高頻應用中,柵極電荷減少的一個好處是降低了開關損耗,從而提高了高頻應用的效率。
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