串行E2PROMAT 24C512在單片機(jī)中應(yīng)用

（4）寫操作

寫操作可分為字節(jié)寫和頁寫兩種寫入方式。通常E2PROM的寫入占用一定的寫入時(shí)間，但AT24C512內(nèi)部設(shè)有128字節(jié)的頁寫緩存，使得操作該器件如同操作SRAM一樣方便，頁面緩存使得兩種寫入方式的操作過程相同，區(qū)別僅在于寫入數(shù)據(jù)字節(jié)的多少。下面以字節(jié)寫入為例介紹寫操作過程。

在字節(jié)寫操作模式下，主器件首先給從器件發(fā)送起始信號(hào)和從器件地址信息，在從器件送回應(yīng)答信號(hào)后，主器件在發(fā)送兩字節(jié)的16位地址信息寫入到 AT24C512地址指針，主器件在收到從器件的應(yīng)答信號(hào)后，再發(fā)送1個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)到被尋址的存儲(chǔ)單元，從器件在此應(yīng)答，并在主器件產(chǎn)生停止信號(hào)后開始內(nèi)部數(shù)據(jù)擦寫，在內(nèi)部擦寫過程中，從器件不再應(yīng)答主器件的任何請求，字節(jié)寫入操作時(shí)序如圖2所示。

圖2 字節(jié)寫操作時(shí)序

（5）讀操作

讀操作分為立即讀、隨機(jī)讀和連續(xù)讀。立即讀是在最后操作字節(jié)的地址上加1進(jìn)行讀取，而連續(xù)讀則是在立即讀和隨機(jī)讀起動(dòng)后主器件通過應(yīng)答信號(hào)響應(yīng)完成多個(gè)數(shù)據(jù)的讀取，在主器件發(fā)出停止信號(hào)后結(jié)束讀取過程。下面以隨機(jī)讀為例介紹讀操作過程。

隨機(jī)讀操作允許主器件對(duì)存儲(chǔ)器的任意字節(jié)進(jìn)行讀操作。操作過程為主器件首先發(fā)送起始信號(hào)，從器件地址和欲讀取字節(jié)的地址執(zhí)行1個(gè)偽寫操作，此時(shí)R/W位應(yīng)置0，在AT24C512應(yīng)答后，主器件重新發(fā)送起始信號(hào)和從器件地址，此時(shí)R/W位應(yīng)置1，AT24C512響應(yīng)并發(fā)送應(yīng)答信號(hào)，然后輸出所要求的1個(gè) 8位字節(jié)數(shù)據(jù)。主器件不發(fā)送應(yīng)答信號(hào)，但產(chǎn)生1個(gè)停止信號(hào)。字節(jié)讀操作時(shí)序如圖3所示。

4應(yīng)用

AT24C512與AT89C2051單片機(jī)的硬件連接電路如圖4所示。這里使用了2個(gè)AT24C512組成尋址空間為128K字節(jié)的E2PROM存儲(chǔ)器電路。其中U2的器件地址為A0H，存儲(chǔ)地址空間為0000-0FFFFH；U3的器件地址為A2H，存儲(chǔ)地址空間為0000-0FFFFH。

圖3 字節(jié)讀操作時(shí)序

由于AT89C2051不具有I2C總線，因此采用P1.0和P1.1口線來模擬I2C總線，AT24C512的SDA和SCL為開漏輸出，故接入10kΩ的上拉電阻器。下面是與上述電路配套的E2PROM讀寫程序:
；內(nèi)存數(shù)據(jù)定義
BitCnt DATA 30H;讀/寫數(shù)據(jù)位數(shù)計(jì)數(shù)器
ByteCnt DATA 31H;讀/寫數(shù)據(jù)字節(jié)數(shù)計(jì)數(shù)器
SlvAddr DATA 32H;E2PROM器件地址
SubAdrl DATA 33H;存儲(chǔ)單元地址高8位
SubAdr2 DATA 34H;存儲(chǔ)單元地址低8位
ReadDat DATA 50H;讀操作數(shù)據(jù)緩沖區(qū)
WriteDat DATA 40H;寫操作數(shù)據(jù)緩沖區(qū)
；端口位定義
SDA BIT P1.0;模擬I2C數(shù)據(jù)傳送位
SCL BIT P1.1;模擬I2C時(shí)鐘控制位
ACK BIT 20H;讀非應(yīng)答標(biāo)志
；主程序