聯(lián)電：28nm年底占1%至3%

　　晶圓代工廠聯(lián)電傳出28nm制程良率已突破7成，獲聯(lián)發(fā)科擴(kuò)大下單。聯(lián)電對此不評論，表示28奈米進(jìn)展如預(yù)期，今年底將貢獻(xiàn)1%至3%業(yè)績。

　　聯(lián)電近日在28nm制程良率提升獲重大突破利多激勵(lì)下，股價(jià)表現(xiàn)強(qiáng)勁，今天盤中一度達(dá)新臺(tái)幣13.35元，上漲0.75元，漲幅達(dá)5.95%，并創(chuàng)1個(gè)多月來新高價(jià)。

　　聯(lián)電表示，不評論市場傳言，28nm制程進(jìn)展符合預(yù)期。

　　聯(lián)電執(zhí)行長顏博文于8月法人說明會(huì)中即曾預(yù)期，今年底28奈米制程將貢獻(xiàn)1%至3%業(yè)績;40奈米以下先進(jìn)制程比重第3季可望逼近2成水準(zhǔn)。