剖析Flyback變換器的高頻回路

摘要：通過深入分析Flyback變換器的高頻回路，探討如何通過選擇布線技巧和適當(dāng)?shù)钠骷頊p少高頻回路對變換器性能的影響，如何權(quán)衡采取的布線措施與其它設(shè)計要求相互的沖突。

敘詞：變換器 高頻回路 布線技巧

Abstract：frequency loop of Flyback Convertor, the author discusses how to select wiring strategies and proper components to reduce the negative effect of high-frequency loop towards the function of convertors. The author also probes into ways to balance the adopted wiring strategies and other design strategies.

Keyword：Convertor, High-frequency loop, Wiring strategy

1. 引言

開關(guān)電源的噪聲問題一直是工程師十分頭痛的事情，比如樣機不工作、有音頻噪聲、輸出震蕩或不穩(wěn)定、次諧波震蕩、保護電路總是誤動作、輸出紋波不正常和存在異常的噪聲等。 為解決這些噪聲問題，工程師一般需要花費大量的時間進行測試和調(diào)試，修改設(shè)計，或重新布線，那樣會大大延誤產(chǎn)品的開發(fā)進程。如果能找到一些通用的方法，在設(shè)計過程中預(yù)防或避免出現(xiàn)噪聲問題，那就能大大地加快設(shè)計進程。

本文以應(yīng)用最廣的Flyback變換器為例，通過深入分析高頻回路，探討如何選擇適當(dāng)?shù)钠骷筒季€技巧，來減少高頻回路對變換器性能的影響，如何權(quán)衡采取的布線措施與其它設(shè)計要求相互的沖突。

2. 深入分析高頻回路

圖1為簡化的Flyback變換器的拓撲結(jié)構(gòu)，主要包含有6個高頻回路：(a)為原邊功率回路A、(b)為副邊高頻功率回路B、(c)為鉗位吸收回路C、(d)為驅(qū)動回路D、(e)為輔助繞組回路E，(f)為原邊控制回路F。

圖1 Flyback變換器中的高頻回路:(a)原邊高頻功率回路A;(b)副邊高頻功率回路B;

(c)鉗位吸收回路C;(d)驅(qū)動回路D;(e)輔助繞組回路E;(f)原邊控制回路F。

2.1 原邊功率回路A

圖1(a) 所示，原邊功率回路A由電容C2、變壓器T1原邊、晶體管Q1、采樣電阻RS組成，當(dāng)原邊晶體管Q1導(dǎo)通時，實現(xiàn)變壓器能量的存儲。

A回路高頻電流ip的成分十分復(fù)雜，尤其是開通時的電流尖峰(如圖2所示)，它耦合了其它多個回路的高頻信號。其中容易被忽略的是當(dāng)原邊晶體管Q1導(dǎo)通時，變壓器寄生電容充電產(chǎn)生的電流和二極管D1、D2、D3的反向阻斷恢復(fù)電流會耦合到A回路的高頻電流ip中，對其它回路的影響后面詳述。

圖2回路A高頻電流ip的波形

由于控制芯片的電流采樣電阻也在回路A中，因此，原邊晶體管的開通和關(guān)斷產(chǎn)生的快速dv/dt和di/dt信號會對整體電路工作和EMI產(chǎn)生關(guān)鍵影響。因此，回路A的布線是至關(guān)重要的，回路面積要盡量小，一方面可以減小對其它回路的影響，另一方面也對EMI性能有幫助。由于高壓電解電容C1的體積比較大，使得其很難靠近變壓器T1和晶體管Q1，影響原邊功率回路A面積的大小。而且高壓電解電容C1高頻性能也不好，通常會采用小的薄膜電容C2與高壓電解電容C1并聯(lián)來縮小回路A的面積。

2.2 副邊功率回路B

如圖1(b)所示，副邊高頻功率回路B，由變壓器T1副邊、整流二極管D2、高頻電容C5和電解電容C6組成。當(dāng)原邊晶體管Q1關(guān)斷后，變壓器T1的儲能通過其副邊繞組和整流二極管D2向副邊釋放能量，對電容C5和C6充電。

回路B需要注意的地方，是變壓器T1副邊、整流二極管D2、高頻電容C5和電解電容C6的布線回路面積，尤其是T1副邊、D2和C5間的回路面積應(yīng)盡量小，對二極管D2的關(guān)斷電壓過沖和EMI性能都有幫助。所以，C5一般采用高頻性能很好的瓷片或薄膜電容，以克服電解電容的寄生參數(shù)的影響。

另外，值得一提的是，整流二極管D2的反向恢復(fù)電流和恢復(fù)時間，通常二極管的反向恢復(fù)電流和恢復(fù)時間在高溫下會比常溫高很多倍，甚至超過10倍，那樣會引起很高的關(guān)斷損耗，同時反向恢復(fù)電流會在原邊晶體管Q1導(dǎo)通過程中耦合到原邊A回路中，對控制芯片IC的電流采樣信號產(chǎn)生影響，引起控制不正常。進一步講，很高的關(guān)斷損耗會進一步抬高二極管的溫升，使得二極管的恢復(fù)特性進一步惡化，形成惡性循環(huán)。

2.3 鉗位吸收回路C

如圖1(c)所示，鉗位吸收回路C由變壓器T1原邊、電容C3、電阻R1和二極管D1組成，用于鉗位吸收變壓器T1的漏感能量，減小晶體管Q1的關(guān)斷電壓尖峰。

在設(shè)計中，二極管D1的關(guān)斷性能很容易被忽略。當(dāng)變換器工作在電流連續(xù)模式時，二極管D1的關(guān)斷性能對變換器性能的影響尤為突出。當(dāng)晶體管Q1導(dǎo)通時，C1和C2上的輸入電壓加上C3上的鉗位電壓，會一起加到二極管D1上，從而引起很大的反向恢復(fù)電流(如圖2所示)，導(dǎo)致D1很大的關(guān)斷損耗。如果選用恢復(fù)特性差的快恢復(fù)二極管，會使D1的溫升很高，即使在25℃環(huán)溫下，甚至可以超過125℃。不少廠家在這方面有過不少教訓(xùn)。

因此，在電流連續(xù)模式下，必須選用恢復(fù)特性很好的快恢復(fù)二極管而不是普通的快恢復(fù)二極管FR107等，推薦選擇反向恢復(fù)時間小于75nS的超快恢復(fù)二極管。

2.4 輔助繞組回路D

如圖1(d)所示，輔助繞組回路D由變壓器輔助繞組Na、二極管D3和電容C7組成。

二極管D3往往會選擇開關(guān)二極管(1N4148)或肖特基二極管，由于這些二極管的快速關(guān)斷特性，很容易產(chǎn)生遠高于開關(guān)頻率的高頻振蕩，會影響到變換器的EMI性能，甚至?xí)ㄟ^變壓器繞組耦合到副邊產(chǎn)生額外的輻射。因此，回路D要求有盡量小的回路面積，有時還需要在二極管D3上串一個電阻以抑制高頻振蕩。

2.5 原邊控制回路E

如圖1(e)所示，原邊控制回路E，由控制芯片IC、旁路電容C8和采樣電阻Rs組成。

回路E有兩點需要注意，C8必須盡量靠近控制芯片IC，同時與控制芯片IC的Vcc和接地引腳形成最小回路;采樣電阻Rs到芯片反饋端的回路需要避免和回路A的耦合，采用單點接地的方式與回路A連接。

2.6 驅(qū)動回路F

如圖1f中所示，驅(qū)動回路F，由控制芯片IC、門極驅(qū)動電阻Rgs、晶體管Q1和采樣電阻Rs組成。

當(dāng)原邊晶體管Q1導(dǎo)通時，需要對晶體管Q1的門極充電，在驅(qū)動回路F會產(chǎn)生很大的電流尖峰。這個電流尖峰會耦合到回路A中，如圖2中的高頻電流ip的尖峰，其大小取決于門極電阻Rgs和控制芯片的驅(qū)動阻抗。而且，這個電流尖峰會直接從電容C8上抽取，造成控制芯片IC的Vcc電壓瞬間波動，導(dǎo)致對反饋環(huán)路工作的影響和芯片誤關(guān)斷。因此，晶體管Q1的門極驅(qū)動往往采用不對稱驅(qū)動，即開通慢關(guān)斷快。

如果旁路電容C8沒有緊靠控制芯片IC，晶體管Q1導(dǎo)通時需要的開通尖峰電流，會導(dǎo)致控制芯片IC的電壓瞬間跌落，造成控制芯片IC重起、晶體管在開通過程中的密勒效應(yīng)區(qū)產(chǎn)生振蕩、或反饋控制不正常等怪異現(xiàn)象。

3. 高頻回路的布線技巧

高頻回路的布線需要注意高頻回路面積、地線及其布線、過孔的阻抗和回路間的相互耦合。

⑴ 回路耦合

回路耦合是布線中最需要注意的地方。比如，上述的Flyback高頻回路中，原邊控制回路E放入原邊功率回路A就會引起明顯的耦合干擾，從而引起變換器工作異常。因此，布線時應(yīng)盡量避免回路間的耦合，通常單點接地是常見的避免回路耦合的方法。

⑵ 單點接地(2)

單點接地也稱“Y”型接地，本文提到的Flyback變換器的高頻回路單點接地方式如圖3所示。但實際的布線中通常會有一些器件是多個回路共用的，比如圖1中電流采樣電阻RS就是原邊功率回路A、原邊控制回路E和驅(qū)動回路F的共用器件。在這種情況下，可以通過采樣電阻RS的焊盤處做單點接地連接，以盡量減小回路間的耦合，如圖4所示。

圖3 Flyback變換器的單點接地 圖4共用器件的單點接地

⑶ 地線

地線是高頻回路布線的關(guān)鍵，不僅會影響變換器的正常工作和電氣性能指標(biāo)，還會影響變換器的電磁兼容EMC性能。因此，通常會通過大面積的鋪地來減小接地阻抗，同時可以起到電磁屏蔽的作用。在電源適配器(Adapter)中經(jīng)常采用整塊接地的PCB做屏蔽，或者用接地的金屬薄片包裹電源適配器，起到均勻散熱和電磁屏蔽的作用。在雙面板和多層板中，可以通過整層的地平面來實現(xiàn)大面積接地，同時對均勻散熱也會有很大幫助。

當(dāng)大面積接地不能實現(xiàn)時，盡量能保證地線的寬度>2.54mm，否則只能起到電氣連接的作用，地線的高頻接地阻抗會很高，起不到接地的作用。

另外，地線應(yīng)盡量避免過孔、跳線，當(dāng)?shù)鼐€和其它布線沖突時，應(yīng)優(yōu)先照顧地線，避免單一過孔和跳線。

⑷ 回路面積

在保證電氣絕緣的基礎(chǔ)上，回路面積應(yīng)該越小越好，一方面可以減小對其他回路的耦合，另一方面可以改善變換器的EMI特性。圖5和圖6所示為單面板的高頻回路面積的例子，其中黑線條和箭頭包圍的面積就是回路面積，兩者元器件位置完全相同，但圖4的回路面積就要遠遠大于圖5的回路面積。

圖5大的回路面積 圖6小的回路面積

⑸ 過孔

過孔在多層板中經(jīng)常使用，其寄生參數(shù)會對高頻接地阻抗產(chǎn)生很大影響。過孔寄生參數(shù)包括寄生電容和寄生電感，經(jīng)驗公式如下所示。

其中：T為PCB厚度，e為板材的介電常數(shù)，D1為過孔焊盤直徑，D2為焊盤區(qū)直徑，h為過孔的長度，d為過孔直徑。

在100MHz的頻率下，一個0.254mm的常規(guī)過孔，寄生電感的阻抗可以達到0.64Ohm，如果用于接地又同時有1A電流，就會產(chǎn)生0.64V的壓降，影響接地效果，甚至變換器工作。如果這個過孔在地線上，那會對變換器EMI的接地阻抗產(chǎn)生很大影響。

因此，在布線時，盡量避免通過過孔接地。如不能避免過孔接地，可以通過多個過孔并聯(lián)連接，同時加大過孔直徑，降低接地阻抗。

4. 權(quán)衡與其它設(shè)計要求的沖突

經(jīng)過對Flyback變換器中的高頻回路逐一深入分析，可以發(fā)現(xiàn)布線對變換器的性能是至關(guān)重要的。通過單點接地方式同時減小高頻回路面積，以避免上述高頻回路間的耦合和相互干擾。但實際布線過程中會碰到許多別的設(shè)計要求，使得這些措施很難同時完全做到。下述是常見的實際問題和相應(yīng)的對策。

⑴ 元器件體積

比如變壓器T1的體積、高壓電解電容C1的體積和晶體管Q1散熱片的體積，再考慮電氣絕緣，使得這些器件必須保持一定距離，導(dǎo)致較大的回路面積。當(dāng)這些器件距離不能縮短時，可以考慮通過PCB鋪銅來縮小回路面積，如圖5所示;或者通過跳線在單面板上實現(xiàn)雙面板的效果。多層板可以考慮整層鋪地的方式來減小回路面積，同時減小肌膚效應(yīng)和臨近效應(yīng)的影響。

⑵ 機械結(jié)構(gòu)的要求

通常產(chǎn)品會有外殼、接插件或線纜，為了配合這些結(jié)構(gòu)件，它們對內(nèi)部的元器件布置會有一些特殊的要求，從而導(dǎo)致高頻回路中器件不能按照最小回路面積放置。在這種情況下可以參照圖5的類似方式，通過PCB鋪銅來縮小回路面積。

⑶ 熱平衡的考慮

如果僅從回路面積的角度，就需要將許多發(fā)熱的器件靠得很近，產(chǎn)生局部熱點，比如晶體管Q1、變壓器和副邊二極管D2。如果從產(chǎn)品的溫升角度考慮，需要盡量把發(fā)熱的器件放到最容易散熱的位置，但那樣又會使高頻回路中器件不能按照最小回路面積放置。在這種情況下可以參照圖5的類似方式，通過PCB鋪銅來縮小回路面積，同時就可以保證發(fā)熱器件的散熱。

⑷ 安規(guī)和電氣絕緣的要求

安規(guī)和電氣絕緣的要求，使得不少布線不能靠得很近，導(dǎo)致高頻回路的回路面積不能最小化。通?？梢酝ㄟ^跳線和挖槽來解決安規(guī)絕緣距離要求與回路面積的沖突。

⑸ 生產(chǎn)工藝的要求

通常許多電源的輸入輸出線或插座往往需要通過手工焊接，但為縮小回路面積，PCB版有許多大面積的鋪銅，雖然可以幫助元器件散熱，但同時會導(dǎo)致手工焊點的虛焊。對于表面貼SMT的器件，也容易引起立碑等虛焊現(xiàn)象。為解決虛焊的問題，可以采取花焊盤如圖7所示。

通常每個公司采用的生產(chǎn)設(shè)備都不盡相同，或多或少有相應(yīng)的可生產(chǎn)性規(guī)范(DFM guideline)，對于插件、表面貼和拼版工藝有很多規(guī)定，因此布線還是需要參考這些規(guī)范。

圖7 預(yù)防虛焊的花焊盤

當(dāng)面臨上述沖突時，往往不能兩全，因此需要從優(yōu)先級去分步采取解決措施，甚至是在某方面做出一些犧牲。通常安規(guī)和電氣絕緣是首要滿足的，機械結(jié)構(gòu)的要求次之，熱平衡和生產(chǎn)工藝再做考慮。

5. 總結(jié)

通過上述深入分析Flyback變換器的高頻回路，可以從高頻回路入手，然后采取相應(yīng)的措施，比如布線技巧及合適的器件等措施，來減少高頻回路對變換器性能的影響。

當(dāng)采取的措施相互沖突時，根據(jù)優(yōu)先級進行權(quán)衡，就可以設(shè)計出性價比好，有利于大批量生產(chǎn)的產(chǎn)品。

參考文獻

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作者簡介

黃敏超，男，1998年浙江大學(xué)電力電子專業(yè)博士研究生畢業(yè)，其間進行太陽能微型高頻鏈逆變器的研究。曾任職于伊博電源(杭州)有限公司研發(fā)部經(jīng)理，從事DC/DC模塊和高功率密度節(jié)能電源適配器的開發(fā);通用電氣全球研發(fā)中心電力電子實驗室高級工程師，研發(fā)核磁共振影像儀用的線圈驅(qū)動電源;晟朗電力電子有限公司亞太區(qū)工程副總經(jīng)理，從事醫(yī)療電源的研發(fā)。現(xiàn)任職上海正遠咨詢有限公司總經(jīng)理及資深咨詢師，從事電力電子產(chǎn)品、EMC和可靠性等疑難問題的技術(shù)咨詢和研發(fā)，提供研發(fā)設(shè)計體系和團隊建設(shè)服務(wù)?！?/p>