THS4271集成電路實(shí)驗(yàn)特性及其應(yīng)用

作者：時(shí)間：2012-06-25 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)

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3 測(cè)試電路，數(shù)據(jù)及分析
3．1 輸入失調(diào)電壓測(cè)量
失調(diào)電壓測(cè)試電路原理圖如圖2所示。閉合開(kāi)關(guān)S1及S2(實(shí)驗(yàn)時(shí)用導(dǎo)線代替)，使電阻Ra短接，測(cè)量此時(shí)的輸出電壓UO即為輸出失調(diào)電壓，換算到輸入端，可得輸入失調(diào)電壓UIO=R1·UO／(R1+Rf)，經(jīng)實(shí)驗(yàn)測(cè)量UO=385 mV，帶入上式可得UIO=3．85mV。

本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/176881.htm

3．2 輸入失調(diào)電流測(cè)量
輸入失調(diào)電流IIO的大小反映了運(yùn)放內(nèi)部差動(dòng)輸入級(jí)兩個(gè)晶體管β的適配度，由于IB1和IB2本身的數(shù)值很小(大約在微安級(jí)別)，因此他們的差值通常不是直接測(cè)量的，測(cè)試電路原理如圖2所示。
IIO的測(cè)量分兩步：
1)閉合開(kāi)關(guān)S1和S2，在低輸入電阻下，測(cè)出輸出電壓為UO1，其中UO1=(R1+Rf)·UIO／R1，如前所述，這就是由輸入失調(diào)電壓UIO引起的輸出電壓。
2)斷開(kāi)S1和S2，兩個(gè)輸入電阻RB接入電路，測(cè)得此時(shí)的輸出電壓為UO2。由于RB阻值較大，流經(jīng)它們的輸入電流IB1、IB2的差異將變成輸入電壓的差異，即IIO·RB=|IB1-IB2|·RB，考慮同時(shí)存在的輸入失調(diào)電壓的影響，可得UO2=(UIO+IIO·RB)·(R1+RF)／R2。
綜上所述，將兩次測(cè)得的數(shù)據(jù)UO1=0．392 V和UO2=0．693 V代入IIO=(UO2-UO1)·R1／RB(R1+Rf)，即可得到電路的輸入失調(diào)電流IIO=11 1．16 nA。
3．3 共模抑制比測(cè)量
共模抑制比測(cè)量電路如圖3所示。集成運(yùn)放在閉環(huán)狀態(tài)下的差模電壓放大倍數(shù)為Ad=Rf／R1，當(dāng)接入共模輸入信號(hào)幅值為UiC時(shí)，測(cè)得輸出幅值為UOC，則共模電壓放大倍數(shù)為Ac=UOC／UIC，得到共模抑制比CMRR=Ad／AC=Rf·UIC／(R1·UOC)。實(shí)驗(yàn)測(cè)得，Ac=2.4，則CMRR=32.4 dB。