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改善開(kāi)關(guān)電流電路主要誤差的方法

作者: 時(shí)間:2012-06-07 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

4 仿真及結(jié)果

  采用0.5 pm標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字CMOS工藝對(duì)圖6仿真,仿真參數(shù)如表1所示:

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/177007.htm

  

  所有NMOS襯底接地,所有PMOS襯底接電源。所有管寬長(zhǎng)比均為0.5/μm/0.5 μm。輸入信號(hào)為振幅50μA,頻率200 kHz的正弦信號(hào),時(shí)鐘頻率5 MHz,V ref一2.4 V,VDD=5 V。表1中給出了晶體管仿真參數(shù)。HSpice仿真結(jié)果見(jiàn)圖7(a)。對(duì)圖1中第二代基本存儲(chǔ)單元仿真結(jié)果見(jiàn)圖7(b)。

  從圖7中可以看出,調(diào)整型共源共柵結(jié)構(gòu)S2I大大提高了精度。圖8(a)是圖7的放大圖,圖8(b)是Matlab中的理想波形。從圖8(a)可以看出,在A點(diǎn)時(shí),輸出斷開(kāi),輸入閉合,輸出變?yōu)榱?。在AB區(qū)間內(nèi),輸入信號(hào)對(duì)存儲(chǔ)管的寄生電容充電。在B點(diǎn),輸出開(kāi)關(guān)閉合,輸入開(kāi)關(guān)斷開(kāi),輸出為B點(diǎn)的值,半個(gè)時(shí)鐘周期后,在C點(diǎn),輸出開(kāi)關(guān)斷開(kāi),輸入開(kāi)關(guān)閉合,繼續(xù)重復(fù)上一周期對(duì)輸入電流的采樣一保持。整個(gè)全由MOS管構(gòu)成,依靠晶體管的柵極寄生電容對(duì)輸入信號(hào)采樣一保持,所以可以與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字CMOS工藝兼容,與數(shù)字電路集成在1塊芯片上。與Matlab中的理想波形對(duì)比后可以看出此電路的性能相當(dāng)精確。

  

  5 結(jié) 語(yǔ)

  與開(kāi)關(guān)電容電路相比,開(kāi)關(guān)電流電路不需要線性浮置電容,能夠與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字CMOS工藝兼容。但是由于的存在,至今無(wú)法完全取代開(kāi)關(guān)電容電路。這里分析了開(kāi)關(guān)電流電路中的時(shí)鐘饋通與傳輸,并提出了解決辦法,從仿真結(jié)果可以看出改進(jìn)后的電路性能大大提高,精確完成了對(duì)輸人信號(hào)的采樣一保持。

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