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電源完整性設(shè)計2

作者: 時間:2012-02-07 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

封裝的選擇,只要加工能力允許,當(dāng)然越小越好,這樣可以得到更低的ESL,也可以留出更多的布線空間。但不同封裝,電容諧振頻率點(diǎn)不同,容值范圍也不同,可能影響到最終的電容數(shù)量。因此,電容封裝尺寸、容值要聯(lián)合考慮??傊罱K目標(biāo)是,用最少的電容達(dá)到目標(biāo)阻抗要求,減輕安裝和布線的壓力。

(15)電容的去耦半徑

電容去耦的一個重要問題是電容的去耦半徑。大多數(shù)資料中都會提到電容擺放要盡量靠近芯片,多數(shù)資料都是從減小回路電感的角度來談這個擺放距離問題。確實(shí),減小電感是一個重要原因,但是還有一個重要的原因大多數(shù)資料都沒有提及,那就是電容去耦半徑問題。如果電容擺放離芯片過遠(yuǎn),超出了它的去耦半徑,電容將失去它的去耦的作用。

理解去耦半徑最好的辦法就是考察噪聲源和電容補(bǔ)償電流之間的相位關(guān)系。當(dāng)芯片對電流的需求發(fā)生變化時,會在平面的一個很小的局部區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生電壓擾動,電容要補(bǔ)償這一電流(或電壓),就必須先感知到這個電壓擾動。信號在介質(zhì)中傳播需要一定的時間,因此從發(fā)生局部電壓擾動到電容感知到這一擾動之間有一個時間延遲。同樣,電容的補(bǔ)償電流到達(dá)擾動區(qū)也需要一個延遲。因此必然造成噪聲源和電容補(bǔ)償電流之間的相位上的不一致。

特定的電容,對與它自諧振頻率相同的噪聲補(bǔ)償效果最好,我們以這個頻率來衡量這種相位關(guān)系。設(shè)自諧振頻率為f,對應(yīng)波長為1212.gif,補(bǔ)償電流表達(dá)式可寫為:

3.gif

其中,A是電流幅度,R為需要補(bǔ)償?shù)膮^(qū)域到電容的距離,C為信號傳播速度。

當(dāng)擾動區(qū)到電容的距離達(dá)到4.gif時,補(bǔ)償電流的相位為5.gif,和噪聲源相位剛好差180度,即完全反相。此時補(bǔ)償電流不再起作用,去耦作用失效,補(bǔ)償?shù)哪芰繜o法及時送達(dá)。為了能有效傳遞補(bǔ)償能量,應(yīng)使噪聲源和補(bǔ)償電流的相位差盡可能的小,最好是同相位的。距離越近,相位差越小,補(bǔ)償能量傳遞越多,如果距離為0,則補(bǔ)償能量百分之百傳遞到擾動區(qū)。這就要求噪聲源距離電容盡可能的近,要遠(yuǎn)小于6.gif。實(shí)際應(yīng)用中,這一距離最好控制在7.gif之間,這是一個經(jīng)驗數(shù)據(jù)。

例如:0.001uF陶瓷電容,如果安裝到電路板上后總的寄生電感為1.6nH,那么其安裝后的諧振頻率為125.8MHz,諧振周期為7.95ps。假設(shè)信號在電路板上的傳播速度為166ps/inch,則波長為47.9英寸。電容去耦半徑為47.9/50=0.958英寸,大約等于2.4厘米。



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