開(kāi)關(guān)電源中浪涌電流抑制模塊的應(yīng)用

　　3.1 帶有限流電阻的上電浪涌電流抑制模塊

　　將功率電子開(kāi)關(guān)（可以是MOSFET或SCR）與控制電路封裝在一個(gè)相對(duì)很小的模塊（如400W以下為25mm×20mm×11mm）中，引出3～4個(gè)引腳，外接電路如圖6（a）所示。整流器上電后最初一段時(shí)間，外接限流電阻抑制上電浪涌電流，上電浪涌電流結(jié)束后，模塊導(dǎo)通將限流電阻短路，這樣的上電過(guò)程的輸入電流波形如圖6（b）所示。很顯然上電浪涌電流峰值被有效抑制，這種上電浪涌電流抑制模塊需外接一限流電阻，用起來(lái)很不方便，如何將外接電阻省掉將是電源設(shè)計(jì)者所希望的。

　　3.2 無(wú)限流電阻的上電浪涌電流抑制模塊

　　有人提出一種無(wú)限流電阻的上電浪涌電流抑制電路如圖7（a）所示，其上電電流波形如圖7（b）所示，其思路是將電路設(shè)計(jì)成線形恒流電路。實(shí)際電路會(huì)由于兩極放大的高增益而出現(xiàn)自激振蕩現(xiàn)象，但不影響電路工作。從原理上講，這種電路是可行的，但在使用時(shí)則有如下問(wèn)題難以解決：如220V輸入的400W開(kāi)關(guān)電源的上電電流至少需要達(dá)到4A，如上電時(shí)剛好是電網(wǎng)電壓峰值，則電路將承受4×220×=1248W的功率。不僅遠(yuǎn)超出IRF840的125W額定耗散功率，也遠(yuǎn)超出IRFP450及IRFP460的150W額定耗散功率，即使是APT的線性MOSFET也只有450W的額定耗散功率。因此，如采用IRF840或IRFP450的結(jié)果是，MOSFET僅能承受有限次數(shù)的上電過(guò)程便可能被熱擊穿，而且從成本上看，IRF840的價(jià)格可以接受，而IRFP450及IRFP460則難以接受，APT的線性MOSFET更不可能接受。

　　欲真正實(shí)現(xiàn)無(wú)限流電阻的上電浪涌電流抑制模塊，需解決功率器件在上電過(guò)程的功率損耗問(wèn)題。作者推出的另一種上電浪涌電流抑制模塊的基本思想是，使功率器件工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，從而解決了功率器件上電過(guò)程中的高功率損耗問(wèn)題，而且電路簡(jiǎn)單。電路如圖8（a）和圖8（b）所示，上電電流波形如圖8（c）所示。

　　3.3 測(cè)試結(jié)果

　　A模塊在400W開(kāi)關(guān)電源中應(yīng)用時(shí)，外殼溫升不大于40℃，允許間隔20ms的頻繁重復(fù)上電，最大峰值電流不大于20A，外形尺寸25mm×20mm×11mm或　　35mm×25mm×11mm。

　　B模塊和C模塊用于800W的額定溫升不大于40℃，重復(fù)上電時(shí)間間隔不限，上電峰值電流為正常工作時(shí)峰值電流的3～5倍，外形尺寸35mm×30mm×11mm或者50mm×30mm×12mm。

　　模塊的鋁基板面貼在散熱器上，模塊溫度不高于散熱器5℃。

　　4 結(jié)語(yǔ)

　　開(kāi)關(guān)電源上電浪涌電流抑制模塊的問(wèn)世，由于其外接電路簡(jiǎn)單，體積小給開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)者帶來(lái)了極大方便，特別是無(wú)限流電阻方案，國(guó)內(nèi)外尚未見(jiàn)到相關(guān)報(bào)道。同時(shí)作者也將推出其它沖擊負(fù)載（如交流電機(jī)及各種燈類等）的上電浪涌電流抑制模塊。