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基于一種IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)方案

作者: 時(shí)間:2011-09-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

1)向提供適當(dāng)?shù)恼驏艍?。并且?a class="contentlabel" href="http://m.butianyuan.cn/news/listbylabel/label/IGBT">IGBT導(dǎo)通后。柵極提供給電壓和電流要有足夠的幅度,使IGBT的功率輸出級總處于飽和狀態(tài)。瞬時(shí)過載時(shí),柵極提供的驅(qū)動功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān),在漏源電流一定的情況下,VGE越高,VDS儺就越低,器件的導(dǎo)通損耗就越小,這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是, VGE并非越高越好,一般不允許超過20 V,原因是一旦發(fā)生過流或短路,柵壓越高,則電流幅值越高,IGBT損壞的可能性就越大。通常,綜合考慮取+15 V為宜。

  2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關(guān)斷期間,由于中其他部分的工作,會在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號,這些信號輕則會使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài),增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此,最好給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向柵壓f幅值一般為5~15 V),使IGBT在柵極出現(xiàn)開關(guān)噪聲時(shí)仍能可靠截止。

  3)具有柵極電壓限幅電路,保護(hù)柵極不被擊穿。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V,驅(qū)動信號超出此范圍就可能破壞柵極。

  4)由于IGBT多用于高壓場合。要求有足夠的輸人、輸出電隔離能力。所以驅(qū)動電路應(yīng)與整個(gè)控制電路在電位上嚴(yán)格隔離,一般采用高速光耦合隔離或變壓器耦合隔離。

  5)IGBT的柵極驅(qū)動電路應(yīng)盡可能的簡單、實(shí)用。應(yīng)具有IGBT的完整保護(hù)功能,很強(qiáng)的抗干擾能力,且輸出阻抗應(yīng)盡可能的低。

  2.3 驅(qū)動電路的

  隔離驅(qū)動產(chǎn)品大部分是使用光電耦合器來隔離輸入的驅(qū)動信號和被驅(qū)動的絕緣柵,采用厚膜或PCB工藝支撐,部分阻容元件由引腳接入。這種產(chǎn)品主要用于IGBT的驅(qū)動,因IGBT具有電流拖尾效應(yīng),所以光耦驅(qū)動器無一例外都是負(fù)壓關(guān)斷。

  M57962L是日本三菱電氣公司為驅(qū)動IGBT的厚膜集成電路,實(shí)質(zhì)是隔離型放大器,采用光電耦合方法實(shí)現(xiàn)輸入與輸出的電氣隔離,隔離電壓高達(dá)2 500 V,并配置了短路/過載保護(hù)電路。

  M57962L可分別驅(qū)動600 V/200 A和600 V/400 A級IGBT模塊,具有很高的性價(jià)比。本次課題中選用的IGBT最大電流400 A考慮其他隔離要求及保護(hù)措施,選用了M57962L設(shè)計(jì)了一種IGBT驅(qū)動電路。

  圖1為M57962L內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖,采用光耦實(shí)現(xiàn)電氣隔離,光耦是快速型的,適合高頻開關(guān)運(yùn)行,光耦的原邊已串聯(lián)限流電阻(約185 Ω),可將5 V的電壓直接加到輸入側(cè)。它采用雙電源驅(qū)動結(jié)構(gòu),內(nèi)部集成有2 500 V高隔離電壓的光耦合器和過電流保護(hù)電路、過電流保護(hù)輸出信號端子和與TTL電平相兼容的輸入接口,驅(qū)動電信號延遲最大為1.5us。

  

圖1 M57962L的結(jié)構(gòu)框圖

  圖1 M57962L的結(jié)構(gòu)框圖

  當(dāng)單獨(dú)用M57962L來驅(qū)動IGBT時(shí)。有三點(diǎn)是應(yīng)該考慮的。首先。驅(qū)動器的最大電流變化率應(yīng)設(shè)置在最小的RG電阻的限制范圍內(nèi),因?yàn)閷υS多IGBT來講,使用的RG 偏大時(shí),會增大td(on )(導(dǎo)通延遲時(shí)間), t d(off) (截止延遲時(shí)間),tr(上升時(shí)間)和開關(guān)損耗,在高頻應(yīng)用(超過5 kHz)時(shí),這種損耗應(yīng)盡量避免。另外。驅(qū)動器本身的損耗也必須考慮。

  如果驅(qū)動器本身損耗過大,會引起驅(qū)動器過熱,致使其損壞。最后,當(dāng)M57962L被用在驅(qū)動大容量的IGBT時(shí),它的慢關(guān)斷將會增大損耗。引起這種現(xiàn)象的原因是通過IGBT的Gres(反向傳輸電容)流到M57962L柵極的電流不能被驅(qū)動器吸收。它的阻抗不是足夠低,這種慢關(guān)斷時(shí)間將變得更慢和要求更大的緩沖電容器應(yīng)用M57962L設(shè)計(jì)的驅(qū)動電路見圖2。

  

圖2 IGBT驅(qū)動電路

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