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雙管正激參數(shù)及控制環(huán)路的SABER仿真設計

作者: 時間:2011-09-19 來源:網(wǎng)絡 收藏
(2)濾波電容

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/178627.htm

  濾波電容的容量分以下兩種情況討論:

 ?、俨捎闷胀ǖ匿X電解電容,根據(jù)文獻[3],此類電容在開關頻率低于500kHz,且RoCo大于開關管的關斷和導通時間的一半時,輸出紋波僅由ESR(Ro)決定。

  

  此方法隨技術的進步變得不合實際,最好從廠家或測試得到電容的ESR值。

 ?、跒V波電容采用零ESR或低ESR電容,自身阻容形成的零點(1/2πRest×C)較高,但對的影響不大;若低ESR值的電容采用大容量,其自身阻容形成的零點使得在帶寬附近的高頻衰減不夠,可能引起振蕩,增加補償器的難度。如圖3、圖4所示。

  

  考慮電容的發(fā)熱影響壽命,取22μF。

  電容的ESR值的最大值為

  ESR(max)=△U/△I=0.1/l=0.1 Ω

  ESR超過0.1Ω,紋波電壓會增加。

  

  4 使用對開環(huán)

  在中建立平均模式激的模型,如圖5所示。

  下表為圖5模型使用的主要模塊及

  

  

SABER中建立平均模式雙管正激的模型

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