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基于CMOS工藝的鋰聚合物電池保護(hù)電路設(shè)計

作者： 時間：2011-09-09 來源：網(wǎng)絡(luò) 收藏
過放電檢測電路(VD2)可利用一個二級開環(huán)比較器來實現(xiàn)，如圖2所示。在設(shè)計中應(yīng)采用差分輸入并盡可能地提高增益，以滿足精度要求。該電路中，第一級是由MN1,MN2,MP1,MP2,MN3,MN4組成的差分放大器。第二級是由MP5,MN5組成的單級放大器。前級放大器放大輸入的差模信號，后一級將前級的輸出進(jìn)一步放大，以達(dá)到數(shù)字信號的輸出電平。該比較器電路的直流增益為：

本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/178653.htm

　　

　　同時，還必須考慮諸如傳輸時延、輸出電壓擺率、輸入共模范圍等性能。鑒于大的偏置電流和小的電容可使擺率得到改善，縮短延遲時間，因此可通過加大偏置電流而達(dá)到高速。但是，一般而言，高速比較器也會有較高的功耗。因此在設(shè)計時必須在功耗與速度之間進(jìn)行折衷。相對于處于飽和區(qū)的比較器而言，工作在亞閾值區(qū)的比較器的延遲時間顯著增長，這主要是由于工作在亞閾值區(qū)的偏置電流較小，電容充放電需要更長的時間，從而使得延遲時間變長。該比較器具有與差動放大器類似的ICMR(輸入共模范圍)，其最低輸入電壓應(yīng)小于過放電檢測基準(zhǔn)電壓。

　　

　　3.2　偏置電路設(shè)計

　　偏置電路用于為檢測電路提供穩(wěn)定、高精度的基準(zhǔn)電壓，從而檢測過充電、過放電、放電過電流等狀態(tài)。本論文中設(shè)計了一種低功耗基準(zhǔn)電路，示于圖3。

　　

低功耗基準(zhǔn)電路

　　圖3　低功耗基準(zhǔn)電路



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