MOSFET與MOSFET驅(qū)動電路原理及利用

　　3、MOS開關(guān)管耗損
　　不管是NMOS還是PMOS，導通后都有導通電阻存在，因而在DS間流過電流的同時，兩端還會有電壓(如2SK3418特征圖所示)，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。挑選導通電阻小的MOS管會減小導通損耗?，F(xiàn)在的小功率MOS管導通電阻通常在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。
　　MOS在導通和截止的時候，必須不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個降低的流程，流過的電流有一個上升的流程，在這段時間內(nèi)，MOS管的耗損是電壓和電流的乘積，叫做開關(guān)耗損。通常開關(guān)耗損比導通耗損大得多，并且開關(guān)頻率越快，耗損也越大。
　　下圖是MOS管導通時的波形。可以看出，導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的耗損也就很大。降低開關(guān)時間，可以減小每次導通時的耗損；降低開關(guān)頻率，可以減小單位時間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種方法都可以減小開關(guān)耗損。

　　4、MOS管驅(qū)動
　　跟雙極性晶體管相比，通常認為使MOS管導通不須要電流，只要GS電壓高于必須的值，就可以了。這個很基本 做到，但是，咱們還須要速度。
　　在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電須要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。挑選 /設(shè)計MOS管驅(qū)動時第一要留心的是可提供瞬間短路電流的大小。
　　第二留心的是，普遍用于高端驅(qū)動的NMOS，導通時須要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。假如在同一個系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。許多馬達驅(qū)動器都集成了電荷泵，要留心的是應(yīng)該挑選合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動MOS管。
　　上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設(shè)計時當然須要有必須的余量。并且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小?，F(xiàn)在也有導通電壓更小的MOS管用在不一樣的領(lǐng)域里，但在12V汽車電子系統(tǒng)里，通常 4V導通就夠用了。
　　MOS管的驅(qū)動電路及其耗損，可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。講述得很細致，所以不打算多寫了。
　　5、MOS管運用 電路
　　MOS管最顯著的特征是開關(guān)特征好，所以被廣泛運用 在須要電子開關(guān)的電路中，多見的如開關(guān)電源和馬達驅(qū)動，也有照明調(diào)光。這三種運用 在各個領(lǐng)域都有細致的推選 ，這里暫時不多寫了。以后有時間再總結(jié)。