一種帶熱滯回功能的CMOS溫度保護電路
2 仿真結(jié)果及分析
以下是對各部分電路進行仿真的結(jié)果,仿真工具是Candence Spectre,模型采用華潤上華公司的0.5μm的n阱CMOS工藝。
圖2是PTAT電流隨溫度變化曲線。仿真結(jié)果表明,該曲線線性度較好,符合PTAT電流特性。常溫下,在電源為5 V的情況下,功耗僅為0.4 mW。可見,其功耗非常低。本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/181136.htm
圖3是在電源電壓為5 V時,VR和VQ隨溫度變化的曲線。圖中,VR上的電壓有一個小的階躍,是因為在比較器翻轉(zhuǎn)時由于正反饋的作用電流突然增大的結(jié)果。
圖4是溫度分別從0~150℃和150~0℃掃描時比較器輸出狀態(tài)的變化。由圖可見,當(dāng)溫度由低到高上升至84.1℃時,電路輸出狀態(tài)由低電平翻轉(zhuǎn)成高電平,實現(xiàn)了芯片的過溫保護;只有當(dāng)溫度回落到72℃時,電路才恢復(fù)原狀態(tài),實現(xiàn)了約12℃的滯回溫度。改變圖1中R2的阻值可以調(diào)節(jié)溫度范圍,以滿足不同的需求。
3 結(jié) 語
為保證芯片在工作時不因溫度過高而被損壞,溫度保護電路是必須的。這里所設(shè)計的溫度保護電路對溫度靈敏性高,功耗低,其熱滯回功能能有效防止熱振蕩現(xiàn)象的發(fā)生,相比一般單獨使用晶體管BE結(jié)的溫度保護電路具有更高的靈敏度和精度,可廣泛用于各種功率芯片內(nèi)部。
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