大功率弧焊逆變電源的IGBT保護(hù)技術(shù)

摘要：本文通過(guò)分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū)，解釋了在實(shí)際應(yīng)用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結(jié)合單片機(jī)的控制程序?qū)『?a class="contentlabel" href="http://m.butianyuan.cn/news/listbylabel/label/逆變電源">逆變電源的IGBT采取相應(yīng)措施進(jìn)行保護(hù)，從而確保了IGBT安全可靠的工作。 敘詞：IGBT　保護(hù)　弧焊 Abstract：The reasons of IGBT damaged in application are explained by analyzing structure and safety work areas of IGBT. The fitting measures to protection to the IGBT of the arc-welding inverter power are also carried by using the hardware electric circuit and the controlling procedures of singlechip. These measures above are proved to be effective Keyword：IGBT protection the arc-welding
1　引 言

　　弧焊逆變電源廣泛應(yīng)用于造船、機(jī)械、汽車、電力、化工、石油、輕工業(yè)、航天、國(guó)防工業(yè)等部門。近年來(lái)大功率電力電子器件IGBT以其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)受到眾多廠家的青睞，并逐步應(yīng)用于現(xiàn)代弧焊逆變電源中。然而弧焊逆變電源工作環(huán)境惡劣，其負(fù)載決定了其工作電流變化劇烈，如果我們對(duì)IGBT性能和特點(diǎn)存在模糊認(rèn)識(shí)并且在控制方法和保護(hù)技術(shù)等方面未采取有效的措施，則很有可能會(huì)損壞IGBT，從而使人們開始懷疑IGBT的質(zhì)量是否真正符合資料上所列出的各項(xiàng)參數(shù)。本文針對(duì)以上問(wèn)題介紹了一種應(yīng)用電路硬件保護(hù)和單片機(jī)控制程序保護(hù)相結(jié)合的方法來(lái)對(duì)IGBT進(jìn)行有效的保護(hù)。

2．IGBT 的工作原理

2.1　IGBT結(jié)構(gòu)

　　IGBT結(jié)構(gòu)上與MOSFET十分相似，只是多了一個(gè)

層，引出作為發(fā)射極，柵極、集電極與MOSFET完全相似。其簡(jiǎn)化等效電路如圖1所示。

圖1

　　IGBT的工作原理：IGBT由柵極電壓正負(fù)來(lái)控制。當(dāng)加上正柵極電壓時(shí)，絕緣柵下形成溝道，MOSFET導(dǎo)通，相當(dāng)于

接到E，為PNP晶體管提供了流動(dòng)的基極電流，從而使PNP管（即整個(gè)IGBT）導(dǎo)通。當(dāng)加上負(fù)柵極電壓時(shí)，IGBT工作過(guò)程相反，形成關(guān)斷。

2.2　IGBT安全工作區(qū)

　　在IGBT開關(guān)過(guò)程中，大電流和大電壓的重疊造成主要的功耗，同時(shí)承受較高的di/dt和dv/dt即電流電壓應(yīng)力。特別是運(yùn)行在PWM硬開關(guān)狀態(tài)下，這是影響可靠性的重要原因。為了保證其安全可靠的工作，不僅有電流電壓的限制，還必需使其動(dòng)態(tài)過(guò)程的運(yùn)行軌跡在安全工作區(qū)內(nèi)。如圖2所示，正偏安全工作區(qū)FBSOA是指柵極加正向電壓時(shí)的安全工作區(qū)，對(duì)應(yīng)于導(dǎo)通狀態(tài)。三條邊界分別對(duì)應(yīng)允許電流、允許電壓和允許功耗。隨著導(dǎo)通時(shí)間增長(zhǎng)，功耗和溫升增加，安全工作區(qū)縮小。