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高頻開關(guān)電源的EMC設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2009-06-18 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

0 引 言
目前,在計(jì)算機(jī)及外圍設(shè)備、通信、自動(dòng)控制、家用電器等領(lǐng)域中大量使用,但的突出缺點(diǎn)是能產(chǎn)生較強(qiáng)的(Electro Magnet-ic Interference,EMI)。
由于的一次整流橋是非線性器件,其形成的電流是嚴(yán)重失真的正弦半波,含有豐富的高次諧波,形成了一系列連續(xù)、脈動(dòng)和瞬變干擾。因此,在中必須考慮性(Electro Magnet-ic Compatbility,)的
電網(wǎng)完全在自然環(huán)境中,連接著各種電子電氣設(shè)備,有著復(fù)雜的電磁轉(zhuǎn)換過程,可能會(huì)引起一些問題:外來噪聲使設(shè)備的控制電路出現(xiàn)誤動(dòng)作;通信設(shè)備由于設(shè)備的噪聲而出現(xiàn)誤動(dòng)作;高頻開關(guān)電源設(shè)備對電網(wǎng)產(chǎn)生噪聲污染;高頻開關(guān)電源設(shè)備向空間散發(fā)噪聲。
根據(jù)上述情況,針對高頻開關(guān)電源存在的缺點(diǎn),在此對其電路及(Printed Circuit Board,PCB)進(jìn)行了性的研究。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/181385.htm


1 高頻開關(guān)電源的設(shè)計(jì)
1.1 高頻開關(guān)電源主電路組成
高頻開關(guān)電源主電路組成框圖如圖1所示,它由輸入濾波電路、高頻逆變電路、輸出整流電路及輸出直流濾波電路等組成。

1.2 輸入濾波電路的設(shè)計(jì)
輸入濾波電路的EMC設(shè)計(jì)如圖2所示。

VD2為瞬態(tài)電壓抑制二極管,Rv1為壓敏電阻,它們都具有很強(qiáng)的瞬變浪涌吸收能力,能很好地保護(hù)后級元?dú)饧螂娐访庠饫擞侩妷旱钠茐?。Z1為直流抗濾波器,必須良好接地,且接地線要短。L1和C1組成低通濾波電路,當(dāng)L1的電感量較大時(shí),必須增加VD1和R1形成續(xù)流回路,以吸收L1斷開時(shí)釋放時(shí)的電場能量,否則,L1產(chǎn)生的電壓尖峰就會(huì)形成EMI。L1的磁芯使用閉合磁芯,可以避免開環(huán)磁芯的漏磁場形成EMI。C1采用大容量的電容,可以減少輸入線上的紋波電壓,減弱在輸入導(dǎo)線周圍形成的電磁場。
1.3 高頻逆變電路的EMC設(shè)計(jì)
高頻逆變電路的EMC設(shè)計(jì)如圖3所示。

C2,C3,VT2,VT3組成半橋逆變電路,VT2,VT3為IGBT或MOSFET等開關(guān)管。R4和C4構(gòu)成EMI吸收回路,或在VT2,VT3兩端并聯(lián)C5,C6,由于VT2,VT3開通和關(guān)斷時(shí),開關(guān)時(shí)間很短以及引線電感、變壓器漏感的存在,回路會(huì)產(chǎn)生較高的di/dt,du/dt,從而形成EMI。C4,C5,C6采用低感電容,其容量的大小由公式LI2/2=C△U2/2求得C的值(L為回路電感,I為回路電流,△U為過沖電壓值)。


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