中芯國(guó)際推出差異化的0.13微米低功耗嵌入式工藝

　　中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(中芯國(guó)際，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯(lián)交所代碼：981)，中國(guó)內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)宣布，其0.13微米低功耗(LL)的嵌入式閃存(eFlash)工藝已正式進(jìn)入量產(chǎn)。該技術(shù)是中芯國(guó)際NVM非揮發(fā)性記憶體平臺(tái)的延續(xù)，為客戶提供了一個(gè)高性能、低功耗和低成本的差異化解決方案。

　　中芯國(guó)際的0.13微米嵌入式閃存技術(shù)平臺(tái)可為客戶提供以下優(yōu)勢(shì)：

　　強(qiáng)耐度：具備高達(dá)300K周期的優(yōu)秀的循環(huán)擦寫能力，達(dá)到業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的三倍;極具成本效益：制程創(chuàng)新，使用較少的工藝步驟;低漏電工藝適合極低功耗的應(yīng)用并提升性能及可靠性：后段采用銅制程(Cu-BEoL)適合需要高電流密度的應(yīng)用。

　　中芯國(guó)際的0.13微米低功耗嵌入式閃存技術(shù)擁有全面的IP，包括如PLL 、ADC 、LDO、USB等，同時(shí)融合了該技術(shù)低功耗、 高性能和高可靠性的特點(diǎn)，可適用于具有低功耗需求的廣泛的微控制器(MCU)應(yīng)用包括移動(dòng)設(shè)備、智能卡等。此外，中芯國(guó)際預(yù)期將提供RF、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)方面的應(yīng)用。

　　我們?yōu)榭蛻魧?duì)我們0.13微米差異化的嵌入式閃存技術(shù)的快速接受和積極反響感到鼓舞。中芯國(guó)際市場(chǎng)營(yíng)銷和銷售執(zhí)行副總裁麥克瑞庫(kù)表示，我們很高興地看到0.13微米嵌入式閃存技術(shù)在觸摸控制器(TCIC, Touch Controller IC)上的應(yīng)用已進(jìn)入量產(chǎn)。根據(jù)IHS-iSuppli市場(chǎng)調(diào)查顯示，觸摸控制器的全球需求量將從 2012年起實(shí)現(xiàn)21%的年復(fù)合增長(zhǎng)率，2017年將達(dá)到約 27 億個(gè)單元。