ARM發(fā)布基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲(chǔ)器接口IP

ARM發(fā)布首款可即量產(chǎn)的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲(chǔ)器接口IP

Velocity DDR存儲(chǔ)器接口獲得TSMC IP質(zhì)量認(rèn)證 

ARM公司發(fā)布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存儲(chǔ)器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲(chǔ)器接口是第一個(gè)通過(guò)TSMC IP質(zhì)量安全測(cè)試的90納米、可即量產(chǎn)的IP。
TSMC設(shè)計(jì)服務(wù)市場(chǎng)代理總監(jiān)Kuo Wu表示：“我們一貫致力于同我們的IP合作伙伴共同努力，將高質(zhì)量的IP以最短的時(shí)間整合到我們客戶的領(lǐng)先的設(shè)計(jì)中。在我們對(duì)IP認(rèn)證的嚴(yán)格要求下，ARM Velocity DDR1/2存儲(chǔ)器接口在我們的90納米工藝取得了卓越的首次投片成功。”
ARM 90納米Velocity DDR1/2存儲(chǔ)器接口解決方案包括多組可編程O(píng)DT（ on-die termination）和輸出驅(qū)動(dòng)阻抗控制（output driver impedance control），所有的端頭在使用ARM先進(jìn)的動(dòng)態(tài)校準(zhǔn)器電路的情況下能夠獲得很高的阻抗精度。這些特性提高了整體信號(hào)的完整性，并且加快高速系統(tǒng)設(shè)計(jì)的開(kāi)發(fā)周期。90納米Velocity DDR1/2存儲(chǔ)器接口提供最適宜的解決方案，為需要用到SDRAM的眾多應(yīng)用（例如主流臺(tái)式電腦、網(wǎng)絡(luò)設(shè)施和服務(wù)器）提供可調(diào)整的功耗和性能。這些可用于DDR1和DDR2的雙倍數(shù)據(jù)速度解決方案可以最高達(dá)800Mbps的數(shù)據(jù)速度運(yùn)行，并實(shí)現(xiàn)了SDRAM組建和存儲(chǔ)器控制器之間的所有接口。
ARM物理IP部門(mén)總經(jīng)理Brent Dichter表示：“ARM一貫承諾為客戶提供高質(zhì)量的、已獲驗(yàn)證的IP產(chǎn)品，確保他們的SoC設(shè)計(jì)獲得成功。Velocity DDR1/2存儲(chǔ)器接口解決方案通過(guò)TSMC IP質(zhì)量認(rèn)證體現(xiàn)了ARM物理IP的高質(zhì)量，同時(shí)為我們共同的客戶提供了一個(gè)可信任的SoC解決方案。”