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ZT-90型助聽器原理圖

  • ZT-90型助聽器原理圖:
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CUI推出90A數(shù)字負(fù)載點(diǎn)模塊系列應(yīng)對(duì)日益增多的先進(jìn)IC供電

  • 　　CUI Inc宣布推出最高電流數(shù)字負(fù)載點(diǎn)POL系列產(chǎn)品NDM3Z-90，這些器件專為滿足現(xiàn)今最先進(jìn)的集成電路產(chǎn)品快速增長(zhǎng)的功率需求而設(shè)計(jì)，是一款采用超低側(cè)高垂直和水平封裝的非隔離型模塊，輸出電流為90 A。該產(chǎn)品系列提供基準(zhǔn)電平，同時(shí)集成了一系列先進(jìn)的數(shù)字特性，包括可編程輸出范圍、有源電流共享(active current sharing)、電壓排序、電壓跟蹤、同步和相位展開、可編程軟啟動(dòng)和停止，以及大量監(jiān)控功能。 　　NDM3Z-90采用Intersil最新的數(shù)字功率控制器ZL8801并利用其
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日置(HIOKI)新品 鉗形AC/DC傳感器

  • 日置(HIOKI)最新發(fā)售可測(cè)量交·直流的鉗形AC/DC傳感器CT9691-90系列?，F(xiàn)在，針對(duì)電氣汽車和電動(dòng)車所裝載電池等的研發(fā)競(jìng)爭(zhēng)，各汽車公司都在削減開支。另外，從確保多用電源的觀點(diǎn)來(lái)看，太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的導(dǎo)入已步入正軌。并且對(duì)于各企業(yè)的服務(wù)器或數(shù)據(jù)通訊所必須的設(shè)備要設(shè)置的數(shù)據(jù)中心而言，正在推進(jìn)電源的直流化對(duì)應(yīng)。這些領(lǐng)域的直流電流測(cè)量是不可或缺的。
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基于V.90的高速M(fèi)ODEM電路設(shè)計(jì)

  • 摘要：目前超短波通信設(shè)備絕大多數(shù)采用模擬通信體制，而模擬通信存在抗干擾能力弱、通信質(zhì)量差、保密性不強(qiáng)等缺點(diǎn)，這些缺點(diǎn)嚴(yán)重制約了通信裝備性能的發(fā)揮和通信保障的順暢。針對(duì)上述問(wèn)題，文章設(shè)計(jì)了基于V．90標(biāo)準(zhǔn)的
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-90度移相電路--可在0~-180度范圍內(nèi)變化

  • 電路的功能“具有平坦頻率特性的plusmn;90度的移相電路”的移相電路只能在0~+180度范圍內(nèi)移相，可使用CO與RO位置互換的-90度的移相電路。電路的工作原理基本工作原理與“具有平坦頻率特性的plusmn;
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可用10DB為單位選定40~90DB增益的可編程放大器電路

  • 電路的功能當(dāng)用OP放大器進(jìn)行高倍數(shù)AC放大時(shí)，若改變反饋電路的分壓比，使放大倍數(shù)改變，頻率特性也會(huì)大幅度地改變。本電路設(shè)有40、20、20、10DB增益固定的放大器，通過(guò)繼電器選用這些放大器，可使最大增益達(dá)90DB。本
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可在0~-180度范圍內(nèi)變化的-90度移相電路

  • 電路的功能“具有平坦頻率特性的±90度的移相電路”的移相電路只能在0~+180度范圍內(nèi)移相，可使用CO與RO位置互換的-90度的移相電路。電路的工作原理基本工作原理與“具有平坦頻率特性的±90度的移相電路”相同，只是改
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可用10DB為單位選定40~90DB增益的可編程放大器

  • 電路的功能當(dāng)用OP放大器進(jìn)行高倍數(shù)AC放大時(shí)，若改變反饋電路的分壓比，使放大倍數(shù)改變，頻率特性也會(huì)大幅度地改變。本電路設(shè)有40、20、20、10DB增益固定的放大器，通過(guò)繼電器選用這些放大器，可使最大增益達(dá)90DB。本
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泰科電子推出全新熱縮標(biāo)識(shí)系列產(chǎn)品

  • 　　泰科電子宣布推出全新TMS-90-SCE熱縮標(biāo)識(shí)系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品能夠充分滿足從航空、國(guó)防、船舶、鐵路、公共交通到工業(yè)及電子等各行業(yè)領(lǐng)域?qū)Ω咝阅茈娎|及線纜標(biāo)記的需求。泰科電子TMS-90-SCE熱縮標(biāo)識(shí)系列產(chǎn)品的推出，為高溫環(huán)境下的作業(yè)帶來(lái)了可靠的機(jī)械強(qiáng)度、長(zhǎng)時(shí)間高溫防護(hù)，以及強(qiáng)大的高溫防水性能。 　　泰科電子TMS-90-SCE熱縮標(biāo)識(shí)具備極高的耐用性，持久性。該產(chǎn)品所用材料為耐用、阻燃的輻射交聯(lián)熱縮均聚聚烯烴，適用溫度范圍為-55°C至+135°C。并且產(chǎn)品重量輕巧，收縮率
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瑞薩科技開發(fā)出90 nm工藝SuperH系列SH72546RFCC微控制器

  • 瑞薩科技公司宣布，開發(fā)出32位SuperH™*1 系列SH72546RFCC，這是業(yè)界第一個(gè)采用90 nm（納米）工藝并帶有片上閃存的微控制器，可用于汽車引擎、傳輸?shù)瓤刂瞥绦虻拈_發(fā)。樣品將從2007年10月開始在日本交付。 SH72546RFCC可在汽車應(yīng)用所需的125℃的高溫工作環(huán)境下實(shí)現(xiàn)200 MHz的業(yè)界最高運(yùn)行速度。此外，它還采用了業(yè)界最大的片上閃存容量，可以實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先的高精度的控制。 SH72546RFCC適用于控制程序開發(fā)，2008年瑞薩科技將根據(jù)SH7
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普華永道：全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)90%歸功中國(guó)

  • 　　中國(guó)制造的電子系統(tǒng)推動(dòng)2005年全球半導(dǎo)體消費(fèi)增長(zhǎng)90%。這種趨勢(shì)在2003年首次被發(fā)現(xiàn)并延續(xù)至今。這是普華永道 (PricewaterhouseCoopers) 對(duì)在該課題上中國(guó)的和其它公布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)進(jìn)行全面分析后得到的論斷。  　　《China's Impact on the Semiconductor Industry: 2006 Update》（《中國(guó)對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的影響：2006最新分析》）首次
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ARM發(fā)布基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲(chǔ)器接口IP

  • ARM發(fā)布首款可即量產(chǎn)的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲(chǔ)器接口IP Velocity DDR存儲(chǔ)器接口獲得TSMC IP質(zhì)量認(rèn)證 ARM公司發(fā)布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存儲(chǔ)器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲(chǔ)器接口是第一個(gè)通過(guò)TSMC IP質(zhì)量安全測(cè)試的9
  • 關(guān)鍵字： 90  ARM  DDR1  DDR2  IP  TSMC  存儲(chǔ)器  單片機(jī)  工藝  接口  納米  嵌入式系統(tǒng)  存儲(chǔ)器  

Stratix II FPGA：成功的90nm開發(fā)和推出案例研究

  • Stratix II FPGA：成功的90nm開發(fā)和推出案例研究
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90介紹

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