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AVX多層有機(jī) (MLO?) 電容器顯示最低的介質(zhì)吸收為0.0015%

—— AVX發(fā)表的新技術(shù)論文描述了介質(zhì)吸收的重要性,近來測(cè)試中收集的數(shù)據(jù)以及使用AVX MLO技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)
作者: 時(shí)間:2013-10-24 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  2013年10月19日,無源元件和互連解決方案領(lǐng)先的制造商公司發(fā)表了新的技術(shù)論文,“多層有機(jī)(™),”宣布了跟相關(guān)的技術(shù)相比,其將顯示最低的 (DA),因此非常適合于采樣保持電路。在采樣保持電路的保持時(shí)間中,的電壓被假定為一個(gè)指定和預(yù)定的數(shù)字。但是,由于電的差異,電路可能容易受到電壓誤差。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/184334.htm

  基于MIL-C-19778測(cè)試中的介質(zhì)吸收測(cè)量表明了電容器顯示 0.0015% 介質(zhì)吸收。為了進(jìn)行比較,具有非常低DA的鐵氟龍顯示了低于0.01%的DA,以及NP0陶瓷顯示了DA為0.6%。

  應(yīng)用工程師 Edgardo Menendez 表示:“由于AVX 專有的MLO材料技術(shù),我們的MLO電容器具有超低DA, 低于許多其他電介質(zhì)技術(shù),因此它們?cè)贒A很容易能夠?qū)е螺敵稣`差的采樣保持電路中是個(gè)理想的解決方案。”

  AVX的MLO電容器基于AVX專有MLO材料技術(shù),并為了實(shí)現(xiàn)高Q就利用大面積制備技術(shù)與獨(dú)特集中元件的設(shè)計(jì)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該MLO電容器是一個(gè)能夠在廣泛的頻率范圍之內(nèi)保持穩(wěn)定性的低損耗RF部件,匹配了大多部分的FR4印刷電路板以及可供額定值高達(dá)500V。

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