Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開(kāi)關(guān)

　　2013 年 11 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開(kāi)關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝，導(dǎo)通電阻只有1.5?。與前一代產(chǎn)品和在相同占位內(nèi)具有近似導(dǎo)通電阻的競(jìng)爭(zhēng)模擬開(kāi)關(guān)相比，這些器件在關(guān)閉狀態(tài)下的源極寄生電容要低50%，電荷注入最多低80%。這些器件的開(kāi)關(guān)時(shí)間為100ns，性能更好，非常適合數(shù)據(jù)采集、工業(yè)控制和自動(dòng)化、通信、A/V系統(tǒng)，以及醫(yī)療設(shè)備和自動(dòng)測(cè)試設(shè)備中的信號(hào)切換和替代繼電器。

　　DG1411、DG1412和DG1413采用了新的CMOS工藝平臺(tái)，確保在整個(gè)模擬信號(hào)范圍內(nèi)，保持低開(kāi)關(guān)電阻且曲線平直，提供優(yōu)異的線性度，因此非常適合低畸變應(yīng)用，例如采樣和保持電路、可編程增益控制電路及A/V信號(hào)路由。低導(dǎo)通電阻使這些模擬開(kāi)關(guān)可以替代機(jī)械式繼電器，成為自動(dòng)測(cè)試設(shè)備和需要采用電流開(kāi)關(guān)的應(yīng)用的首選方案。、

　　DG1411、DG1412和DG1413均具有4路獨(dú)立的可選通的SPST開(kāi)關(guān)。DG1411的開(kāi)關(guān)是常關(guān)的，DG1412是常開(kāi)的;DG1413有2路開(kāi)關(guān)是常開(kāi)的，2路是常關(guān)的，可以保證操作是先開(kāi)后合的。器件可以使用單路4.5V～24V供電，或雙路±4.5V～±15V電源。模擬開(kāi)關(guān)不需要VL邏輯供電，所有數(shù)字輸入都有0.8V和2V邏輯門限，可保證與低壓TTL/CMOS的兼容性。

　　器件的最大導(dǎo)通電阻保持在0.48 ?，CS(OFF)為11pF, CD(ON)為87pF，在信號(hào)范圍內(nèi)的電荷注入為-60pC～+135pC。DG1411、DG1412和DG1413是雙向開(kāi)關(guān)，在導(dǎo)通時(shí)的模擬信號(hào)可以達(dá)到電源電壓，在關(guān)斷時(shí)可以阻斷信號(hào)。開(kāi)關(guān)符合RoHS，無(wú)鹵素，采用TSSOP16和4mm x 4mm的QFN16封裝。

　　新模擬開(kāi)關(guān)現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為八周。