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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 導(dǎo)通電阻

EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET

  • 全球增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導(dǎo)通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過五倍。憑借超低導(dǎo)通電阻
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適用于熱插拔應(yīng)用的具有導(dǎo)通電阻的高效 MOSFET

  • 熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源；這可能會損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會產(chǎn)生較大的負(fù)載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰，從而進(jìn)一步損壞電子設(shè)備。熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源；這可能會損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會產(chǎn)生較大的負(fù)載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰，從而進(jìn)一步損壞電子設(shè)備。簡介熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源；這可能會損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會產(chǎn)生較大的
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英飛凌推出面向汽車的OptiMOS? 7 40V MOSFET

  • 【2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有顯著的性能優(yōu)勢。這使得全新 MOSFET 成為所有的標(biāo)準(zhǔn)和未來車用 40V MOSFET 應(yīng)用的理想選擇，如電動助力
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ITECH半導(dǎo)體測試方案解析，從容應(yīng)對全球功率半導(dǎo)體市場風(fēng)起云涌

負(fù)載開關(guān)技術(shù)的發(fā)展在現(xiàn)代應(yīng)用的電源管理中發(fā)揮重要作用

  • 　　作者/Bryson Barney 安森美半導(dǎo)體 應(yīng)用工程師　　摘要：負(fù)載開關(guān)在電源管理和負(fù)載保護(hù)中發(fā)揮重要作用。在為特定應(yīng)用選擇負(fù)載開關(guān)時有一些因素要考慮，此外，現(xiàn)在還可以使用一些性能和功能得以改進(jìn)的新器件?！　￡P(guān)鍵詞：負(fù)載開光；電源管理；導(dǎo)通電阻　　0 引言　　電源是推動我們現(xiàn)代世界技術(shù)的命脈，我們越來越依賴高科技產(chǎn)品在忙碌的工作中和工作外的生活中幫助我們。管理和控制電源是高科技、低功耗應(yīng)用的一個重要主題。無論是為更大的設(shè)備開發(fā)復(fù)雜的多軌電源系統(tǒng)，還是利用電池供電設(shè)備的最后一小部分電量，電源管理都是
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利用保證的 SOA 在高電流熱插拔應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻

  • 引言

    在高電流背板應(yīng)用中要求實(shí)現(xiàn)電路板的帶電插拔，這就需要兼具低導(dǎo)通電阻 (在穩(wěn)態(tài)操作期間) 和針對瞬態(tài)情況之高安全工作區(qū) (SOA) 的 MOSFET。通常，專為擁有低導(dǎo)通電阻而優(yōu)化的新式 MOSFET 并不適合高 SOA 熱插拔應(yīng)用。

    LTC4234 是一款針對熱插拔 (Hot SwapTM) 應(yīng)用的集成型解決方案，其允許電路板在帶電背板上安全地插入和拔出。該器件把一個熱插拔控制器、功率 MOSFET 和電流檢測電阻器集成在單個封裝中，以滿足小型化應(yīng)用的要求
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Vishay推出業(yè)內(nèi)最小-20V P溝道Gen III MOSFET

  • 2013 年 12 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出業(yè)界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴(kuò)展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
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Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
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Silego推出業(yè)界首顆p通道MOSFE替代產(chǎn)品集成負(fù)載開關(guān)

  • 2013年10月15日，Silego公司的電源族又推出了納安級功耗負(fù)載開關(guān)系列。此系列推出了兩款產(chǎn)品：支持6A負(fù)載電流的SLG59M1470V和支持2A負(fù)載電流的SLG59M1460V。
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德州儀器超小型 FemtoFET? MOSFET 支持最低導(dǎo)通電阻

  • 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶體管采用超小型封裝，支持不足 100 毫歐的導(dǎo)通電阻。
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Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開關(guān)

  • 2013 年 11 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝，導(dǎo)通電阻只有1.5?
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東芝推出帶反向電流阻隔電路的業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻負(fù)荷開關(guān)集成電路

  • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出內(nèi)嵌反向電流阻隔電路[1]的負(fù)荷開關(guān)集成電路，該集成電路提供業(yè)內(nèi)最低的[3]導(dǎo)通電阻，即18.4mΩ[2]。這些集成電路可作為智能手機(jī)、平板電腦、超極本(Ultrabooks?)和其他移動設(shè)備內(nèi)使用的電源管理開關(guān)。樣品出貨今日啟動，并計劃于2014年投入量產(chǎn)。
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Vishay的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導(dǎo)通電阻

  • 2013 年 9 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，擴(kuò)充其采用超小PowerPAK? SC-70封裝的TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
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精確測量功率MOSFET的導(dǎo)通電阻

  • 電阻值的測量通常比較簡單。但是，對于非常小阻值的測量，我們必須謹(jǐn)慎對待我們所做的假定。對于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的。可以使用類似的方法來測量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（一）

  • 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源...
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導(dǎo)通電阻介紹

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