功率MOSFET數(shù)據(jù)表深入分析
以IPD90N06S4-04為例,計(jì)算出的結(jié)果等于169A。為何在數(shù)據(jù)表上只標(biāo)注90A呢?這是因?yàn)樽畲蟮碾娏魇芟抻诜庋b腳位與焊線直徑,在數(shù)據(jù)表的注釋1)中可以看到詳細(xì)的解釋。如下表所示:本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/185902.htm
此外,數(shù)據(jù)表中還給出了ID和結(jié)溫之間的曲線關(guān)系。從下表中可以看出,當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí), ID會隨著溫度而變化。在最差的情況下,需要考慮在最大環(huán)境溫度下的ID的電流仍然滿足電路設(shè)計(jì)的正常電流的要求。
Rthjc:溫阻是對設(shè)計(jì)者需要非常關(guān)注的設(shè)計(jì)參數(shù),特別是當(dāng)需要計(jì)算功率MOSFET在單脈沖和不同占空比時(shí)的功率損耗時(shí),就需要查看這個(gè)數(shù)據(jù)表來進(jìn)行設(shè)計(jì)估算。筆者將在如何用數(shù)據(jù)表來進(jìn)行設(shè)計(jì)估算中來具體解釋。
SOA:功率MOSFET的過載能力較低,為了保證器件安全工作,具有較高的穩(wěn)定性和較長的壽命,對器件承受的電流、電壓、和功率有一定的限制。把這種限制用Uds-Id坐標(biāo)平面表示,便構(gòu)成功率MOSFET的安全工作區(qū) (Safe OperaTIng Area,縮稱SOA)。同一種器件,其SOA的大小與偏置電壓、冷卻條件、和開關(guān)方式等都有關(guān)系。如果要細(xì)分SOA,還有二種分法。按柵極偏置分為正偏置SOA和反偏置SOA;按信號占空比來分為直流SOA、單脈沖SOA、和重復(fù)脈沖SOA。
功率MOSFET在開通過程及穩(wěn)定導(dǎo)通時(shí)必須保持柵極的正確偏置,正偏置SOA是器件處于通態(tài)下容許的工作范圍;相反,當(dāng)關(guān)斷器件時(shí),為了提高關(guān)斷速度和可靠性,需要使柵極處于反偏置,所以反偏置SOA是器件關(guān)斷時(shí)容許的工作范圍。
直流SOA相當(dāng)于占空比->1是的工作條件;單脈沖SOA則對應(yīng)于占空比-> 0時(shí)的工作條件;重復(fù)脈沖SOA對應(yīng)于占空比在0 D 1時(shí)的工作條件。從數(shù)據(jù)表上可以看出:單脈沖SOA最大,重復(fù)脈沖SOA次之,直流SOA最窄。
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