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基于ADS的射頻低噪聲放大器的設計與仿真

作者: 時間:2012-07-09 來源:網(wǎng)絡 收藏

摘要:應用E-PHEMT器件ATF-58143設計了一款增益約20 dB,噪聲系數(shù)小于0.5 dB的。采用負反饋保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性,利用匹配網(wǎng)絡保證了低噪聲系數(shù)和高增益。結合該實例介紹了借助軟件進行的設計方法,給出設計步驟,并對結果進行了分析,對于LNA的研究與設計具有重要意義。
關鍵詞:;噪聲系數(shù);軟件;匹配

從天線接收的微弱信號由處于接收機前端的放大器進行放大,因此要求該放大器具有一定的增益和較小的噪聲系數(shù)。
本文借助Agilent公司的電路設計軟件(Advanced Design System)進行輔助設計一款高增益低噪聲放大器(LNA),并對其進行了驗證。

1 放大器的組成
單級射頻放大器的組成如圖1所示,包括射頻晶體管放大電路和輸入、輸出匹配網(wǎng)絡三部分。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/186134.htm

a.JPG



2 射頻放大器的設計
2.1 晶體管的選擇
選擇好晶體管器件對低噪聲放大器的設計至關重要。
根據(jù)工作頻率、增益和噪聲系數(shù)等指標要求,同時考慮到設計、時便于得到相應的元器件模型,最終選用Avago公司的高電子遷移率晶體管(E-PHEMT)ATF-58143來進行設計(可以在Avago公司的網(wǎng)站上下載到ATF-58143的元件模型)。
2.2 偏置電路的設計
設計LNA首先需要確定靜態(tài)工作點,利用ADS中的“DC_FET_T”的模板可以很方便地仿真出其輸出特性曲線。再參考ATF-58143的datash eet,可以確定當Vds=3 V,Ids=35 mA時,各項設計指標滿足要求。
確定靜態(tài)工作點后,就要確定偏置電路的形式和參數(shù)。不需人工計算,借助ADS中的設計向?qū)Чぞ?DesignGuide→Amplifier→Tools→ Transistor Bias Utility)可以輕易完成。因為ADS所提供的元件數(shù)值是非標稱的,所以需要設計者用與ADS提供的數(shù)值接近的標稱元件進行替代。偏置電路及各點靜態(tài)參數(shù)如圖2所示。

b.JPG


2.3 穩(wěn)定性分析及改善
晶體管絕對穩(wěn)定的條件是K>1,|△|1。其中:
c.JPG
如果這兩個條件不能同時得到滿足,電路將存在潛在的不穩(wěn)定和振蕩的可能。對上述偏置條件下的晶體管進行穩(wěn)定性仿真分析發(fā)現(xiàn),在要求的工作頻段內(nèi)其穩(wěn)定系數(shù)K1,不滿足絕對穩(wěn)定的條件。
通過引入負反饋的方式可以改善電路的穩(wěn)定性,同時也能夠拓展工作帶寬。在輸出端和輸入端之間串聯(lián)RC電路引入負反饋,其中的R需要滿足條件:
d.JPG
同時在兩個源極加上小的電感引入負反饋進一步改善穩(wěn)定性,該電感的值需反復調(diào)節(jié)后方能確定。
對引入負反饋后的電路再次仿真,其工作頻帶內(nèi)穩(wěn)定系數(shù)K>1,滿足絕對穩(wěn)定條件。


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