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用于測試電容的電路

作者: 時間:2012-03-27 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/186743.htm

電解電容會隨時間而泄漏。圖1中的可以用來,決定它們是否值得使用。通過CREF/RREF比值可以設(shè)定對泄漏的限制條件。圖中的值適用于所有電容的一般測試,從1nF的陶瓷電容,到1000μF的電解電容。中,CREF的值接近于待測電容值CX。另外也可以用旋轉(zhuǎn)切換的方法選擇RREF,使之大于或小于22 MΩ。

當(dāng)按鍵開關(guān)閉合時,電容CREF與CX通過各自相應(yīng)的PNP晶體管充電。當(dāng)開關(guān)打開時,這些電容開始放電。CREF(假設(shè)處于良好狀況)有額外的放電外接電阻。而待測電容CX則通過自己的內(nèi)阻放電。如果CX的泄漏大于CREF通過RREF的泄漏,則CX電壓下降得更快。于是,運(yùn)放非反相輸入端的電壓會低于反相輸入端,使運(yùn)放輸出為低,使紅色LED發(fā)光。這只LED用于表示被測電容有泄漏。對的測試表明,甚至1nF的陶瓷電容都能檢測。檢查的額定值,確保其高于將充電的電壓值,此時VSUPPLY 為-1.8V。

LF357的最低供電電壓為10V,但測試只需要6V,因此允許有一個低的上限電壓。要確認(rèn)電容有FET或MOSFET的輸入級。

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