單芯片電容測量方案PCAP01原理
加入技術交流群
對于電容傳感器的測量，芯片提供了非常靈活的連接方式，對比典型的連接方式如下所示：
在芯片中用戶可以自己選擇是用內(nèi)部集成的放電電阻進行電容的測量，還是外接放電電阻來進行測量，連接的方式如下圖所示：
導線補償：
在電容測量當中，導線的寄生電容對于整個測量的影響是不能夠忽略的。尤其當導線較長的情況下，導線寄生電容的影響將會對測量結果有致命的影響。在Pcap01當中，可以對傳感器的導線寄生電容進行有效補償：
通過上面的傳感器連接的方式，可以補償連接傳感器兩端的導線寄生電容，消除導線對于測量結果的影響。那么如果想要進行導線補償，3個在漂移模式的測量需要被進行如下：
如果對于高穩(wěn)定性高精度的測量，我們推薦連接傳感器為漂移模式，來進行完全補償。當然如果導線非常短，而且對于測量性能溫度性能要求并不苛刻的情況下，也可以僅使用內(nèi)部補償，在接地和漂移模式下均可以應用：
評論