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矽力杰集成功率級DrMOS方案
- 伴隨著CPU, GPU等的性能進步和制程發(fā)展，主板的供電設計也迎來了更多的挑戰(zhàn)，大電流、高效率、空間占用小、動態(tài)響應快、保護更智能的需求使得傳統(tǒng)的采用分立MOS的方案逐漸被取代，SPS/DrMOS的解決方案憑借更好的性能表現(xiàn)成為主流。01 矽力杰 DrMOS 方案SQ29663采用業(yè)界標準封裝，芯片內(nèi)部集成兩個高性能的MOS和驅(qū)動及控制單元，通過優(yōu)化設計的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和驅(qū)動控制，能夠?qū)崿F(xiàn)高效率、高功率密度以及良好的散熱性能。嚴密的控制和保護邏輯使其能輕松兼容主流的前級控制器，適用于CPU，GPU以及POL的電
- 關鍵字： 矽力杰 DrMOS
單芯片驅(qū)動器+ MOSFET技術 改善電源系統(tǒng)設計
- 本文介紹最新的驅(qū)動器+ MOSFET（DrMOS）技術及其在穩(wěn)壓器模塊（VRM）應用中的優(yōu)勢。單芯片DrMOS組件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進而增強最終應用的整體性能。隨著技術的進步，多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些組件需要的功率急劇增加。微處理器所需的此種電源由穩(wěn)壓器模塊（VRM）提供。在該領域，推動穩(wěn)壓器發(fā)展的主要有兩個參數(shù)。首先是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個參數(shù)是功率轉(zhuǎn)換效率，高
- 關鍵字： 單芯片 驅(qū)動器 MOSFET DrMOS 電源系統(tǒng)設計
電源系統(tǒng)設計優(yōu)化秘技:單片驅(qū)動器+MOSFET(DrMOS)
- 現(xiàn)階段，多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，令這些器件所需功率急劇增加，直接導致向微處理器供電的穩(wěn)壓器模塊(VRM)的升級需求：一是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率）升級，為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度；另一是功率轉(zhuǎn)換效率提升，高效率可降低功率損耗并改善熱管理。目前電源行業(yè)一種公認的解決方案，是將先進的開關MOSFET（穩(wěn)壓器的主要組成部分）及其相應的驅(qū)動器集成到單個芯片中并采用高級封裝，從而實現(xiàn)緊湊高效的功率轉(zhuǎn)換。這種DrMOS功率級優(yōu)化了高速功率轉(zhuǎn)換。隨著對這
- 關鍵字： 電源系統(tǒng)設計 單片驅(qū)動器 MOSFET DrMOS
英飛凌推出OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列
- 英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應用電力電子會議和產(chǎn)品展示會上，推出OptiMOS 25V器件系列，壯大OptiMOS 功率 MOSFET產(chǎn)品陣容。該系列器件經(jīng)過優(yōu)化，適合應用于計算機服務器電源的電壓調(diào)節(jié)電路和電信/數(shù)據(jù)通信的開關。這種全新的MOSFET還被集成進滿足英特爾DrMOS規(guī)范的TDA21220 DrMOS。 通過大幅降低三個關鍵的能效優(yōu)值(FOM)，這種全新的器件無論在任何負載條件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同時達到更高的性能。此外，更高的功率密度還能讓典型電
- 關鍵字： 英飛凌 OptiMOS MOSFET DrMOS
飛兆推出業(yè)界最小的DrMOS FET加驅(qū)動器多芯片模塊
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面優(yōu)化的集成式FET加驅(qū)動器功率級解決方案FDMF6700，采用超緊湊型6mm x 6mm MLP封裝。對于空間極度受約束的應用，比如小外形尺寸的臺式電腦、媒體中心PC、超密集服務器、刀片服務器、先進的游戲系統(tǒng)、圖形卡、網(wǎng)絡和電信設備，以及其它電路板空間有限的DC-DC應用，F(xiàn)DMF6700為設計人員提供別具吸引力的解決方案。 在個人電腦主板中，典型的降壓轉(zhuǎn)換器在每個相位可能包含：采用DPAK封裝的三個N溝道MOSFE
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 飛兆 DrMOS FET 模塊
瑞薩發(fā)布第二代 “集成驅(qū)動器MOSFET（DrMOS）”
- 瑞薩科技發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標準的第二代 “集成驅(qū)動器MOSFET（DrMOS）” 實現(xiàn)CPU穩(wěn)壓器應用的業(yè)界最高效能 --與瑞薩科技當前的產(chǎn)品相比，在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過20%的功率損耗— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個驅(qū)動器IC和兩個高端/低端（注1）功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服務器等產(chǎn)品的CPU穩(wěn)壓器（VR）。樣品供貨將從2006年12月在日本開始。 R
- 關鍵字： 單片機 第二代 集成驅(qū)動器MOSFET（DrMOS） 嵌入式系統(tǒng) 瑞薩科技
瑞薩發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標準的第二代 “集成驅(qū)動器MOSFET（DrMOS）”
- 瑞薩科技發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標準的第二代 “集成驅(qū)動器MOSFET（DrMOS）” 實現(xiàn)CPU穩(wěn)壓器應用的業(yè)界最高效能 --與瑞薩科技當前的產(chǎn)品相比，在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過20%的功率損耗— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個驅(qū)動器IC和兩個高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服務器等產(chǎn)品的CPU穩(wěn)壓器（VR）。樣品供貨將從2006年12月在日本開始。 R2
- 關鍵字： DrMOS MOSFET 單片機 電源技術 集成驅(qū)動器 模擬技術 嵌入式系統(tǒng) 瑞薩
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