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深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表

作者: 時(shí)間:2010-12-06 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  Transfer Curve:是用圖表的方式表達(dá)出ID和Vgs的函數(shù)關(guān)系。廠商會(huì)給出在不同環(huán)境溫度下的三條曲線。通常這三條曲線都會(huì)相交與一點(diǎn),這個(gè)點(diǎn)叫做溫度穩(wěn)定點(diǎn)。

  如果加在的Vgs低于溫度穩(wěn)定點(diǎn)(在IPD90N06S4-04中是Vgs6.2V),此時(shí)的是正溫度系數(shù)的,就是f,ID的電流是隨著結(jié)溫同時(shí)增加的。在設(shè)計(jì)中,當(dāng)應(yīng)用在大電流的設(shè)計(jì)中時(shí),應(yīng)避免使功率工作在在正溫度系數(shù)區(qū)域。

  當(dāng)Vgs超過(guò)溫度穩(wěn)定點(diǎn)(在IPD90N06S4-04中是Vgs>6.2V), MOSFET是正溫度系數(shù)的, 就是f,ID的電流是隨著結(jié)溫的增加是減少的。這在實(shí)際應(yīng)用中是一個(gè)非常好的特性,特別是是在大電流的設(shè)計(jì)應(yīng)用中時(shí),這個(gè)特性會(huì)幫助功率MOSFET通過(guò)減少ID電流來(lái)減少結(jié)溫的增加。

典型傳遞函數(shù)

  EAS: 為了了解在雪崩電流情況下功率MOSFET的工作情況,中給出了雪崩電流和時(shí)間對(duì)應(yīng)的曲線,這個(gè)曲線上可以讀出在相應(yīng)的雪崩電流下,功率MOSFET在不損壞的情況下能夠承受的時(shí)間。對(duì)于同樣的雪崩能量,如果雪崩電流減少,能夠承受的時(shí)間會(huì)變長(zhǎng),反之亦然。環(huán)境溫度對(duì)于雪崩電流的等級(jí)也有影響,當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí),由于收到最大結(jié)溫的限制,能夠承受的雪崩電流會(huì)減少。

雪崩特性

  中給出了功率MOSFET能夠承受的雪崩能量的值。在次例子中,室溫下的EAS=331mJ

功率MOSFET能夠承受的雪崩能量的值

  上表給出的只是在室溫下的EAS,在設(shè)計(jì)中還需要用到在不同環(huán)境溫度下的EAS,廠商在中也會(huì)給出,如下圖所示。

雪崩能量


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