低壓無(wú)功補(bǔ)償中晶閘管電子開(kāi)關(guān)模塊的特點(diǎn)與應(yīng)用
無(wú)功補(bǔ)償是電力系統(tǒng)運(yùn)行的基本要求。為了在電力系統(tǒng)運(yùn)行中進(jìn)行無(wú)功平衡,必須對(duì)各種電力負(fù)荷所需的無(wú)功功率進(jìn)行補(bǔ)償。無(wú)功補(bǔ)償?shù)姆椒ㄓ姓{(diào)相機(jī)補(bǔ)償和電容器組補(bǔ)償?shù)?,其中最為有效和易于?shí)施的是在靠近負(fù)荷點(diǎn)的地方進(jìn)行就地?zé)o功補(bǔ)償。由于無(wú)功補(bǔ)償掛接在電網(wǎng)上主要是通過(guò)自動(dòng)投入和切除電力電容器來(lái)達(dá)到補(bǔ)償效果,因此,控制電容器投切的開(kāi)關(guān)元件性能對(duì)整個(gè)裝置的質(zhì)量和穩(wěn)定性起著非常關(guān)鍵的作用。目前,國(guó)內(nèi)的無(wú)功補(bǔ)償產(chǎn)品控制器普遍采用交流接觸器或可控硅作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)控制電容器的通斷。
1 電容補(bǔ)償裝置的投切開(kāi)關(guān)方式和特點(diǎn)
電容式補(bǔ)償裝置的投切開(kāi)關(guān)主要有交流普通接觸器、帶預(yù)設(shè)電阻的專(zhuān)用接觸器和晶閘管電子開(kāi)關(guān)等方式。
1.1普通交流接觸器
交流接觸器的價(jià)格低、通用性強(qiáng),但在用于電容器投切時(shí)會(huì)產(chǎn)生很大的浪涌和脈沖過(guò)電壓,有時(shí)可能導(dǎo)致絕緣擊穿或接觸器觸頭燒損,容易造成接觸器損壞,從而影響補(bǔ)償裝置的使用。
1.2電容投切專(zhuān)用接觸器
電容投切專(zhuān)用接觸器是在普通交流接觸器的主觸頭上加裝了限流阻抗器件,這種改進(jìn)在電容器投切不頻繁時(shí)能起到一定作用,但其抑制電容器涌流的效果并不理想。當(dāng)電流較大時(shí),其限流電阻和主觸頭也常被燒損,特別是在無(wú)功負(fù)荷波動(dòng)大和電容器投切頻繁的情況下,實(shí)際使用壽命往往僅為一年左右。因此,這種專(zhuān)用接觸器只適用于符合基本平穩(wěn)、三相電壓基本平衡的理想工作條件。
1.3 晶閘管電子開(kāi)關(guān)模塊
晶閘管電子開(kāi)關(guān)充分利用了電壓過(guò)零觸發(fā)、電流過(guò)零切除、開(kāi)關(guān)無(wú)觸點(diǎn)、響應(yīng)速度快等晶閘管特性,可使電容上的電壓從零快速上升到額定工作電壓。而在斷開(kāi)時(shí),晶閘管上的電流過(guò)零切除.可實(shí)現(xiàn)電容器投入無(wú)涌流、切除無(wú)過(guò)壓、投切無(wú)電弧的快速動(dòng)態(tài)補(bǔ)償功能,故能較好地解決電容器投切時(shí)產(chǎn)生的暫態(tài)沖擊問(wèn)題。但是,晶閘管在導(dǎo)通狀態(tài)下存在較大的管壓降(1 V左右),故在工作時(shí),應(yīng)考慮消耗功率和其產(chǎn)生和散發(fā)的大量熱量,而這會(huì)使運(yùn)行和維護(hù)的成本加大。
1.4 接觸器與晶閘管控制補(bǔ)償設(shè)備的性能比較
利用接觸器控制補(bǔ)償設(shè)備與用晶閘管控制方法來(lái)補(bǔ)償設(shè)備的性能比較如表1所列。
2晶閘管電子開(kāi)關(guān)模塊的內(nèi)部功能
晶閘管電子開(kāi)關(guān)模塊主要包括反并聯(lián)晶閘管、過(guò)零檢測(cè)觸發(fā)模塊、抑制過(guò)電壓的阻容吸收裝置和散熱裝置。
2.1過(guò)零觸發(fā)模塊
由于切除的電容器上一般都有剩余電壓,而電容器兩端的電壓不能突變,因此,當(dāng)系統(tǒng)電壓和電容器殘壓的差值較大時(shí),觸發(fā)晶閘管會(huì)產(chǎn)生很大的沖擊電流,而可能直接損壞晶閘管。為了實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)無(wú)功補(bǔ)償裝置快速響應(yīng),同時(shí)又保證投切無(wú)沖擊電流,因此需要檢測(cè)電容器電壓和電網(wǎng)電壓。只有當(dāng)兩者大小相等、極性相同時(shí),才能瞬時(shí)投入電容。因此需要加裝過(guò)零觸發(fā)模塊。目前,從晶閘管兩端取得過(guò)零信號(hào)的典型觸發(fā)電路是MOC3083。MOC3083芯片內(nèi)部有過(guò)零觸發(fā)判斷電路,它是為220V電網(wǎng)電壓設(shè)計(jì)的專(zhuān)門(mén)芯片,其芯片的雙向可控硅耐壓為800 V。在4、6兩端電壓低于12 V時(shí),如果輸入觸發(fā)電流,其內(nèi)部的雙向可控硅導(dǎo)通。圖1所示是用在380 V電網(wǎng)的TSC電路上串聯(lián)兩只MOC3083的過(guò)零觸發(fā)模塊的內(nèi)部電路圖。
評(píng)論