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片式高頻噪聲濾波組件及其應(yīng)用(2)

作者: 時間:2009-12-29 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

(上接總第129期p.20)
2 噪聲抑制組件使用中應(yīng)當(dāng)注意的一個問題
迄今為止,本節(jié)中介紹過多種噪聲抑制組件,如果把已經(jīng)介紹過的片式磁珠、片式共模電感器和片式電容器一起加進(jìn)去,那么抑制器件的內(nèi)容是足夠豐富了,而且每一種器件的插入損耗和阻抗特性也是足夠優(yōu)良的,但是在實際線路應(yīng)用時,則未必盡然。究其原因,這些器件的插入損耗都是在測試標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的特定條件(測試用的信號源的內(nèi)阻是50Ω;測試用的測量接收機(jī)的輸入阻抗也是50Ω)下進(jìn)行的。而接入實際線路當(dāng)中的噪聲源和負(fù)載(接在噪聲抑制組件后面的受保護(hù)線路)的阻抗卻是一個未知數(shù)(可能大于,也可能小于50Ω;甚至有可能在某些頻點上是大于50Ω,而在另外一些頻點上卻是小于50Ω),所以情況非常復(fù)雜,使得高頻噪聲抑制組件的使用效果難于預(yù)測。
為此在圖10中給出了高頻噪聲抑制組件的一般使用原則:當(dāng)電路是高阻抗的,可選用電容型器(或π型器);如果電路是低阻抗的,可選用電感型器(或T型濾波器)。如果濾波電路兩側(cè)的阻抗相差較大時,則對阻抗低的一側(cè),采用電感型濾波器;而對阻抗高的一側(cè),采用電容型濾波器。這種處理會使濾波效果大大提高。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/188436.htm


3 片式高頻噪聲抑制組件的應(yīng)用例
1)片式復(fù)合繞線型濾波組件應(yīng)用例
圖11為繞線型濾波組件用在抑制傳輸線路上的電磁干擾例。在圖ll(a)中用低功耗TTL集成電路搭成一個振蕩電路,然后在電波暗室中對該電路電磁發(fā)射情況進(jìn)行測試。圖ll(b)是在沒有任何改進(jìn)措施下的測試,可以看出在各測試頻率點上超差的情況很多,而且傳輸?shù)牟ㄐ斡惺д?見圖左側(cè)的示波圖)。作為一個改進(jìn)措施,在振蕩器的輸出端子上串聯(lián)一個復(fù)合繞線型濾波組件(11(c)),由于濾波組件有優(yōu)異的濾波特性,使振蕩電路電磁發(fā)射的高頻部分有很大衰減;同時,考慮到復(fù)合型濾波組件有非常陡峭的衰減特性,使波形的低頻部分得到了很好保留,因此經(jīng)復(fù)合型濾波組件濾波的波形畸變最小。作為與圖11(c)的對比,圖11(d)在振蕩器輸出端串了一個三端電容,由于三端電容會同時衰減信號和噪聲頻率,尤其是低頻段的頻率,使信號波形產(chǎn)生較大的失真。由此可見,圖11(c)是比較好的方案。

2)片式阻容復(fù)合濾波組件應(yīng)用例(1)
圖12為片式阻容復(fù)合濾波組件用在抑制傳輸線路上的電磁干擾例。圖1 2(a)用CMOs電路搭成的振蕩器。圖12(b)是振蕩器輸出端未采取任何騷擾抑制措施時在電波暗室中的輻射發(fā)射的測試結(jié)果,可以看出在許多頻率點上的輻射是超標(biāo)的。另外,要特別提醒注意的是,在圖12(b)右側(cè)特別強(qiáng)調(diào)印刷電路板有良好的接地層(印刷電路板的背面整個是一個接地層)。圖12(c)是在振蕩器輸出端采用普通二端電容器(100pF)時的噪聲抑制情況。圖12(d)是在振蕩器輸出端采用NFR21GD4701012(片式阻容復(fù)合濾波組件)時的噪聲抑制情況。就圖12(c)和圖12(d)的輻射噪聲測試結(jié)果看,難分伯仲,也就是說就目前的接地和采用抑制器件的方式,對輻射噪聲的抑制都是有效的。


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