片式高頻噪聲濾波組件及其應(yīng)用(2)

(上接總第129期p．20)
2 高頻噪聲抑制組件使用中應(yīng)當(dāng)注意的一個(gè)問題
迄今為止，本節(jié)中介紹過多種高頻噪聲抑制組件，如果把已經(jīng)介紹過的片式磁珠、片式共模電感器和片式電容器一起加進(jìn)去，那么抑制器件的內(nèi)容是足夠豐富了，而且每一種器件的插入損耗和阻抗特性也是足夠優(yōu)良的，但是在實(shí)際線路應(yīng)用時(shí)，則未必盡然。究其原因，這些器件的插入損耗都是在測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的特定條件(測(cè)試用的信號(hào)源的內(nèi)阻是50Ω；測(cè)試用的測(cè)量接收機(jī)的輸入阻抗也是50Ω)下進(jìn)行的。而接入實(shí)際線路當(dāng)中的噪聲源和負(fù)載(接在高頻噪聲抑制組件后面的受保護(hù)線路)的阻抗卻是一個(gè)未知數(shù)(可能大于，也可能小于50Ω；甚至有可能在某些頻點(diǎn)上是大于50Ω，而在另外一些頻點(diǎn)上卻是小于50Ω)，所以情況非常復(fù)雜，使得高頻噪聲抑制組件的使用效果難于預(yù)測(cè)。
為此在圖10中給出了高頻噪聲抑制組件的一般使用原則：當(dāng)電路是高阻抗的，可選用電容型濾波器(或π型濾波器)；如果電路是低阻抗的，可選用電感型濾波器(或T型濾波器)。如果濾波電路兩側(cè)的阻抗相差較大時(shí)，則對(duì)阻抗低的一側(cè)，采用電感型濾波器；而對(duì)阻抗高的一側(cè)，采用電容型濾波器。這種處理會(huì)使濾波效果大大提高。

3 片式高頻噪聲抑制組件的應(yīng)用例
1)片式復(fù)合繞線型濾波組件應(yīng)用例
圖11為繞線型濾波組件用在抑制傳輸線路上的電磁干擾例。在圖ll(a)中用低功耗TTL集成電路搭成一個(gè)振蕩電路，然后在電波暗室中對(duì)該電路電磁發(fā)射情況進(jìn)行測(cè)試。圖ll(b)是在沒有任何改進(jìn)措施下的測(cè)試，可以看出在各測(cè)試頻率點(diǎn)上超差的情況很多，而且傳輸?shù)牟ㄐ斡惺д?見圖左側(cè)的示波圖)。作為一個(gè)改進(jìn)措施，在振蕩器的輸出端子上串聯(lián)一個(gè)復(fù)合繞線型濾波組件(11(c))，由于濾波組件有優(yōu)異的濾波特性，使振蕩電路電磁發(fā)射的高頻部分有很大衰減；同時(shí)，考慮到復(fù)合型濾波組件有非常陡峭的衰減特性，使波形的低頻部分得到了很好保留，因此經(jīng)復(fù)合型濾波組件濾波的波形畸變最小。作為與圖11(c)的對(duì)比，圖11(d)在振蕩器輸出端串了一個(gè)三端電容，由于三端電容會(huì)同時(shí)衰減信號(hào)和噪聲頻率，尤其是低頻段的頻率，使信號(hào)波形產(chǎn)生較大的失真。由此可見，圖11(c)是比較好的方案。

2)片式阻容復(fù)合濾波組件應(yīng)用例(1)
圖12為片式阻容復(fù)合濾波組件用在抑制傳輸線路上的電磁干擾例。圖1 2(a)用CMOs電路搭成的振蕩器。圖12(b)是振蕩器輸出端未采取任何騷擾抑制措施時(shí)在電波暗室中的輻射發(fā)射的測(cè)試結(jié)果，可以看出在許多頻率點(diǎn)上的輻射是超標(biāo)的。另外，要特別提醒注意的是，在圖12(b)右側(cè)特別強(qiáng)調(diào)印刷電路板有良好的接地層(印刷電路板的背面整個(gè)是一個(gè)接地層)。圖12(c)是在振蕩器輸出端采用普通二端電容器(100pF)時(shí)的噪聲抑制情況。圖12(d)是在振蕩器輸出端采用NFR21GD4701012(片式阻容復(fù)合濾波組件)時(shí)的噪聲抑制情況。就圖12(c)和圖12(d)的輻射噪聲測(cè)試結(jié)果看，難分伯仲，也就是說就目前的接地和采用抑制器件的方式，對(duì)輻射噪聲的抑制都是有效的。