采用射頻功率MOSFET設(shè)計(jì)功率放大器

　　圖4為實(shí)際電路布局圖，該電路采用雙面覆銅板，直接固定在散熱器上。線路板背面均為表面貼元件。而開(kāi)關(guān)管則通過(guò)板上的矩形孔直接固定在散熱器的底面。

　　圖5和圖6所示分別為C類(lèi)功率放大器在50MHz頻率條件下，增益和效率與輸出功率之間的關(guān)系圖。從圖中可知，輸出功率為150W時(shí)的增益最大，高出設(shè)計(jì)值約4dB，這主要是因?yàn)镃類(lèi)功率放大器工作過(guò)程中需要進(jìn)行壓縮，因此實(shí)際工作時(shí)還是能夠滿足設(shè)計(jì)要求的。而最大效率則出現(xiàn)在輸入和輸出之間實(shí)現(xiàn)共扼匹配的時(shí)候。

　　在對(duì)實(shí)際電路進(jìn)行檢驗(yàn)時(shí)，將Vdd以5V步長(zhǎng)由110V增大到135V，實(shí)驗(yàn)結(jié)果清楚地顯示增益和效率的最佳值出現(xiàn)在125V時(shí)。對(duì)電路重調(diào)后，將電壓范圍擴(kuò)大到100V－150V，也能獲得滿意的效果，但是此時(shí)將可能出現(xiàn)峰值效率的情況。如果進(jìn)一步擴(kuò)大電壓范圍，L2和L3的值就需要作相應(yīng)的改動(dòng)。

　　負(fù)載冗余測(cè)試是在25:1的駐波比條件下進(jìn)行的。用一根同軸電纜作衰減器，通過(guò)調(diào)諧電路改變反射系數(shù)的相位，結(jié)果并未發(fā)生不穩(wěn)定的現(xiàn)象。

　　3. 結(jié)論

　　前面介紹了50MHz/250W射頻功率放大器的設(shè)計(jì)方法，該方法可以推廣到其他高壓射頻功率放大器的設(shè)計(jì)過(guò)程中。利用APT公司的專(zhuān)用射頻功率MOSFET將極大的簡(jiǎn)化射頻功率放大器的設(shè)計(jì)過(guò)程。