新聞中心

EEPW首頁 > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 基于HIP4081的厚膜H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

基于HIP4081的厚膜H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2009-07-14 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
隨著電力電子技術(shù)的進(jìn)步和微處理器技術(shù)的應(yīng)用,大大改變了電機(jī)控制、電氣傳動(dòng)的面貌。形成了一門多學(xué)科交叉的“運(yùn)動(dòng)控制”技術(shù)。運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)能使被控機(jī)械運(yùn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)精確的位置控制、速度控制、加速度控制、轉(zhuǎn)矩或力的控制,以及這些被控機(jī)械量的綜合控制。H橋驅(qū)動(dòng)電路能與主處理器、電機(jī)等構(gòu)成一個(gè)完整的運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng),可應(yīng)用于步進(jìn)電機(jī)、交流電機(jī)及直流電機(jī)等的運(yùn)動(dòng)控制。

1 電機(jī)運(yùn)動(dòng)控制及其驅(qū)動(dòng)電路
在電機(jī)的運(yùn)動(dòng)控制中,最常見的是電機(jī)的雙向轉(zhuǎn)動(dòng)和調(diào)速,流經(jīng)電機(jī)繞組的電流大小和方向要受控。
圖1,圖2是由4個(gè)N溝道MOs管(M1~M4)和一個(gè)電機(jī)(M)組成的H橋。在圖1中,當(dāng)M1和M4導(dǎo)通時(shí),電流從電源正極經(jīng)M1從左至右穿過電機(jī),然后再經(jīng)M4回到電源負(fù)極,電機(jī)沿順時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)。在圖2中,當(dāng)M3和M2導(dǎo)通時(shí),電流從右至左流過電機(jī),電機(jī)沿逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)。因此,通過調(diào)整MOS管的導(dǎo)通與截止時(shí)序可以控制電機(jī)的轉(zhuǎn)向,通過調(diào)整流經(jīng)電機(jī)電流的大小可以控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/188830.htm

在此介紹一款基于設(shè)計(jì)的電路,用于某炮瞄系統(tǒng)。電路內(nèi)部集成了CMOS控制電路和由MOS管組成的H橋,它能為負(fù)載提供5 A的連續(xù)電流。該電路能在60 V的供電電源范圍內(nèi)安全工作,用戶只需提供與TTL電平兼容的PWM信號(hào)就可進(jìn)行4象限模式的幅值和方向同時(shí)控制,而且與數(shù)字控制器的接口非常簡(jiǎn)單。其內(nèi)部電路可提供適當(dāng)?shù)乃绤^(qū)時(shí)間間隔以保護(hù)H橋的4個(gè)N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,效率可達(dá)97%。提供有與TTL兼容的使能管腳來關(guān)斷4個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管。

2 內(nèi)部結(jié)構(gòu)及技術(shù)特點(diǎn)
是intersil公司推出的一款專門用于控制H橋的高頻全橋驅(qū)動(dòng)芯片。采用閂鎖抗干擾CMOS制造工藝,具有獨(dú)立的低端和高端輸入通道,分別獨(dú)立驅(qū)動(dòng)4個(gè)N溝道MoS管;輸出峰值電流為2 A;芯片內(nèi)部具有電荷泵和死區(qū)時(shí)間設(shè)置;懸浮電源采用自舉電路,其高端工作電壓可達(dá)95 V,邏輯電源電壓范圍6~15 V,工作頻率高,可達(dá)1 MHz;具有能控制所有輸入的禁止端,可方便地與外接元件形成保護(hù)電路。圖3給出HIP4081的引腳排列定義,圖4顯示了1/2HIP4081(A邊)的內(nèi)部功能框圖。主要組成部分有:邏輯輸入、使能、電荷泵、電平平移及死區(qū)時(shí)間設(shè)置等。

3 HIP4081引腳排列
在圖4中,Au,AHl分別是A邊的低邊輸入和高邊輸入;ALO,AHO分別是A邊的低邊輸出和高邊輸出,DIS是使能輸入;在另一半(B邊)的內(nèi)部功能圖中,BLI、BHl分別是B邊的低邊輸入和高邊輸入;BL0,BH0分別是B邊的低邊輸出和高邊輸出。他們之間的邏輯關(guān)系如表1所示。

3 電路實(shí)現(xiàn)基本原理
電路原理框如圖5所示。

在圖5中,VCC為內(nèi)部邏輯電路和MOS管上臂和下臂驅(qū)動(dòng)器的低壓電源;Vs為H橋供電電源,MOS管從這個(gè)電源端獲得輸出電流,該腳電壓范圍為Vcc~+80 V;V01,為半橋的輸出腳1,當(dāng)PwM輸入ALI為高,BLI為低時(shí),該腳輸出為Vs;Vo2為半橋的輸出腳2,當(dāng)PwM輸入ALI為低,BLl為高時(shí),該腳輸出為Vs;SENSE為2個(gè)半橋下臂的共同聯(lián)接點(diǎn),可連接一個(gè)到Vs地的檢測(cè)電阻以檢測(cè)電流,該腳也可以直接連到Vs的地。GND為輸入邏輯和Vcc的地;PWM輸人為用于輸入與TTL兼容的PwM信號(hào),占空比在O%~100%之間;DIS為用于關(guān)斷4個(gè)MOS管,該腳為1時(shí)為關(guān)斷,為0時(shí)使能。


上一頁 1 2 下一頁

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉