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自耦變壓器零序保護探討

作者: 時間:2012-08-31 來源:網絡 收藏

在500kV變電站,廣泛應用三相獨立、自耦降壓式變壓器。由于高壓側、中壓側線圈之間有電的直接聯(lián)系,為防止高壓側單相接地引起中壓側過電壓,高、中壓側中性點必須直接接地,且有共同的接地中性點,零序電流可在高、中壓側系統(tǒng)之間流動。因此,有著許多不同于普通變壓器保護的特點,下面就這些特殊性進行探討。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201072.htm

1.零序電流分布

接地短路時,中零序電流的分布,可利用圖1所示系統(tǒng)接線來說明。

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當高壓側d點發(fā)生單相接地時, 自耦變壓器中零序電流的分布如圖2所示,圖中,IG0、IZ0、Id0分別為自耦變壓器高壓側、中壓側、低壓側的零序電流,Igg0為公共繞組的零序電流,IZX為中性點的零序電流。

經分析可得[1]:

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圖2 自耦變壓器三相零序電流分布

根據公式(2),當自耦變壓器高壓側發(fā)生單相接地短路時,中性點零序電流的大小和方向,都將隨著中壓側系統(tǒng)零序阻抗的變化而變化。如果XSN0+XZ0>(kGZ-1)XD0,則中性點電流IZX與圖中所標的方向相同;如果XSN0+XZ0(kGZ-1)XD0,則中性點電流IZX與圖中所標的方向相反,中性點電流的相位將改變1800。特別是,如果XSN0+XZ0=(kGZ-1)XD0,則不管高壓側零序電流有多大,流經中性點的零序電流都為零。

2 零序電流保護

根據上述分析,自耦變壓器高壓側發(fā)生接地故障時,流經中性點的零序電流與中壓側系統(tǒng)阻抗有很大的關系,不能明確地反映故障的方向和故障的嚴重程度。

而根據公式(1),流經自耦變壓器中壓側的零序電流的大小,盡管隨中壓側系統(tǒng)零序阻抗的變化而變化,但其方向不變。

因此,自耦變壓器零序電流保護,一般在高壓側、中壓側分別裝設,并分別接入高、中壓側電流互感器的零序回路,如圖3所示。為了保證動作的選擇性,零序電流保護一般需要具有方向性。

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在實際運行中,往往存在自耦變壓器“高壓側或中壓側斷開運行”的情況,此時,如果自耦變壓器內部發(fā)生單相接地,接在中壓側或高壓側線端電流互感器二次回路的零序過電流保護,可能滿足不了靈敏度的要求,因此,在自耦變壓器中性點處電流互感器二次側,一般還配置零序過電流保護。

但是,根據公式(2),當自耦變壓器高、中壓側同時投入運行時,中性點回路的零序過電流保護必須退出,否則,有可能不正確動作。也就是說,自耦變壓器中性點回路裝設的零序過電流保護,只在高壓側或中壓側斷開、內部發(fā)生單相接地故障、未斷開側零序過電流保護的靈敏度不夠時,才投入使用。

高壓側和中壓側的方向零序過電流保護通常設兩段,第一段動作電流與本側母線出線的零序過電流保護的第Ⅰ或Ⅱ段配合,動作電流由公式(3)計算[2]。

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Kbr.Ⅰ—零序電流分支系數(shù),其值等于出線

零序過電流保護Ⅰ段保護區(qū)末端發(fā)

生接地短路時,流過本保護的零序

電流與流過線路的零序電流之比。

IOP.0.Ⅰ/Ⅱ—線路零序過電流保護Ⅰ段或Ⅱ段

動作電流。

第二段動作電流與本側母線出線的零序過電流保護的后備段配合,動作電流由公式(4)計算。

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式中

IOP.0. Ⅱ—Ⅱ段零序過電流保護動作電流;

Krel —可靠系數(shù),取1.2。

Kbr. Ⅱ—零序電流分支系數(shù),出線零序過電

流保護后備段保護區(qū)末端發(fā)生接地

短路時,流過本保護的零序電流與

流過線路的零序電流之比。

IOP.0.Ⅱ—線路零序過電流保護后備段的動作

電流。

3 零序差動保護

對于由三臺單相自耦變壓器組成的超高壓自耦變壓器組,內部發(fā)生接地故障的概率遠大于相間故障,而普遍采用的變壓器縱差保護對內部單相接地短路的靈敏度很低甚至拒動[3]零序差動保護,其原理接線圖如圖4所示。。自耦變壓器一般增設

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3.1 勵磁涌流對零差保護的影響

變壓器空載投入和外部故障切除后電壓恢復時,可能出現(xiàn)數(shù)值很大的勵磁涌流,最大可達額定電流的6~8倍。對于三相變壓器而言,無論在任何瞬間合閘,至少有兩相要出現(xiàn)程度不同的勵磁涌流,即三相勵磁涌流不對稱,且星形接線繞組中性點直接接地,因此,零序涌流一定存在。

按照圖4所示零差保護的原理接線圖,零差保護的電流取自自耦變壓器高壓側、中壓側和公共繞組的電流互感器,其保護范圍只包含有電路連接的自耦變壓器的串聯(lián)繞組和公共繞組,不包含無電路連接的由鐵芯磁路耦合的低壓繞組。因此,不管變壓器空載投入和外部故障切除后電壓恢復時,零序涌流有多大,波形多畸變,一次零序涌流各側之和一定為0,總是穿越性電流,這樣,從構成原理上來看,零差保護不受勵磁涌流的影響,不必經勵磁涌流判據的閉鎖,也不必經過勵磁判據的閉鎖。

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