新聞中心

EEPW首頁 > 模擬技術(shù) > 業(yè)界動態(tài) > 砷化鎵集成電路市場2015年增長率超過25%

砷化鎵集成電路市場2015年增長率超過25%

作者: 時(shí)間:2016-01-07 來源:中國國防科技信息中心 收藏

  盡管存在硅的競爭,但無線通信的需求將繼續(xù)推動市場發(fā)展。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201601/285387.htm

  據(jù)美國市場研究和咨詢公司——信息網(wǎng)絡(luò)公司稱,強(qiáng)大的無線通信需求使市場2015年增長率超過25%。

  每個手機(jī)都包含基于異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)技術(shù)的功率放大器(PA)。一個2G手機(jī)包含一個PA,而一個3G手機(jī)通常含有多達(dá)五個PA。蘋果的4G智能手機(jī)6S包含六個PA:Avago的ACPM-7600和ACPM-8010,高通的QFE2320和QFE2340,和Skyworks的sky85303和sky85707。

  該公司的“砷化鎵市場”報(bào)告稱,雖然GaAs PA逐漸被硅基CMOS產(chǎn)品替代,繼續(xù)失去市場份額,但在可預(yù)見的未來,仍將在RF技術(shù)領(lǐng)域占主導(dǎo)地位。

  PA的定價(jià)已經(jīng)從每個2G手機(jī)0.30美元提高到每個3G手機(jī)1.25美元,全球長期演進(jìn)(LTE)技術(shù)中的PA為3.25美元。



關(guān)鍵詞: 砷化鎵 集成電路

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉