英特爾研發(fā)周期放緩 或被臺積電超過

　　雖然目前還不知道Ice Lake的更多消息，但先前的報道顯示，Intel將把Haswell中的FIVR(全集成式電壓調節(jié)模塊)重新置入其中。

　　理論上，雖然內置FIVR會增加部分芯片面積，但對電壓的控制會更加精確，從而實現(xiàn)更加省電，但這一點在Haswell上卻并沒有得到體現(xiàn)——由于加入了FIVR，TDP(熱設計功耗)非但沒有下降，反而從前代的77W進一步增加到了84W。

　　但Intel顯然并沒有對FIVR技術完全死心，看來Intel很有可能會把成熟的FIVR技術重新引入到10nm級芯片中。

　　在10nm工藝節(jié)點上，Tiger Lake架構將成為Intel的第二次“Tock”。“Tiger Lake”這一代號雖然在此前的報道中從未被提及過，但這表明了Intel在10nm的工藝節(jié)點上也將沿用三代。

　　Tick-Tock或將面臨臺積電的技術挑戰(zhàn)

　　但是，如果Intel真的要按照這個發(fā)展戰(zhàn)略來不緊不慢地提升自己的技術，那么臺積電“在2017年達到7nm技術節(jié)點，2020年達到5nm的技術節(jié)點”的戰(zhàn)略規(guī)劃顯然要比Intel來的更為樂觀。

　　“臺積電預計將在2018年上半年開始生產7nm制程的芯片，不僅如此，我們在極紫外光刻技術(EUV)上已經取得了重大突破，很可能會在5nm工藝制程上應用。”

　　——臺積電聯(lián)席CEO劉德

　　而Intel官方則表示，如果在5nm節(jié)點上硅仍然是一個可行的微處理器材料，那么Intel將于2020年開始研發(fā)5nm制程的芯片，我們最早將在2022年才能見到這一芯片。

　　不過，此前業(yè)內的諸多人士都表示硅不會成為5nm級芯片上最具成本效益的材料，并且目前也已經有諸多有望代替硅成為新一代芯片原材料的物質，如碳納米管等。所以Intel的這個前提有些耐人尋味。