半導(dǎo)體二極管參數(shù)常用符號及其意義

　　文章介紹了半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號及其意義

　　CT---勢壘電容

　　Cj---結(jié)(極間)電容， 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容

　　Cjv---偏壓結(jié)電容

　　Co---零偏壓電容

　　Cjo---零偏壓結(jié)電容

　　Cjo/Cjn---結(jié)電容變化

　　Cs---管殼電容或封裝電容

　　Ct---總電容

　　CTV---電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比

　　CTC---電容溫度系數(shù)

　　Cvn---標(biāo)稱電容

　　IF---正向直流電流(正向測試電流)。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流;硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流(平均值)，硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流;測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流

　　IF(AV)---正向平均電流

　　IFM(IM)---正向峰值電流(正向最大電流)。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。

　　IH---恒定電流、維持電流。

　　Ii--- 發(fā)光二極管起輝電流

　　IFRM---正向重復(fù)峰值電流

　　IFSM---正向不重復(fù)峰值電流(浪涌電流)

　　Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流

　　IF(ov)---正向過載電流

　　IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流

　　ID---暗電流

　　IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流

　　IEM---發(fā)射極峰值電流

　　IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流

　　IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流

　　ICM---最大輸出平均電流

　　IFMP---正向脈沖電流

　　IP---峰點電流

　　IV---谷點電流

　　IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流

　　IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流

　　IGFM---控制極正向峰值電流

　　IR(AV)---反向平均電流

　　IR(In)---反向直流電流(反向漏電流)。在測反向特性時，給定的反向電流;硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流;硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流;穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流;整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。

　　IRM---反向峰值電流

　　IRR---晶閘管反向重復(fù)平均電流

　　IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流

　　IRRM---反向重復(fù)峰值電流

　　IRSM---反向不重復(fù)峰值電流(反向浪涌電流)

　　Irp---反向恢復(fù)電流

　　Iz---穩(wěn)定電壓電流(反向測試電流)。測試反向電參數(shù)時，給定的反向電流

　　Izk---穩(wěn)壓管膝點電流

　　IOM---最大正向(整流)電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流;在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流

　　IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流

　　IZM---最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流

　　iF---正向總瞬時電流

　　iR---反向總瞬時電流

　　ir---反向恢復(fù)電流

　　Iop---工作電流

　　Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流

　　f---頻率

　　n---電容變化指數(shù);電容比

　　Q---優(yōu)值(品質(zhì)因素)

　　δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移

　　di/dt---通態(tài)電流臨界上升率

　　dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率

　　PB---承受脈沖燒毀功率

　　PFT(AV)---正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?/p>

　　PFTM---正向峰值耗散功率

　　PFT---正向?qū)偹矔r耗散功率

　　Pd---耗散功率

　　PG---門極平均功率

　　PGM---門極峰值功率

　　PC---控制極平均功率或集電極耗散功率

　　Pi---輸入功率

　　PK---最大開關(guān)功率

　　PM---額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率

　　PMP---最大漏過脈沖功率

　　PMS---最大承受脈沖功率

　　Po---輸出功率

　　PR---反向浪涌功率

　　Ptot---總耗散功率

　　Pomax---最大輸出功率

　　Psc---連續(xù)輸出功率

　　PSM---不重復(fù)浪涌功率

　　PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率

　　RF(r)---正向微分電阻。在正向?qū)〞r，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應(yīng)增加△I，則△V/△I稱微分電阻

　　RBB---雙基極晶體管的基極間電阻

　　RE---射頻電阻

　　RL---負(fù)載電阻

　　Rs(rs)----串聯(lián)電阻

　　Rth----熱阻

　　R(th)ja----結(jié)到環(huán)境的熱阻

　　Rz(ru)---動態(tài)電阻

　　R(th)jc---結(jié)到殼的熱阻

　　r δ---衰減電阻

　　r(th)---瞬態(tài)電阻

　　Ta---環(huán)境溫度

　　Tc---殼溫

　　td---延遲時間

　　tf---下降時間

　　tfr---正向恢復(fù)時間

　　tg---電路換向關(guān)斷時間

　　tgt---門極控制極開通時間

　　Tj---結(jié)溫

　　Tjm---最高結(jié)溫

　　ton---開通時間

　　toff---關(guān)斷時間

　　tr---上升時間

　　trr---反向恢復(fù)時間

　　ts---存儲時間

　　tstg---溫度補償二極管的貯成溫度

　　a---溫度系數(shù)

　　λp---發(fā)光峰值波長

　　△ λ---光譜半寬度

　　η---單結(jié)晶體管分壓比或效率

　　VB---反向峰值擊穿電壓

　　Vc---整流輸入電壓

　　VB2B1---基極間電壓

　　VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓

　　VEB---飽和壓降

　　VFM---最大正向壓降(正向峰值電壓)

　　VF---正向壓降(正向直流電壓)

　　△VF---正向壓降差

　　VDRM---斷態(tài)重復(fù)峰值電壓

　　VGT---門極觸發(fā)電壓

　　VGD---門極不觸發(fā)電壓

　　VGFM---門極正向峰值電壓

　　VGRM---門極反向峰值電壓

　　VF(AV)---正向平均電壓

　　Vo---交流輸入電壓

　　VOM---最大輸出平均電壓

　　Vop---工作電壓

　　Vn---中心電壓

　　Vp---峰點電壓

　　VR---反向工作電壓(反向直流電壓)

　　VRM---反向峰值電壓(最高測試電壓)

　　V(BR)---擊穿電壓

　　Vth---閥電壓(門限電壓)

　　VRRM---反向重復(fù)峰值電壓(反向浪涌電壓)

　　VRWM---反向工作峰值電壓

　　V v---谷點電壓

　　Vz---穩(wěn)定電壓

　　△Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量

　　Vs---通向電壓(信號電壓)或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓

　　av---電壓溫度系數(shù)

　　Vk---膝點電壓(穩(wěn)流二極管)

　　VL ---極限電壓