2016年迎3D NAND技術(shù)拐點，誰輸在起跑線？

　　為了進(jìn)一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術(shù)導(dǎo)入已迫在眉睫，2016年將真正迎來NAND Flash技術(shù)拐點。

　　1、積極導(dǎo)入48層3D技術(shù)量產(chǎn)，提高成本競爭力

　　與2D工藝相比，3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達(dá)128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。

　　隨著3D技術(shù)的發(fā)展，采用48層堆疊則可將NAND Flash Die容量提升至256Gb，突破2D NAND 128Gb容量，且較32層3D NAND更有成本和性能優(yōu)勢，這也是Flash原廠在2016年擴(kuò)大48層量產(chǎn)或加快導(dǎo)入步伐的主要原因，使得2D技術(shù)向3D 技術(shù)切換點恰好擁有最佳的成本效益。

　　2、為3D NAND量產(chǎn)下“血本”，投資建廠消息不斷

　　為了更好的研發(fā)和投產(chǎn)3D NAND，以及不輸在起跑線，F(xiàn)lash原廠可謂下足了“血本”。三星在3D NAND技術(shù)上領(lǐng)先，并為3D NAND量產(chǎn)新建西安工廠，2016年將擴(kuò)大48層3D NAND量產(chǎn)，并規(guī)劃在年底實現(xiàn)64層3D NAND量產(chǎn)。東芝/SanDisk的3D技術(shù)也采用的是48層，除了改建的Fab 2將在2016年投產(chǎn)外，還投資買地建新3D NAND工廠。

　　美光目前已將3D NAND的樣本送往客戶進(jìn)行測試，新建的Fab 10x工廠預(yù)計將在2016下半年開始投產(chǎn)新一代的3D NAND。SK海力士除了新建的M14工廠計劃量產(chǎn)3D NAND，也將投資新建工廠，預(yù)計2019年開始投入生產(chǎn)，清州工廠量產(chǎn)的3D NAND已準(zhǔn)備開始出貨。

　　3、3D NAND意在增長迅猛的SSD市場

　　大數(shù)據(jù)時代，SSD正在以每年20%的需求量在快速增長，3D NAND大容量和高性能特性可為SSD帶來更高的性能表現(xiàn)。

　　三星采用自家的控制芯片，最先將3D NAND廣泛應(yīng)用到SSD中，并開始發(fā)售容量高達(dá)16TB的企業(yè)級SSD，2016年開始將3D NAND應(yīng)用延伸到嵌入式產(chǎn)品UFS 2.0中。

　　美光、SK海力士等也均宣布將在2016年推出基于3D NAND的SSD，英特爾更是研發(fā)先進(jìn)的3D Xpoint技術(shù)，在2016年推出搭載3D Xpoint NAND的Optane系列SSD新品。

　　此外，國際控制芯片廠Marvell 88NV1120、88NV1140、88SS1074等SSD控制芯片均支持3D TLC NAND，臺廠慧榮也推出了一款支持3D MLC NAND的SSD控制芯片SM2246EN，為非Flash原廠的SSD廠商提供SSD控制芯片支持，未來將有更多的3D SSD上市。

　　3D NAND蜂擁而至，2016年NAND Flash市場再現(xiàn)供過于求?

　　2015年因Flash原廠擴(kuò)大1ynm TLC量產(chǎn)，以及受全球智能手機(jī)出貨量增長放緩，平板出貨下滑，PC需求持續(xù)不振等影響，中國閃存市場網(wǎng)ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)，NAND Flash綜合價格指數(shù)累積跌幅高達(dá)35%，再加上DRAM價格持續(xù)下跌，存儲產(chǎn)業(yè)鏈廠商營收成長均受到了一定的沖擊。

　　2016年初市場需求復(fù)蘇遲緩，NAND Flash價格依然持續(xù)跌勢，累積2個多月NAND Flash綜合價格指數(shù)跌幅達(dá)3.3%。2016年Flash原廠將相續(xù)投入48層3D NAND量產(chǎn)，再加上原廠投資建廠等消息刺激，市場擔(dān)憂上游原廠NAND Flash產(chǎn)能大增會對市場造成沖擊，加劇供過于求的市況，廠商營收獲利也再次面臨挑戰(zhàn)。

　　3D NAND量產(chǎn)不定因素大，NAND Flash市場樂觀而謹(jǐn)慎

　　其實，NAND Flash未來市況也未必非常糟糕。

　　從Flash原廠投產(chǎn)情況來看，2016年只有三星能夠?qū)崿F(xiàn)48層3D NAND規(guī)?；慨a(chǎn)，東芝48層3D NAND才剛進(jìn)入規(guī)模量產(chǎn)階段，美光、SK海力士預(yù)計要等到2016下半年才能夠投入生產(chǎn)。

　　另一方面，F(xiàn)lash原廠由2D向3D技術(shù)過渡，就好比是把平房改為高樓，3D 技術(shù)能否順利量產(chǎn)也是一大考驗。近期，市場開始傳出除三星以外的其他原廠在研發(fā)與投產(chǎn)3D NAND過程中均遇到良率不佳等消息，同時2D工藝進(jìn)入1znm量產(chǎn)，NAND Flash良率將面臨同樣的難題，這些都有可能導(dǎo)致NAND Flash產(chǎn)能損失，以及效益受損。

　　在市場需求方面，在蘋果、三星引領(lǐng)旗艦智能型手機(jī)向128GB大容量發(fā)展的趨勢下，2016年小米5、樂視Max Pro、vivo Xplay5 等也增加了128GB容量，推動2016年旗艦機(jī)標(biāo)配容量從16GB-64GB向32GB-128GB升級，這對于NAND Flash產(chǎn)能的消耗可是翻倍的增長，同時消費(fèi)類二合一筆記本和數(shù)據(jù)中心服務(wù)器市場對SSD需求量和更大容量的需求都在增加，NAND Flash市場前景還是很樂觀的，但供應(yīng)鏈廠商仍需謹(jǐn)慎待之。