CSTIC 2016：半導(dǎo)體是推動(dòng)技術(shù)革新的核心基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)

　　技術(shù)的革新進(jìn)步改變著當(dāng)今世界日常生活的方方面面。3月13日-14日，2016年中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)(CSTIC 2016)在上海國(guó)際會(huì)議中心隆重舉行。與SEMICON China 2016同期舉辦CSTIC 2016是中國(guó)最大的半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)，成為國(guó)內(nèi)探討先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的年度盛會(huì)。CSTIC由SEMI和IEEE-EDS主辦，ICMTIA協(xié)辦，由長(zhǎng)電科技、中芯國(guó)際、愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試等企業(yè)聯(lián)合贊助。

　　大會(huì)特別邀請(qǐng)STM副總裁、MEMS傳感器事業(yè)部總經(jīng)理Andrea Onetti、英特爾高級(jí)研究員Dr. Chia-Hong Jan和華為公司副總裁楚慶作為主題演講嘉賓。

　　本屆技術(shù)大會(huì)收到400多篇優(yōu)秀論文，并吸引了800多位專業(yè)聽(tīng)眾前來(lái)參會(huì)。會(huì)議內(nèi)容涵蓋半導(dǎo)體技術(shù)和制造，包括設(shè)備、設(shè)計(jì)、平板印刷、材料、工藝等各方面，以及新興的半導(dǎo)體技術(shù)和硅材料應(yīng)用等。3D打印、LEDs、MEMS、碳納米電子等都是會(huì)議的熱門(mén)關(guān)注領(lǐng)域。半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展是支持國(guó)家經(jīng)濟(jì)，提升產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的核心產(chǎn)業(yè)之一，也是推動(dòng)技術(shù)革新的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)。

　　會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)還頒布了由大會(huì)主辦方SEMI與ECS共同設(shè)立的優(yōu)秀學(xué)生與優(yōu)秀年輕工程師獎(jiǎng)。獲得ECS優(yōu)秀學(xué)生獎(jiǎng)的有來(lái)自巴西圣保羅大學(xué)/比利時(shí)魯汶微電子研究所的Alberto V. de Oliveira (一等獎(jiǎng))和來(lái)自清華大學(xué)的Jie Cheng(二等獎(jiǎng));獲得SEMI優(yōu)秀年輕工程師獎(jiǎng)的是來(lái)自XFAB Sarawak 的Wang Dulin。

　　除了主題演講外，本屆技術(shù)大會(huì)還設(shè)有12個(gè)專題研討會(huì)，在3月13-14日同時(shí)舉行。

　　主題演講引爆全場(chǎng)

　　隨著智能終端、MEMS、物聯(lián)網(wǎng)等新應(yīng)用市場(chǎng)的發(fā)展，也給集成電路產(chǎn)業(yè)帶來(lái)新的產(chǎn)業(yè)動(dòng)力。中國(guó)正成為集成電路產(chǎn)業(yè)的熱點(diǎn)區(qū)域。MEMS傳感器將怎樣影響物聯(lián)網(wǎng)?摩爾定律是否仍將繼續(xù)?以及對(duì)新技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)的探討，成為今年CSTIC主題演講的熱點(diǎn)話題。

　　STM副總裁，MEMS傳感器事業(yè)部總經(jīng)理Andrea Onetti

　　STM副總裁、MEMS傳感器事業(yè)部總經(jīng)理 Andrea Onetti在他的主題演講中圍繞MEMS和傳感器以及它們對(duì)物聯(lián)網(wǎng)的影響，進(jìn)行了深入淺出地闡述。他指出，要實(shí)現(xiàn)設(shè)備間的互聯(lián)互通，傳感器是核心，它是讓一切事物變得智能的關(guān)鍵。他列舉了一系列應(yīng)用實(shí)例，如智能路燈、智能垃圾收集系統(tǒng)、智能停車等，展示如何通過(guò)傳感技術(shù)的應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)節(jié)能的同時(shí)收集數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)真正的萬(wàn)物互聯(lián)。不同的智能應(yīng)用帶來(lái)不同的體驗(yàn)，而其背后都離不開(kāi)傳感技術(shù)，所以傳感技術(shù)的應(yīng)用將有無(wú)限可能。ST針對(duì)未來(lái)的物聯(lián)網(wǎng)開(kāi)發(fā)者的需求，著力在軟硬件構(gòu)建模塊及開(kāi)發(fā)和原型工具上提供一系列解決方案，為開(kāi)發(fā)者提供便利。

　　英特爾高級(jí)研究員Dr. Chia-Hong Jan

　　英特爾高級(jí)研究員Dr. Chia-Hong Jan一上來(lái)就拋出三個(gè)問(wèn)題——為什么是摩爾定律?摩爾定律何時(shí)終結(jié)?是什么在支持摩爾定律?隨后，他給出的結(jié)論是，在某種意義上，摩爾定律不會(huì)終結(jié)，因?yàn)樽裱蛘叱侥柖傻膭?chuàng)新性產(chǎn)品將獲得市場(chǎng)并且顛覆其他產(chǎn)品。Dr. Chia-Hong Jan進(jìn)而指出，事實(shí)上，摩爾定律體現(xiàn)在各個(gè)領(lǐng)域，包括CPU、DRAM、Flash、HDD、CIS等的發(fā)展歷程中，都可以看到摩爾定律的特性。此外，Dr. Chia-Hong Jan還從摩爾定律與顛覆式創(chuàng)新、能源效率等角度，結(jié)合產(chǎn)業(yè)實(shí)例作了一系列分析闡述。

　　華為公司副總裁楚慶

　　然而，華為公司副總裁楚慶卻表示“摩爾定律必然終結(jié)。”他甚至直言摩爾定律是一個(gè)“錯(cuò)覺(jué)”。“摩爾定律曾為行業(yè)制造了一條競(jìng)爭(zhēng)跑道，其規(guī)則是只要‘工藝領(lǐng)先，就將獲勝’。”但楚慶指出，現(xiàn)在這一規(guī)律已經(jīng)開(kāi)始偏離，“摩爾定律的基石已經(jīng)在工藝到了Finfet 、SOI的分叉時(shí)產(chǎn)生了動(dòng)搖。全新的器件結(jié)構(gòu)(Finfet、SOI等)的引入標(biāo)志著后摩爾定律時(shí)代來(lái)臨，摩爾定律已經(jīng)開(kāi)始偏離了原來(lái)的發(fā)展節(jié)奏。”

　　談到存儲(chǔ)領(lǐng)域目前所面臨的長(zhǎng)期僵局，楚慶則指出存儲(chǔ)體產(chǎn)業(yè)缺乏自我革新的力量，所有競(jìng)爭(zhēng)圍繞價(jià)格和成本，低毛利導(dǎo)致研發(fā)投入嚴(yán)重不足，是時(shí)候吹響技術(shù)革命的號(hào)角，并認(rèn)為新型存儲(chǔ)介質(zhì)將引領(lǐng)存儲(chǔ)領(lǐng)域的變革。此外，楚慶還提到了量子計(jì)算、人工智能等一系列新技術(shù)，并進(jìn)一步表示，未來(lái)的新技術(shù)的走向，也許沒(méi)有一條會(huì)和摩爾定律有關(guān)聯(lián)。而摩爾定律的終結(jié)在楚慶看來(lái)也并非壞事，他認(rèn)為，“任何摧垮舊制度的炮彈，都是誕生新事物的開(kāi)端。相信人類的創(chuàng)造力是無(wú)限的。”

　　11個(gè)專題研討會(huì)

　　專題研討會(huì)內(nèi)容涵蓋先進(jìn)技術(shù)、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、最新動(dòng)態(tài)、產(chǎn)業(yè)的未來(lái)展望等，來(lái)自產(chǎn)業(yè)前沿的專業(yè)演講者們，在各自領(lǐng)域分享了來(lái)自產(chǎn)業(yè)的最新技術(shù)和聲音，并深入剖析新的產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。

　　專題研討會(huì)現(xiàn)場(chǎng)

　　專題研討會(huì)會(huì)場(chǎng)一的主題為“設(shè)備工程與技術(shù)”，并分為五個(gè)討論題目，分別為存儲(chǔ)技術(shù)、可靠性和噪音特性、新型固態(tài)設(shè)備、先進(jìn)設(shè)備技術(shù)和先進(jìn)工藝技術(shù)。其中有曼徹斯特大學(xué)的Jianhua Joshua Yang帶來(lái)的“記憶電阻器使存儲(chǔ)和神經(jīng)應(yīng)用成為可能”，新加坡南洋理工大學(xué)的Yu Hao的“類人腦計(jì)算與非易失性存儲(chǔ)設(shè)備”等。

　　專題研討會(huì)會(huì)場(chǎng)二的主題為“光刻和曝光”。分別圍繞“計(jì)算性光刻技術(shù)”、“MEMS、Mask和Metrology”、“多重曝光”、“工藝和材料”等方面展開(kāi)探討。其中有Intel的Vivek Singh帶來(lái)“摩爾定律：沒(méi)有盡頭”的演講;Brewer Science的Leo Pang帶來(lái)關(guān)于“光刻技術(shù)中的化學(xué)影響的調(diào)查研究”;東京東北大學(xué)的Chiaki Kato分享了“MEMS技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)”;來(lái)自東電電子Hidetami Yaegashi的“7納米節(jié)點(diǎn)多次曝光中的圖形擬真度控制”等。

　　專題研討會(huì)會(huì)場(chǎng)三的主題為“干濕蝕刻和清洗”。演講內(nèi)容有Lam Research的Rich Wise帶來(lái)的“圖形技術(shù)對(duì)10納米、7納米及5納米邏輯節(jié)點(diǎn)的影響”，應(yīng)用材料的Peter Loewenhardt的“原子級(jí)精密材料工程”，北方微電子的Shaohua Liu帶來(lái)的“功率半導(dǎo)體設(shè)備的設(shè)備解決方案”等。

　　專題研討會(huì)會(huì)場(chǎng)四的主題為“薄膜技術(shù)和工藝整合”，并圍繞FEOL CVD和熱敏薄膜、FEOL金屬、材料和工藝整合、BEOL薄膜、新型材料等多個(gè)話題展開(kāi)討論。

　　專題研討會(huì)會(huì)場(chǎng)五的主題為“CMP和CMP之后的清洗”，六個(gè)討論題目為先進(jìn)CMP應(yīng)用、CMP消耗技術(shù)、先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的CMP技術(shù)、CMP缺陷和清洗技術(shù)、BEOL CMP、新CMP的應(yīng)用和技術(shù)。演講內(nèi)容包括克拉克森大學(xué)的S.V. Babu博士的“緩解阻隔性薄膜在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的腐蝕性挑戰(zhàn)”，Global Foundries的JH Han博士的“化學(xué)機(jī)械拋光革新技術(shù)是10納米之下邏輯設(shè)備的關(guān)鍵技術(shù)”等。

　　專題研討會(huì)會(huì)場(chǎng)六的主題為“封裝和裝配”。專題研討會(huì)會(huì)場(chǎng)八主題為“計(jì)量、可靠性和測(cè)試“，討論題目圍繞測(cè)試、計(jì)量、硬件安全、可靠性、識(shí)別和觀察等。

　　專題研討會(huì)會(huì)場(chǎng)九的主題為“新興半導(dǎo)體技術(shù)”，討論題目分為先進(jìn)邏輯技術(shù)、新興半導(dǎo)體技術(shù)、新興半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)、先進(jìn)光學(xué)半導(dǎo)體技術(shù)、3D和功率半導(dǎo)體技術(shù)以及2D半導(dǎo)體和量子點(diǎn)技術(shù)。

　　專題研討會(huì)會(huì)場(chǎng)十的主題為“MEMS和傳感器技術(shù)的進(jìn)步”，討論題目分為MEMS和傳感器系統(tǒng)、新穎的MEMS設(shè)備和傳感器、MEMS和傳感器的制造和測(cè)試以及MEMS和傳感器的材料和工藝。

　　專題研討會(huì)會(huì)場(chǎng)十一的主題為“電路設(shè)計(jì)、系統(tǒng)集成和應(yīng)用”，討論題目涉及3D ICs/生物芯片和可穿戴設(shè)備、系統(tǒng)架構(gòu)、低功耗電路、可靠和測(cè)試等。